VASP出错 PZSTEIN parameter number 4 had an illegal value

    

 在slab优化到第三个电子步后 ,出现PZSTEIN parameter number    4 had an illegal value 的错误。

1、可能是AXIN BXIN等电荷密度相关参数的影响,设置此类参数后,还是出错。

2、可能是POSCAR结构问题,查看CONTCAR,结构变化很大。

POSCAR是将优化过的bulk在MS中作切面,真空,扩胞后经vesta转化成的POSCAR,固定部分原子,进行的计算…

请问各位前辈,INCAR中哪些参数有影响,可以改正呢???

 

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