【模电笔记】3.场效应管及其基本放大电路

最新推荐文章于 2024-06-05 12:40:50 发布

若oo尘

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分类专栏：模拟电子技术基础文章标签：模电

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（8）场效应管基本放大电路的总结与和双极性晶体管的比较

一、前言

1.事先声明

以下参考哈工大模电教材，以下“教材”均指哈工大的教材
红色表示重要的地方；橙色表示次重要的地方；棕色表示重要的概念名称。

2.学习感悟

1.场效应管的种类多，比前面的双极性晶体管（NPN和PNP）种类要多，但是它们是相通的，特性有时往往差了“负号”。要多去理解与记忆。

2.依旧需要明白场效应管自身材料特性、工作特点及曲线。有同学会想，明白场效应管原理有啥用？我记住它们的工作状态就行了。我并不这么认为，明白并记住原理，就能够辅助记忆管子的各种特性，尤其是在这么多种类型的情况下。
3.建议自己推一遍基本放大电路的两种分析（静态分析和动态分析）、三种指标（电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。考察电路分析能力，考试肯定会考的。
4.在画微变等效电路的时候一定一定要把交流电压源与输入电阻画上！虽然有时候结论是正确的，但是在一些情形中就错了！我当是没注意细节，在文中纠错了。一定要养成好习惯。

二、正文

1.场效应管简介

（1）场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型器件；场效应管几乎依靠半导体中的一种载流子导电，故又称为单极性晶体管。

（2）场效应管按结构分为结型场效应管JFET、绝缘栅型场效应管IGFET；按参与导电的载流子，可分为P沟道场效应管和N沟道场效应管。

（3）它有个与三极管显著不同的特点是：栅极为绝缘层，通过其电流为0，输入电阻特别大。

（4）看图可发现，场效应管是对称的。源极和漏极一般可以调换来用。

2.绝缘栅场效应管

有增强型和耗尽型两种，而每种又分N沟道和P沟道。

以下是我推荐的视频。

很直观的解释视频，可以先看这个

（1）N沟道增强型MOSFET

①结构

P型衬底为低掺杂P型半导体，其上有两个高掺杂N+区；
分别有三个电极，栅极g，源极s，漏极d，类似于三极管的基极b，发射极e，集电极c；
栅极和衬底相当于电容的两个极板，若加电压，会产生电场，对电子的移动有影响；
栅极绝缘，故栅极电流几乎为0，栅源电阻 ${\color{Red} R_{GS}}$ 很高；

②工作原理

a.栅极电压 $U_{GS}$ 对漏极电流 $I_{D}$ 的控制作用

$U_{GS}=0V$ 时，管子相当于两个PN结，无导电沟道。即使加漏源电压也不会产生电流。
$U_{DS}=0,U_{GS}>0$ 时：可以看出会产生一个电场，这个电场使少子电子向上方移动，使多子空穴向下方移动（被排斥），会出现一部分的自由电子与空穴复合的现象，然后原先位置就会形成一薄层负离子的耗尽层（还记得耗尽层吗？就是前面PN结讲的空间电荷区，只有离子而无空穴与自由电子）。而那些未被复合的自由电子跑到了栅极下方。
当栅源电压不断增大时，自由电子会不断增多，到一定程度时（此时这个电压称为开启电压 $U_{GS(th)$ ），耗尽层上方有足够的空间通过自由电子了，将漏极和源极沟通，产生能够导电通道，称为沟道。
此时加漏源电压即可产生漏极电流。
把这种称为增强型MOS管

