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RSS订阅原创 场效应管（MOS管）导通原理
当我们将负电压加到栅极和源极（一般源极和衬底相连，相当于加到栅极和衬底）时，N型半导体中的少数载流子（空穴）将开始积聚在栅极触点上，从而在两个P-区域之间形成导电桥。对于增强型NMOS而言，源极和漏极连接部分为N型半导体，带有多数载流子自由电子和少数载流子空穴，自由电子经扩散运动离开N型半导体，进入P型半导体，此时半导体带正电。如果我们将正电压 (VGS ) 施加到栅极端子，由于静电引力，P衬底中的少数电荷载流子（电子）将开始积聚在栅极触点上，从而在两个 n+ 区域之间形成导电桥。
2024-08-23 20:22:48
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原创 STM32F103C8T6标准库修改内部时钟以及去除32最小系统板上的8MHZ和32.768KHZ外部晶振
这几天在公司做项目，用到了C8T6作为主控，最开始写的代码是基于外部8MHZ晶振作为时钟源，后面和客户沟通不打算外接晶振使用内部时钟作为HSI作为时钟源，因此需要修改启动文件上的SystemInit函数，最终成功配置为64MHZ（内部时钟最高只能64），也是参考别的大佬写的，只是记录学习，有侵权联系删除。这样就可以省了两个晶振（8MHZ以及32.768KHZ),8MHZ是供给系统时钟源的，32.768是供给实时时钟RTC的，由于本项目用不到，所以就不用外接。改完时钟后跑之前的72MHZ项目代码 没有问题。
2024-08-23 11:24:17
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空空如也
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