Multisim应用举例

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1.半导体器件特性曲线测试方法的研究

 

一、题目利用IV分析仪测量二极管的伏安特性

 

二、测量方法及步骤

 

1.选择元件:在Multisim 主界面的左侧元器件栏中选择某种型号的二极管( Diode),如1N4148,并将某拖至电路图窗口。

 

2.选择仪器:在右侧仪器仪表栏中选择IV分析仪(IV - Analysis) ，也将其拖至电路图窗口;打开IV分析仪,在仪器的Conponents栏选择Diode,IV分析仪的右下角将显示出二极管管脚所接端子。

 

3.完成测试:单击SimParam，设置仪器参数;闭合仿真开关，即可得到伏安特性曲线。移动光标，可以读出管压降及其对应的电流值

 

实验如图所示



 

 

 三、举一反三

 

   利用IV分析仪测试二极管的伏安特性简单易行,而且可以推而广之,采用同样方法测出晶体三极管和各种场效应管的特性曲线。

 

  按上述步骤可测出晶体管的输出特性曲线，如图所示。值得提醒的是,测试时需对两个参数基极电流L b和管压降V ce分别进行设置。



 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.半导体二极管特性的研究

 

 

 

一、题目：研究二极管对直流量和交流量表现的不同特点。

 

二、仿真电路

 

仿真电路如图1.6.3所示。因为只有在低频小信号下二极管才能等效成-一个电阻，所以图中交流信号的频率为1 kHz、数值为10 mV(有效值)。由于交流信号很小，输出电压不失真,故可以认为直流电压表(测平均值)的读数是电阻上直流电压值。

 

 

 

三、仿真内容

 

1. 在直流电流不同时二极管管压降的变化。利用直流电压表测电阻上电压,从而得二极管管压降。

 

2.在直流电流不同时二极管交流等效电阻的变化。利用示波器测得电阻上交流电压的峰值，从而得二极管交流电压的峰值。

 

四、仿真结果

 

仿真结果如图所示。



 

 

 

 

 

 

 五、结论

 

1.比较直流电源在1 V和4 V两种情况下二极管的直流管压降可知，二极管的直流电流越大，管压降越大，直流管压降不是常量。

 

2. 比较直流电源在1 V和4 V两种情况下二极管的交流管压降可知，二极管的直流电流越大，其交流管压降越小，说明随着静态电流的增大，动态电阻将减小;两种情况下电阻的交流压降均接近输人交流电压值，说明二极管的动态电阻很小。