传输门作为开关的内阻

最新推荐文章于 2024-09-10 10:28:06 发布
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传输门作为开关的内阻

传输门作为开关功能

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AC测试内阻

输入与输出之间加一个电压源(DC=vin)和一个电流源（AC=1）
ac: sweep vin from 0 to 5
Ron：VF(“/OUT”)/IF（“/输出端电流”）
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DC测试内阻

输入端抬一个电压（vdc）
输入与输出之间加一个电压源（1mV）
dc: sweep vin from 0 to 5
Ron：1m/IDC（“/输入端电流”）
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冰箱里的长颈鹿
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CMOS传输门
wwy1231的博客
09-19 1万+
将MOS管的源极和衬底之间的连线断开，这样MOS管的源极和漏极就能互换使用，利用PMOS管和NMOS管的互补特性，将这俩个异性MOS管对称排列起来，PMOS管的衬底接入高电平，NMOS管的衬底接入0V压降，将俩个MOS管的栅极作为控制端，分别接入一对互为反相的控制信号C与C非，这样通过控制栅极与衬底之间的电位差，就可以控制导电沟道的阻值。将俩个MOS管的源极直接相连做为输入端子，漏极连接在一起做为输出端子，由于这种MOS管的漏极和源极完全可以互换使用，因而这种电路的输入端与输出端也可以互换，
cmos逻辑门传输延迟时间_电路基础：详解TTL和CMOS电平
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数电004_门电路
Love_foever的博客
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数字电路（3）门电路（二）
记得诚
12-31 1万+
主要总结CMOS反相器相关知识点。
3.3 CMOS门电路
tang7mj的博客
05-23 1121
在CMOS集成电路中，以金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOS管）作为开关器件。图3.3.1所示是MOS管的结构示意图和符号。在P型半导体衬底（图中用B标示）上，制作两个高掺杂浓度的N型区，形成MOS管的源极S（Source）和漏极D（Drain）。第三个电极称为栅极G（Gate），通常用金属铝或多晶硅制作。栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔开，绝缘层的厚度极薄，在0.1微米以内。图3.3.1 MOS管的
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lxtqyh的博客
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门电路介绍
Jackiezhang1993的博客
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电源本身的输出阻抗、传输线电阻、接触电阻以及电路板上的焊盘、滤波器、开关等都会构成电源内阻，严重影响系统效率。计算电源效率相当直观，只需用输入到调节器的功率除以电源的输出功率，再乘以100%。同样，DC-DC...
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本次面试针对物联网云平台开发工程师岗位，涵盖了自我介绍、项目难点解决、技术细节如Redis分布式锁、设备控制率、MQTT鉴权流程、APP连接MQTT、权限控制等多个方面。强调了高并发、高可用设计及云服务权限管理的重要性，并讨论了内存泄漏、数据库死锁等技术问题。
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MATLAB_SIMULINK中的病毒传播模拟器.rar
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1.版本：matlab2014/2019a/2024a 2.附赠案例数据可直接运行matlab程序。 3.代码特点：参数化编程、参数可方便更改、代码编程思路清晰、注释明细。 4.适用对象：计算机，电子信息工程、数学等专业的大学生课程设计、期末大作业和毕业设计。
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