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RSS订阅原创 gmid设计实例1翻（来自《Systematic Design of Analog CMOS Circuits》）
假设 L = 60 nm，gm/ID = 15 S/A（中等反转），VDS = 0.6 V 和 VSB = 0 V（默认值）。我们模拟该电路并首先检查直流工作点输出： VGS = 468.119 mV， VDS = 600.468 mV， ID = 419.004 µA， gm = 6.28284 mS， gds = 612.939 µS。由于在给定的 L、VDS 和 VSB 下，跨导效率和电流密度之间存在一一对应的映射关系（见第2.3.1节），我们可以使用技术的查找表数据来找到 JD，从而完成尺寸设计。
2024-07-11 15:34:42
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原创 gmid设计方法
我们将从模拟电路设计的一个非常广泛的概述开始，看看我们试图解决的问题是什么，以及它在过去是如何解决的。在本文的上下文中，它是一个网表。当然，在现实世界中，电路必须被制造出来，设计师必须注意仿真本身的局限性，以及它与实际测量性能的一致性如何，但这些问题超出了我们这里的范围。该文章为《A Basic Introduction to the gm/ID-Based Design Methodology》的翻译（由于本人英语不好），gpt翻译的挺好的，故记录在此，这篇文章讲的gmid方法较通俗易懂，值得一看。
2024-07-08 17:38:40
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原创 带隙基准原理笔记
B站原视频【带隙基准电路】 https://www.bilibili.com/video/BV1aV411A7bw/?本文是对带隙基准的学习笔记的记录，配套视频在上面，老师讲的很好，强烈推荐，笔记中也有一些个人理解。
2024-03-16 16:51:12
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空空如也
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