赛前十几天选的电源类赛道，以此笔记督促自己学习与总结，希望学有所获。
目录
一、电阻
重点关注：误差、额定功率、温度系数等。
-
封装选型
贴片电阻：0603、0805、1206
晶圆电阻：0204、0207、0411、0617
（显高级）
-
分类
按形状分类：直插电阻、片状电阻、直插式排阻、功率电阻等。
按材料分类：线绕电阻、非线绕电阻。
按用途分类：通用型电阻、高压型电阻、高阻型电阻、高频无感电阻。
按引线分类：轴向引线电阻、径向引线电阻等。
注意：各类形状的电阻精度与功率有所差别。
对某种类型来说，体积越大，功率越大。
-
参数
在比赛中可能遇到的问题：
发热升温——限制最大功率
分布电感、分布电容——限制最高工作频率
制造误差——影响初始精度
材料击穿——限制最大耐压值
温度变化——影响温度稳定度
……
根据题目指标选择最优器件即可。
-
精度
常见有0.01%、0.05%、0.25%、0.5%等。
（见图）
若在设计电路中电路参数由某个电阻决定，则需要选取高精度电阻。例如，反向放大器等对于反馈系数、增益等参数完全由电阻决定的，则需要选取精度较高的电阻，其余电阻则不做高要求。
-
温度系数
温度升高/降低1℃，电阻增大/减少多少阻值。（已知电阻阻值与温度系数可求得）
单位：PPM，百万分之一。
选取原则：尽量选温度系数较小的。
-
功率
计算功率时，一定要留有余量，打个8折或6折。例如，由功率公式p等于i平方乘r得到的电阻最大电流为3.16A时，电阻流过的电流最好不超过2.5A；或者某器件要求的功率为20w时，最好选取25w~35w的器件。
二、电容
重点关注：精度、温度系数、耐压、温度范围和ESR（内阻）。
-
选型
（1）型号
电赛选NP0、C0G电容；平时就用X7R。
（2）推荐品牌
电解电容：Rubycon、Nichicon
钽电容：AVX
陶瓷电容：村田
-
精度
5%、10%、25%
-
温度系数
工作范围内，电容量随温度上升而下降；工作范围，外电容量均下降。
-
耐压
电容量随两端的电压增大而减小。
电容的耐压需比实际电压大，留有80%的余量。例如，电压最高为8V，则需选用耐压为10V以上的产品。钽电容需留有50%的余量。
-
温度范围
电解电容：105℃以下
钽电容电容和NP0电容：150℃
三、电感
重点关注： 精度、通流能力（Irms）、直流电阻（DCR）、自谐振频率（SRF）、饱和电流（Isat）
-
选型
尽量选择屏蔽电感，防止产生纹波干扰。
通常买127（12×12×7）
小电流：屏蔽电感（屏蔽磁密线）
电流特别大：磁环电感（价格低一些多民用）/铁硅铝电感
-
电容等效
并联一个电容，串联一个电阻ESR。因此寄生电容有谐振频率。
-
精度
约为±30%。
-
直流电阻（DCR）
一般绕电感的线越粗，DCR越小；线圈数越多，DCR越大。
开关电源中采用DCR比较小的电感，效率高。
-
通流能力（Irms）
在热量不损坏电感的情况下，最大允许持续流过的电流。
-
自谐振频率（SRF）
寄生电容有谐振频率，达到最大谐振频率点之后，电感阻抗下降，呈现容性。
-
饱和电流（Isat）
带磁芯的电感，随着电流增大，磁场强度不再增大，且电感量将迅速下降，此时称为饱和电流。
工作时流过的最大电流不能超过饱和电流。
四、二极管
-
选型
-
买1N5822和1N5825备用。
图源 唐老师讲电赛
-
作用
- 单向半波整流
利用二极管的单向导电性，实现半波整流。
2.单向桥式整流
利用四个二极管组成桥式电路，可将电路负电压波形变为正电压波形。但推荐用四个MOS管代替二极管，效率更高。
3.防反接（常用PMOS）
二极管常用1N4007。（1N4007三极管适合1kHz以下，肖特基可高至1.2MHz。）
以PMOS为例，若电源反接，则PMOS的单向导电性得，电路不导通。由于PMOS功耗小，多采用PMOS。
4.给电感续流
在buck电路常见。
如断开开关后，二极管给电感流过的回路续流。
-
类型
- 稳压二极管
ADC保护功能。信号调理完之后接一个稳压管，目的是保护ADC接口不会烧坏。
（图片重点在于说明二极管作用，单片机未找到合适的，故用此代替）
2.肖特基二极管
型号：1N5819、1N5822、1N5825
好用，用它，在DC-DC电路常用。
肖特基二极管