b.栅源电压 $U_{DS}$ 对漏极电流 $I_{D}$ 的影响（要求栅源电压大于开启电压）

先说明：在未加 $U_{DS}$ 前， $U_{GS}=U_{GD}$ 。
加 $U_{DS}$ 后， $U_{GD}=U_{GS}-U_{DS}<U_{GS}$ 。漏极电位高于P型衬底的电位，那么可以看做是PN结反偏了，而PN结反偏会怎么样？会使耗尽层变宽！
而耗尽层变宽会阻碍自由电子的移动。此时，N沟道呈电阻特性，当 $u_{GS}$ 不变时， ${\color{Red} I_{D}}$ 随 ${\color{Red}U_{DS} }$ 增加而增加，等效为一个恒定电阻；若此时 $u_{GS}$ 改变，那么这个等效电阻会改变。此时这个状态称为可变电阻区。
当 $U_{DS}$ 增加到某一个电压时，耗尽层太宽了，几乎要把自由电子的通道挤没了（但是自由电子还是能克服这个阻力移动），这个状态称为预夹断，这个电压 $U_{GD}=U_{GS(th)}$ （因为前面的栅源电压刚到达开启电压时会产生沟道，而加了栅漏电压后，到达开启电压则会刚好关断）。
这个状态的特点是：并不是不存在电流了，而是 $U_{DS}$ 增加的部分几乎全部用于克服夹断区对漏极电流的阻力，即用于克服不断增加的沟道电阻。此时 $I_{D}$ 不再随 $U_{DS}$ 增加而增加，为恒流区， $I_{D}$ 几乎仅由 $U_{GS}$ 决定
这个区域是我们用的最多的区域——恒流区，若要在这个区域工作，那么要求 $U_{GD}$ 小于开启电压

③特性曲线

根据以上分析，作出输出特性曲线与转移特性曲线。

转移特性曲线是指：当漏源电压一定并处于恒流区时，栅源电压对漏极电流的影响。

转移特性曲线可用如下表达式描述：

i_{D}=I_{DO}(\frac{u_{GS}}{U_{GS(th)}}-1)^{2} — **必背，考试要用**

其中 $I_{DO}$ 是 $u_{GS}=2U_{GS(th)}$ 时对应的 $i_{D}$

（2）N沟道耗尽型MOSFET

①结构

与增强型MOSFET最大区别就是栅极下方的二氧化硅绝缘层中加入适量的金属正离子，即使没有栅源电压，也会在栅极和衬底间形成电场，产生导电沟道。只要给漏源电压就会产生漏极电流。

即：使用材料本身产生的金属正离子，因此称耗尽型

②工作原理

与增强型基本一致，甚至更简单了。

③特性曲线

其转移特性曲线可用以下表达式描述：

$i_{D}=I_{DSS}(\frac{u_{GS}}{U_{GS(off)}}-1)^{2}$

$U_{GS(off)}$ 是当漏极电流为0时的夹断电压， $I_{DSS}$ 是栅源电压为0时的电流

3.结型场效应管

这个原理理解起来比绝缘栅型场效应管要简单。

（1）结构

以N沟道结型场效应管为例。一块N型半导体在两侧掺杂高浓度的P区。
仍然是对称结构，源极和漏极可以调换使用。
栅极电阻仍特别大，栅极电流近似为0。

（2）工作原理

N沟道结型场效应管工作时，要让栅极和源极直接的PN结反偏，要加反偏电压 $u_{GS}$ 与漏源电压 $u_{DS}$

①栅源电压 $u_{GS}$ 对漏极电流 $i_{D}$ 的作用

漏源不加电压，而加栅源电压（ $u_{GS}<0$ ）时，由于PN结反偏，则耗尽层会变宽，向中间靠拢，则中间的N沟道变窄，栅源电压绝对值越大，则N沟道越窄。表现为电阻特性，即：栅源电压绝对值越大，则沟道电阻越大。当栅源电压绝对值大到一定程度，使得沟道被夹断时，这个电压称为夹断电压 $U_{GS(off)}$

②漏源电压 $u_{DS}$ 对漏极电流 $i_{D}$ 的影响

当栅源电压处于反偏与夹断中间时： $u_{DS}$ 从0开始增加。首先可以很容易地看出会产生漏极电流，自由电子能够在沟道处移动；此外，栅漏电压 $u_{GD}=u_{GS}-u_{DS}$ 的绝对值随之减小。记住， $u_{GS}$ 是个负数， $u_{DS}$ 是个正数， $u_{DS}$ 增大，那么 $u_{GD}$ 更“负”了，那么，PN结反偏更严重，则耗尽层更宽，显现为楔形的样子（即下图所示）。现在处于可变电阻区，漏极电流随漏源电压增大而增大。
当 $u_{GD}=U_{GS(off)}$ ，中间的N沟道出现夹断点，此时称为预夹断。此时漏源电压再增大，增大的电压基本用于抵消不断增大的沟道电阻，此时，漏极电流基本不变，工作状态处于恒流区。