1.下列说法中，正确的是（）
I.半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆
II.动态RAM是易失性RAM，而静态RAM中存储信息是不易失的
III.半导体RAM是易失性的RAM，但只要电源不断电，所存信息是不丢失的
IV.半导体RAM是非易失性RAM
A.I,II
B.只有III
C.II,IV
D.全错
I.错
RAM分静态RAM和动态RAM
静态RAM是用触发器工作原理存储信息的，因此，即使信息读出后，它仍保持其原状态，不需要再生。但电源断电时，原存信息丢失，故它属于易失性半导体存储器。（书P76）
常见的动态RAM基本单元电路有三管式和单管式两种，它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信息。
II错
3.下列存储器中，在工作期间需要周期性刷新的是（）。
A.SRAM
B.SDRAM
C.ROM
D.FLASH
B
静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
https://baike.baidu.com/item/SRAM/7705927
SDRAM之所以成为DRAM就是因为它要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据，因为刷新（Refresh）是DRAM最重要的操作。
https://baike.baidu.com/item/SDRAM?fromModule=lemma_search-box
ROM是一种非易失性存储器，存储在其中的数据不会因断电而丢失，因此不需要刷新。ROM的存储单元是由晶体管和压敏电阻器（fuse）组成的，其中压敏电阻器的状态可以被永久地改变，这样存储在其中的数据也会被永久地保留下来。
https://juejin.cn/s/ram%E5%92%8Crom%E9%83%BD%E9%9C%80%E8%A6%81%E5%88%B7%E6%96%B0%E5%90%97F
D持保留意见，我搜到的有些是需要，也有不需要😑
4.根据存储内容来进行存取的存储器被称为（）
A.双端口存储器
B.相联存储器
C.交叉存储器
D.串行存储器
B
B在书P152
A.双端口存储器（Dual-Port Memory）是一种具有两个独立读写接口的存储设备。它可以同时支持两个不同的访问者进行并行读写操作，使得多个设备可以同时访问存储器而无需等待。双端口存储器被广泛应用于需要高速数据传输和共享存储的系统中。
https://www.eefocus.com/baike/1571942.html
C.交叉存储器
由若干个独立的存储模块通过交叉编址构成的存储器。有高位交叉存储器和低位交叉存储器两种，前者主要用来扩大存储容量，后者除了扩大存储容量之外，还可以提高速度
D.串行存储器
6.连续两次启动同一个存储器所需的最小时间间隔称为（）
A.存储周期
B.存取时间
C.存储时间
D.访问周期
A
A.bing一下，大字就出来😜
好，正经一下
读写周期，也可以存储周期，是指对存储器进行连续两次存取操作所需要的最小时间间隔 。由于有些存储器在一次存取操作后需要一定的恢复时间，所以通常存取周期大于或等于取数时间。读写周期一般与存储器的类型有关，在一定程度上体现存储器的速度。
读写周期是指对存储器进行连续两次存取操作所需要的最小时间间隔。读写周期长短一般与命中率有关。在计算机中，有很多应用都与读写周期有关，例如，动态随机存取存储器只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次。动态随机存取存储器的刷新方式就与读写周期有关。
存取周期的定义
存储器进行一次“读”或“写”操作所需的时间称为存储器的访问时间（或读写时间），而连续启动两次独立的“读”或“写”操作（如连续的两次“读”操作）所需的最短时间，称为存取周期（或存储周期）
读写周期的定义
读写周期，也可以存储周期，是指对存储器进行连续两次存取操作所需要的最小时间间隔。
https://www.cnblogs.com/linkzijun/p/7658037.html
连续是指时间是不跳跃
（题外话：概念怎么这么绕🙃）
B.存取时间
指的是CPU读或写内存内数据的过程时间
C.存储时间通常指的是数据被存储到存储介质中所需的时间
存取时间
存储时间
存取时间是单次操作的时间，而存取周期是连续两次独立访问的时间
存取周期通常大于或等于存取时间（无论看到多少次，我还是会忘记😤）
