齐纳二极管高电流浪涌试验

一、试验目的

本实验参考标准MIL-STD-750-4METHOD 4066.6，齐纳二极管的高电流浪涌试验属于非重复性、破坏性的极限应力试验。其核心目的包括：

1. 验证芯片与内部结构的坚固性：检验二极管在承受远高于其正常工作电流的瞬间浪涌时，其半导体结、引线键合点、内部连接等能否承受由此产生的巨大电应力和热应力而不损坏。
2. 评估电压稳压特性的稳定性：确保在经历浪涌冲击后，齐纳二极管的击穿电压（VZ）未发生漂移或退化，仍能保持稳定的稳压性能。
3. 检测“电压崩溃”现象：这是齐纳二极管浪涌试验特有的失效模式。极高的电流密度可能导致硅材料局部熔化，形成低阻通路，使二极管失去稳压功能，表现为稳压电压值（VZ）永久性急剧下降。
4. 筛选与质量认定：作为可靠性筛选的一部分，剔除存在潜在缺陷、无法承受瞬时过应力（如系统中产生的电压尖峰、感应负载切换）的器件。

二、试验流程

齐纳二极管的浪涌试验通常遵循以下流程，主要对应标准中的Condition B ：

三、试验方案

试验方案需在产品的详细规范（Specification Sheet）中明确规定，通常包含以下参数：

试验参数	典型值/规定	说明
试验条件	Condition B	矩形脉冲试验
峰值浪涌电流 (IZSM)	根据器件规格书	例如：5A, 10A, 20A 等
脉冲宽度 (tp)	8.3 ms (默认)	相当于50Hz交流半波的宽度
脉冲数量 (n)	5 次 (默认)	正反方向各5次，或总计5次
占空比 (d.f)	< 0.1%	确保充分冷却，防止热积累
基线电流 (IZ)	≤ 5% 额定 IZ	浪涌前施加的微小偏置电流
监测电压 (VZSM)	必须监测	关键步骤：实时监测脉冲期间电压是否崩溃
失效判据	VZSM < VZ(min)	若电压低于最小齐纳电压，立即判废
环境温度 (TA)	25°C ±5°C	通常为室温

四、 试验步骤

1. 准备阶段：

• • 设备校准：确保浪涌电流发生器、示波器、电压表等仪器在校准有效期内。
  • 电路连接：按标准中的图4066-3搭建测试电路。齐纳二极管需按图中虚线连接（阴极接高电位）。
  • 样品安装：将DUT（被测器件）安装于测试夹具中，确保接触良好，减少引线电感。
  • 设置参数：在设备上设置IZSM（浪涌电流值）、tp（脉冲宽度）、n（脉冲次数）、脉冲间隔时间（由占空比推算）。

图4066-3 矩形电流脉冲测试装置

图 4066 - 4. 矩形电流脉冲波形。

2. 预测试：

• • 对DUT施加规定的微小基线电流IZ（如有要求）。
  • 开启示波器，设置好触发模式，准备捕获VZSM波形。

3. 执行测试：

• • 启动浪涌发生器，施加第一个矩形电流脉冲。
  • 关键操作：在脉冲持续期间（tp内），密切观察并记录示波器上的VZSM电压波形。
  • 实时判断：若脉冲期间的VZSM电压值跌落至规定的最小齐纳电压VZ(min)以下，则立即停止试验，判定该样品失效（电压崩溃）。
  • 若电压正常，等待规定的间隔时间（确保器件冷却至接近初始温度），再施加下一个脉冲。
  • 重复此过程，直到完成所有n次脉冲。

4. 试验后恢复：

• • 将所有电应力归零。
  • 将DUT从夹具中取下，并在室温环境下静置足够时间使其充分冷却。