SRAM和DRAM的联系与区别

SRAM的定义

 

SRAM（静态随机存取存储器）由CMOS 技术组成，使用六个晶体管。它的结构由两个交叉耦合的反相器组成，用于存储数据（二进制），类似于触发器和额外的两个晶体管用于访问控制。它比 DRAM 等其他 RAM 类型相对更快。它消耗更少的电力。SRAM只要通电就可以保存数据。

 

 

 

DRAM的定义

 

DRAM（动态随机存取存储器）也是一种使用电容器和少量晶体管构成的 RAM。电容器用于存储数据，其中位值 1 表示电容器已充电，位值 0 表示电容器已放电。电容器容易放电，导致电荷泄漏。

 

 

 

动态项表示即使在持续供电的情况下，电荷也会不断泄漏，这就是它消耗更多电力的原因。要长时间保留数据，需要反复刷新，这需要额外的刷新电路。由于泄漏电荷，即使打开电源，DRAM 也会丢失数据。DRAM 具有更高的容量并且更便宜。对于单个内存块，它只需要一个晶体管。

SRAM 和 DRAM 之间的主要区别

 

SRAM是访问时间短的片上存储器，DRAM是访问时间长的片外存储器。因此 SRAM 比 DRAM 快。

 

DRAM 的存储容量更大，而 SRAM 的尺寸更小。

 

SRAM很贵，而 DRAM 很便宜。

 

高速缓冲存储器是SRAM的一种应用。相反，DRAM用于主存储器。

DRAM 的功耗比 SRAM 高。

RAM 的工作原理是改变通过开关的电流方向，而 DRAM 的工作原理是保持电荷。