光电式传感器杂记

本文主要说明

• 光电效应原理
• 光的相关单位
• 光电管
• 光敏电阻 
• 光敏二极管
• 光敏三极管
• 光电池

• 外光电效应
• 
• 内光电效应
•         光电导效应
• 
•         光电福特效应

光的单位：

光通量：

光强度

光照度

       Q是辐射能，它就是光波的能量 单位是焦耳（J）,光通量：辐射能对时间求导，它描述的是光的强度

      光强度：就是光通量对立体角求导 ，描述的是点光源在空间分布情况

       

 光投射到在单位面积上的功率就是光照度

（材料对不同波长的光有不同的灵敏度）

相对光谱灵敏度

 

（人眼的相对光谱灵敏度）

外光电：

• 在光线照射下，使电子从物体表面逸出的现象称为外光电效应。根据外光电效应制成的光电器件有光电管、光电倍增管等。

• 外光电效应可用爱因斯坦光电方程来描述

                      1/2mv2=hf-W                          

• 式中， v 是电子逸出物体表面时的初速度； m 是电子质量； W 是金属材料的逸出功（金属表面对电子的束缚）。

内光电效应：

• 在光线照射下，使物体的电阻率发生改变的现象称为内光电效应，也称为光电导效应。根据内光电效应制成的光电器件有光敏电阻、光敏二极管与光敏三极管等。

•在光线照射下，使物体产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应，简称光伏效应。 

 

test

 势垒效应（结光电效应） 接触的半导体和PN结中，当光线照射其接触区域时，便引起光电动势，这就是结光电效应。以PN结为例，光线照射PN结时，设光子能量大于禁带宽度Eg，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，被光激发的电子移向N区外侧，被光激发的空穴移向P区外侧，从而使P区带正电，N区带负电，形成光电动势。

光电管

•光电管是一种光敏元件，当它受到辐射后，能够从阴极释放出电子。光电管种类很多，它是个装有光阴极和阳极的真空玻璃管，结构如图8-1所示。

• 光电管分为真空光电管和充气光电管两种。真空光电管（又称电子光电管）由封装于真空管内的光电阴极和阳极构成。当入射光线穿过光窗照到光阴极上时，由于外光电效应，光电子就从极层内发射至真空。

• 充气光电管（又称离子光电管）由封装于充气管内的光阴极和阳极构成。它不同于真空光电管的是，光电子在电场作用下向阳极运动时与管中气体原子碰撞而发生电离现象。

光电倍增管 

• 光电倍增管是可将微弱光信号通过光电效应转变成电信号并利用二次发射电极转为电子倍增的电真空器件。它利用二次电子发射使逸出的光电子倍增，获得远高于光电管的灵敏度，能测量微弱的光信号。

光电倍增管的结构和工作原理

•（1）光电倍增管的结构 光电倍增管由光电阴极、倍增极、阳极、真空玻璃管等组成。光电倍增管的结构如图8-6所示. 

•（2）光电倍增管的工作原理 光电倍增管阴极室的结构与光阴极的尺寸和形状有关,它的作用是把阴极在光照下由外光电效应产生的电子聚焦在面积比光阴极小的第一倍增极的表面上。二次发射倍增系统是最复杂的部分。倍增极主要选择那些能在较小入射电子能量下有较高的灵敏度和二次发射系数的材料制成。 

光电倍增管的主要参数

• （ 1 ）暗电流 光电倍增管接上工作电压后，在没有光照的情况下阳极仍会有一个很小的电流输出，此电流即称为暗电流．光电倍增管在工作时，其阳极输出电流由暗电流和信号电流两部分组成。当信号电流比较大时，暗电流的影响可以忽略，但是当光信号非常弱，以至于阳极信号电流很小甚至和暗电流在同一数量级时，暗电流将严重影响对光信号测量的准确性。

应用：

 光电特性：

（伏安特性） 

先复习一下PN节

掺杂了磷元素后，因为磷元素有5个电子， 电子多了一个，可以导电了 不是吗

 掺杂了硼元素后，有空空穴，也可以用于导电了

 第一步：电子由N型扩散到P型，

第2步：形成PN节电场，散与漂移动态平衡

 外加一个电源,方向是克服PN节电场 这个时候  半导体就是导体了，电源接反的话，半导体就成了绝缘体。

光敏电阻 

•光敏电阻又称光导管，常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。

• 这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。

光敏二极管

• 光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件，但在结构上有其特殊的地方。光敏二极管在电路中的符号如图 8-21 所示 。

光敏电阻与光敏二极管都是光敏元件，它们对比如下：

	光敏电阻	光敏二极管
工作原理	基于半导体材料的光电效应，当光子照射到半导体材料上时，会激发出电子-空穴对，从而改变半导体材料的电阻率。	基于半导体材料的光电效应，当光子照射到PN结上时，会激发出电子-空穴对，从而改变PN结的电流。
灵敏度	通常较高，能够对微弱的光照变化做出响应。	通常低于光敏电阻，但具有更好的线性响应和更高的响应速度。
响应速度	较慢，需要一定的时间来达到稳态响应。	较快，能够在短时间内对光照变化做出响应。
线性响应	较差，其输出值与光照强度的关系可能存在非线性。	较好，其输出值与光照强度的关系接近线性。
抗干扰能力	较差，容易受到电磁干扰、噪声等因素的影响。	较强，能够在复杂的电磁环境下稳定工作。
稳定性	较差，其电阻值容易受到温度、湿度等环境因素的影响。	较好，其电流值相对稳定。
测量范围	较宽，可以测量从微光到强光的光照强度。	较窄，通常只适用于特定光照强度的测量。
测量精度	较低，其电阻值的变化受到多种因素的影响。	较高，其电流值的变化较为稳定。
封装形式	通常采用贴片或插件的形式封装。	采用光敏元件专用的封装形式。
使用寿命	相对较短，容易受到光照强度、温度等因素的影响。	相对较长，稳定性较好。
价格	相对较低	相对较高
应用场景	广泛用于光电传感器、光控开关、光通信、自动控制系统等领域。由于其较高的灵敏度，特别适合用于检测微弱的光照变化，如环境光线的监测、植物生长的光照控制等。	广泛用于光电传感器、光通信、自动控制系统、太阳能电池等领域。由于其较好的线性响应和较高的响应速度，特别适合用于精确测量光照强度、高速光通信、太阳能电池的光电转换等应用。

光敏三极管：

 光电池

光电池是一种在光的照射下产生电动势的半导体元件。光电池的种类很多，常用有硒光电池、硅光电池和硫化铊、硫化银光电池等

• 光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。硅光电池的结构如图 8-15 （ a ）所示。

• 光电池的工作原理如图 8-15 （ b ）所示。

测量电路 

光电特性：

伏安特性：

 

光谱特性：

 

频率特性：

 温度特性：

测量电路：