优势：普通二极管的电压压降在0.6V-1.7V之间，而肖特基二极管的电压降通常在0.15V-0.45V之间，所以肖特基二极管效率高，工作速度快，适合作为开关电源。
劣势：反向击穿电压较小，一般不大于60V。
总结：肖特基二极管具有极低的压降和高开关速度，但反向击穿电压较小。
3.快恢复二极管
型号：FR107、FR207、FR307、1V4007
由于肖特基二极管耐压不是很高，在高压中可用来代替肖特基二极管。
4.瞬态电压抑制二极管
保护电路用，常用于电路防雷击。
五、三极管
重点关注：耐压、最大电流等。
-
选型
| 型号 | 类型 | 电流（A） | 电压（V） |
| 9012 | PNP | 0.5 | 25 |
| 9013 | NPN | 0.5 | 25 |
| S8050 | NPN | 0.5 | 25 |
| S8550 | PNP | 0.5 | 25 |
| SS8050 | NPN | 1 | 25 |
| SS8550 | PNP | 1 | 25 |
| TIP41（功率较大） | |||
| TIP42（功率较大） |
-
作用
- 放大
共射极放大电路：常用。适用于电压放大与功率放大电路。输入电阻小、输出电阻大。
共集电极放大电路：适用于作功率放大和阻抗匹配电路。输入电阻大、输出电阻小。
二者中，前者为电压放大，后者为电流放大（且电压放大作用近乎0）。
通常，总是希望电路输入电阻接近无穷大（带负载能力强），输出电阻接近0（消耗小）。因此，在多级放大电路中，电压放大倍数为乘积，输入电阻等于第一级的输入电阻，输出电阻等于最后一级的输出电阻，故可以采用共集电极—共射—共射—共集电极思路搭建电路。
2.开关
如输入高电平，NPN导通；输入低电平，NPN截止。
注意，低电源控制高电源电路时，连接起开关作用的三极管的基极和发射极间接一个10k电阻（例：R2），并且与R1并联分压，保证三极管可靠关断。
图源 唐老师讲电赛
六、MOS管
重点关注：耐压、Rds（on）、GS电容、最大电流等。
-
等效
MOS管作为开关时，等效于一个开关和一个电阻。
-
作用
1.开关（多用NMOS）
NMOS：控制电平为1时，开关（饱和）导通；控制电平为0时，开关截止。
PMOS恰好相反。
| 类型 | 电平 | 状态 |
| NMOS | 1 | （饱和）导通 |
| 0 | 截止 | |
| PMOS | 1 | 截止 |
| 0 | 导通 |
（PMOS可以双向导通，比较D和S端哪一端电压较高则流向哪一端。）
2.隔离（防反接）
多用PMOS，型号Si2301、Si2343。（这个管压降更小，防反接效果更好）
-
参数
1.VDSS最大漏—源电压
栅源短接时，漏—源未发生雪崩击穿时，施加的最大电压。
2.VGS最大栅源电压
VGS=1（高电平）则通，
VGS一般<=±20V/±18V，流过MOS管的电压不能超过20V或18V。（MOS的最大电压限度）
为应对上述情况，保护NMOS，GS之间接一个18V的稳压二极管（或18V的瞬变电压抑制二极管TVS）
3.ID-连续漏电流
管表面温度在25℃或更高时，允许的最大连续直流电流。
4.VGS（th）
相当于一个导通的阀门。要求VGS>=VGS(th)。
温度T↑，则VGS(th)↓。
5.RDS（on）
选择RDS（on）小的。（正如电容需要选ESR小的）
为提高效率，还可以把两个NMOS并联起来（RGS↓），减少功耗。
6.Ciss输入电容
漏源短接，用交流信号测得栅极与源极之间的电容。Ciss越小越好。
7.Qgs，Qgd，Qg
Qg是开关损耗的原因。Qg越小越好。
损耗
（1）导通损耗——VGS有关
VGS越大，RDS越小（但VGS要小于20V）
（2）开关损耗——Qg有关
Qg小损耗小。
总结：
选NMOS时，应该选RDS和Qg较小的。
NMOS：IRF540、IRLR7843（用于智能小车比较多）
注：三极管、MOS管的参数需要打六折或八折。即经过的电压为8V，则至少需要选能承受10V电压的三极管和MOS管。
已经看视频几天了，现在才好好整理思路，回过头来看BUCK电路的设计。以上仅看视频的笔记及个人感悟，如有不妥，欢迎纠正。
以上笔记参考唐老师讲电赛——电子元器件系列合集：
https://space.bilibili.com/28143041/channel/seriesdetail?sid=583010
扫一扫
被折叠的 条评论
为什么被折叠?
到【灌水乐园】发言
