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原创 gmid设计实例1翻(来自《Systematic Design of Analog CMOS Circuits》)
假设 L = 60 nm,gm/ID = 15 S/A(中等反转),VDS = 0.6 V 和 VSB = 0 V(默认值)。我们模拟该电路并首先检查直流工作点输出: VGS = 468.119 mV, VDS = 600.468 mV, ID = 419.004 µA, gm = 6.28284 mS, gds = 612.939 µS。由于在给定的 L、VDS 和 VSB 下,跨导效率和电流密度之间存在一一对应的映射关系(见第2.3.1节),我们可以使用技术的查找表数据来找到 JD,从而完成尺寸设计。
2024-07-11 15:34:42
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原创 gmid设计方法
我们将从模拟电路设计的一个非常广泛的概述开始,看看我们试图解决的问题是什么,以及它在过去是如何解决的。在本文的上下文中,它是一个网表。当然,在现实世界中,电路必须被制造出来,设计师必须注意仿真本身的局限性,以及它与实际测量性能的一致性如何,但这些问题超出了我们这里的范围。该文章为《A Basic Introduction to the gm/ID-Based Design Methodology》的翻译(由于本人英语不好),gpt翻译的挺好的,故记录在此,这篇文章讲的gmid方法较通俗易懂,值得一看。
2024-07-08 17:38:40
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原创 带隙基准原理笔记
B站原视频【带隙基准电路】 https://www.bilibili.com/video/BV1aV411A7bw/?本文是对带隙基准的学习笔记的记录,配套视频在上面,老师讲的很好,强烈推荐,笔记中也有一些个人理解。
2024-03-16 16:51:12
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空空如也
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