MOS管结构

1 MOS管的基本结构

1.1 MOS管两两之间都有都是绝缘状态，所以两两之间就是一个电容（寄生电容）

1.2 MOS管的衬底和源极是短路在一起的

2 P-MOS基本结构

2.1 P-MOS管是P沟道

2.2 从漏极指向源极

 

3  MOS管的导通条件（小于饱和导通压降）低功耗产品

3.1 MOS管的开关电路设计方法

3.1.1 三极管有IB电流才有IC电流（电流型）

3.1.2 MOS管是电压控制电流型（ N-MOS）

 

3.1.3  MOS管是电压控制电流型（ P-MOS）

3.2 MOS管寄生电容的问题 

3.2.1 需要加下拉电阻，给寄生电容更快的放电，t=RC，电容小，所以充放电还是很快

4 MOS管的寄生二极管的影响（会导致电流倒灌后反灌）

 4.1 N-MOS管（体二极管从源极指向漏极）Vgs > Vth

4.2 P-MOS管（从漏极指向源极） Vgs < Vth

4.3 MOS管体二极管导致的影响

4.3.1 导通Q1

 4.3.2 打开S2

4.3.3 改善，电阻加在GS之间

4.3.4 加多一个MOS管，注意GS之间要加电阻

 

 4.3.5 为什么要GS要加电阻(误开)

5 Nmos管做电源开关时的注意事项

5.1 最简单办法

 

5.2 自举电容

5.2.1 电池就是一个电容

 

 

6 Nmos管做电源开关时的注意事项 

6.1 P管解决N-mos管S级浮空的方式（频率高，电流大都是用n-mos管做电源开关）

7  Pmos防反接电路的工作原理（P-MOS防反接）

 

8 mos管DS之间的电流可以双向导通（模拟开关芯片都是运用这个）

8.1 这里不起到开关作用

8.2 在加一个MOS管就行

 

8.3 两个MOS管可以抵消体二极管影响（不会误导通）

 9 MOS管的导通电流与Vgs的关系(不是一个理想开关)

 10 MOS管的耐压(理想的开关断开可以承受无穷大的电压)

10.1 MOS管的耐压都有限的

10.2 DS的耐压比较大，GS的耐压低