VASP计算:“WARNING in EDDRMM: call to ZHEGV failed, returncode = 6 3 9“

problem:

Solution:

This issue is addressed in the VASP support forum (http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp-forum/forum_viewtopic.php?3.214)

Short summary is given here. Possible reasons (this may, once again, be connected to failures calling LAPACK routines):

1) The diagonalization algorithm is not stable for your system

-> Change ALGO = Normal or ALGO = Fast in your INCAR file

2) Your geometry is not reasonable. Maybe your initial structure or the algorithm handling ion relaxation is giving a bad structure

-> Switch to a different ion relaxation scheme (IBRION line in your INCAR)

-> Reduce the step size of the first step by reducing the POTIM value in your INCAR

3) Problem with your LAPACK installation

-> Use the LAPACK routines that came with the VASP library tar-file (vasp.4.lib)

4) If the error does not go away even if you already did the thing described in part 1 (ALGO change), then there may be a problem with LAPACK.

-> Disable the calls to ZHEGV subroutine. This can be done by commenting the line

# define USE_ZHEEVX

in subroutines davidson.F, subrot.F and wavpre_noio.F.

-> Recompile VASP after you changed the subroutines

ZZ http://blog.163.com/​​​​​​wangle_xq/blog/static/1302592200961033436254/

论坛回复:这个跟磁矩有些关系,但是,并行问题也得注意,,,加上ADDGRID= .TRUE. 注释掉并行参数(用#注释掉NPAR,KPAR参数,如果有NCORE参数,尝试将NCORE修改为4或者直接注释掉),设置ALGO=Fast,基本上阔以。

尝试:

1、更改了ALGO=F,又出现了新的问题:

the old and the new charge density differ
 old charge density:   648.02230 new  647.99991
 

网上搜索了这个问题。建议如下:

①. 关闭系统的对称性,即设ISYM=0。

②. 增强k网格密度。

③. 重新编译VASP,并把参数O2 和 O3设置为O1.

④. 设置ADDGRID = TRUE

2、后来我放弃了这个结构优化。在其他计算中也出现过这样错误,不过没有管它,也可以完成最后的结构优化。

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VASP计算Al2O3表面吸附是通过第一性原理计算方法来模拟吸附分子与Al2O3表面相互作用的过程。在这个过程中,我们需要进行以下步骤: 1. 准备Al2O3表面模型:首先,我们需要构建Al2O3表面模型。由于Al2O3是由Al和O原子组成的,我们需要根据需要的表面来选择合适的Al2O3晶胞。常用的Al2O3晶胞结构有α-Al2O3、γ-Al2O3等。在构建表面模型时,我们通常选择合适的晶胞尺寸和周期性边界条件,以确保模型的可重复性。 2. 优化Al2O3表面结构:接下来,我们需要对Al2O3表面结构进行几何优化。通过使用VASP提供的几何优化算法,我们可以确定Al2O3表面原子的最稳定位置。在几何优化过程中,可以采用各种方式来约束原子的运动范围,以更准确地模拟实际吸附情况。 3. 吸附分子准备:为了模拟吸附过程,我们还需要准备吸附分子。根据具体问题的需要,我们可以选择合适的吸附分子和其初始位置。吸附分子可以是气体分子、溶质分子或其他需要研究的分子。通常,我们需要进行几何优化来确定吸附分子的最稳定位置和结构。 4. 吸附计算:在得到Al2O3表面优化结构和吸附分子的几何结构之后,我们可以开始进行吸附计算。通过运行VASP计算,我们可以得到吸附分子与Al2O3表面的吸附能、吸附位置以及吸附能随温度、压力等条件的变化情况。 通过VASP计算Al2O3表面吸附,我们可以获得吸附分子在Al2O3表面的吸附行为和吸附能,进而了解吸附过程中的相互作用机制和重要因素。这有助于我们对表面吸附过程进行理解和控制,为材料的表面改性、催化等应用提供有价值的信息和指导。
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