场效应管（MOS管）导通原理

PMOS管和NMOS管结构图，两者在符号上的差异在于中间的箭头与体二极管的方向不同

P——栅级 S——源级，D——漏极

栅级往下为PMOS管 栅级往上为NMOS管

NMOS管 高电平导通 低电平阻塞

PMOS管 低电平导通 高电平阻塞

N型半导体

N 型半导体也称为电子型半导体。N型半导体是自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

P型半导体

P型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。 掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高。

MOS管的工作原理

对于增强型NMOS而言，源极和漏极连接部分为N型半导体，带有多数载流子自由电子和少数载流子空穴，自由电子经扩散运动离开N型半导体，进入P型半导体，此时半导体带正电。栅极连接一块金属，金属带有很多自由电子，下方是一块绝缘体（二氧化硅），故MOS称为绝缘栅型场效应管。衬底连接一块P型半导体，带有多数载流子空穴和少数载流子自由电子。

当漏源电压（VDS）连接在漏极和源极之间时，正电压施加到漏极，负电压施加到源极。在这里，漏极的 PN 结是反向偏置的，而源极的 PN 结是正向偏置的。在这个阶段，漏极和源极之间不会有任何电流流动。

如果我们将正电压 (VGS ) 施加到栅极端子，由于静电引力，P衬底中的少数电荷载流子（电子）将开始积聚在栅极触点上，从而在两个 n+ 区域之间形成导电桥。NMOS符号中的箭头指向即此处的自由电子流向。由于N型半导体中多数载流子为自由电子，故由自由电子形成的导电沟道称为N沟道。

在栅极接触处积累的自由电子的数量取决于施加的正电压的强度。施加的电压越高，由于电子积累而形成的 n 沟道宽度越大，这最终会增加电导率，并且漏极电流 (ID ) 将开始在源极和漏极之间流动。

当没有电压施加到栅极端子时，除了由于少数电荷载流子而产生的少量电流外，不会有任何电流流动。mos管开始导通的最小电压称为阈值电压。

PMOS的原理和NMOS十分相近。不同之处在于半导体放置和导电载流子。其源极和漏极连接部分为P型半导体，衬底连接一块N型半导体。当我们将负电压加到栅极和源极（一般源极和衬底相连，相当于加到栅极和衬底）时，N型半导体中的少数载流子（空穴）将开始积聚在栅极触点上，从而在两个P-区域之间形成导电桥。PMOS符号中的箭头指向即此处的自由电子流向。由于P型半导体中多数载流子为空穴，故由空穴形成的导电沟道称为N沟道。