模电——MOSFET

于 2024-05-10 17:11:48 发布
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绝缘栅型场效应管MOSFET

N沟道增强型 多子是自由电子

结构：g栅极        s源极        d漏极

  1. Vgs=0 没有导电沟道
  2. Vgs>Vth能导电了，有可变电阻区域和恒流区，可变电阻区，Id由Vgs和Vds同时决定，Vds足够大时，Id只与Vgs有关

Vgs越大，n沟道开度越大，相当于电阻越小

耗尽型->不需要开启电压，直接就有沟道，所以增强型的MOS管沟道是虚线，因为需要开启电压。

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