7.在对破坏性读出的存储器进行读/写操作时，为维持原存信息不变，必须辅以的操作是（）
A.刷新
B.延迟读
C.写保护
D.主存检验
A
主存检验是指在计算机系统中，对主存储器（主存）进行错误检测和校正的过程。
8.某计算机的存储器系统由Cache-主存系统构成，Cache的存取周期为10ns，主存的存取周期为50ns。在CPU执行一段程序时，Cache完成存取的次数是4800次，主存完成存取的次数是200次，该Cache-主存系统的效率为（）
A.0.833
B.0.856
C.0958
D.0.862
D
看书P110
设访问Cache的时间为t
则主存为5t
cache-主存系统的访问效率为e
e = （访问cachet / 平均访问时间）*100%
9.某SRAM芯片，其容量为512*8位，除电源和接地端外，该芯片引出线的最小数目应该是（）
A.23
B.25
C.50
D.19
D
512 = 2 ^9，然后9+8+2
10. 某机器的主存储器共32KB，由16片16K*1位（内部采用128*128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）存储周期
A.128
B.256
C.1024
D.163824
A
CPU读/写数据是需要时间的，读/写一次所耗费的时间叫做存取周期（存储周期）
某一行充一次电*刷新一次的时间，也等于一个存取周期（存储周期）
存储周期是指计算机系统中每次访问存储器的时间，也就是每次从存储器读取或写入数据的时间。它是一个重要的概念，因为它决定了存储器能够提供多少信息，以及存储器能够有效的提供多少信息。存储周期的长短取决于存储器的类型，以及存储器的访问方式。
存储周期的计算：
只需要计算出每次存储器访问所花费的时间，然后除以总的访问次数即可。比如，如果一个存储器的每次访问时间为2ns，总访问次数为1000次，那么存储周期就是2ns/1000次，即w微秒。
刷新间隔：所有存储单元都刷新一遍所需要的时间，也是两次所有存储单元开始刷新之间间隔的时间。
刷新周期：为保持存储器内容而对其全部存储单元电路进行刷新的最大间隔时间
存储单元：可存储一个二进制数位的双稳态元件，是存储器的最小存储和读写单元。
存储阵列：一种把若干存储器按照一定要求组成一个整体并由阵列控制器管理的系统。
集中刷新是一种传统的刷新方式，其基本原理是在一段时间内对整个DRAM进行集中刷新。具体来说，集中刷新会在一个特定的时间段内，逐行对DRAM进行刷新。这种刷新方式的特点是操作简单，易于实现。然而，由于需要在一段时间内暂停所有其他操作，因此会对系统性能产生一定的影响。
集中刷新：指在一个刷新周期内，利用一段固定的时间，依次对存储器的所有行进行逐一再生，在此期间停止对存储器的读写操作，称为“死时间”，又称访存“死区”。
集中刷新的优点是读写操作时不受刷新工作的影响，因此系统的存取速度较高；缺点是在集中刷新期间（死区）不能访问存储器。
https://zhuanlan.zhihu.com/p/388276673
百度题库：通常对DRAM的，每一行进行读出，就可完成对整个RAM的刷新。从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器 全部刷新一遍为止，这一段时间间隔称为再生周期，又叫刷新周期。16K*1位的DRAM芯片内部采用128*128存储阵列，按照行刷新，需要占用128个存储周期。
https://easylearn.baidu.com/edu-page/tiangong/questiondetail?id=1722725943257064248
动态存储器DRAM的刷新原则是：各DRAM芯片同时刷新，片内逐行刷新。因此只要指导DRAM芯片有多少行，就知道刷新一遍需要多少个存储周期。
https://blog.nowcoder.net/n/f561037f75c14485baa2bbb3bd2734ee
11.若单译码方式的地址输入线为6，则译码出现有（）根，那么双译码方式输出线有（）根
A.64,16
B.64,32
C.32,16
D.16,64
A
单译码：n位地址，寻址2^n个存储单元，2^n根译码线
双译码：n位地址，寻址2*2^(n/2)个存储单元，2^n根译码线
12.某机器字长32位，存储容量为64MB.若按字编址，它的寻址范围是（）
A.8M
B.16MB
C.16M
D. 8M
C
有个点很重要：寻址范围用M，无单位
好，先到这，有错请指出，谢谢你的阅读😗
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