模电-稳压二极管原理及与反向击穿联系（书-模拟电子技术基础第五版）

稳压二极管的伏安特性

居中并且带尺寸的图片: ![Alt]

图a中我们可以看到只是一个简单的二极管伏安特性图

• △i表示稳定电流的范围，通过这可以计算限流电阻的大小（书P21例题1.2.3）
• 同时它也限定了热功率P=u*i，P过大热击穿

图b等效电路才是重点

• 二极管D1表示稳压管加正向电压（直接把受控部分即图4中Rl给短路了，现在限流电阻的保护电路的效果就出来啦）与虽加反向电压但未击穿时的情况（反向还好，无非就是断路），看图思考-图4。
  

• 理想二极管、电压源Uz和电阻rd的串联支路表示稳压管反向击穿时的等效电路（注意把上边的情况分开思考），现在靠电路知识可直接了解工作状态下的稳压管原理，看图思考-图4。

图4（将上面情况对应的电路图直接替换稳压管Dz）

稳压二极管与反向击穿关系，到重点啦

先引出必需知识

先介绍两种反向击穿的原理

• 齐纳击穿：在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很窄，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大。
• 雪崩击穿：在掺杂浓度较低，耗尽层宽度较宽，那么低反向电压下不会产生齐纳击穿。当反向电压增加到较大数值时，耗尽层的电场使少子加快漂移速度，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生电子-空穴对。新产生的电子和空穴又被电场加速后继续碰撞，这样就雪崩式倍增，致使电流急剧增加。

温度系数α

α表示温度每变化1℃稳压值的变化量，即α=△Uz/△T。（稳定电压△Uz是在规定电流下稳压管的反向击穿电压）一般说来稳压值低于6V属于齐纳击穿，温度系数是负的；高于6V的属雪崩击穿，温度系数是正的。温度升高时，耗尽层减小，耗尽层中，原子的价电子上升到较高的能量，较小的电场强度就可以把价电子从原子中激发出来产生齐纳击穿，因此它的温度系数是负的。雪崩击穿发生在耗尽层较宽电场强度较低时，温度增加使晶格原子振动幅度加大，阻碍了载流子的运动。这种情况下，只有增加反向电压，才能发生雪崩击穿，因此雪崩击穿的电压温度系数是正的。这就是为什么稳压值为15V的稳压管其稳压值随温度逐渐增大的，而稳压值为5V的稳压管其稳压值随温度逐渐减小的原因。例如2CW58稳压管的温度系数是+0.07%/°C，即温度每升高1°C，其稳压值将升高0.07%。对电源要求比较高的场合，可以用两个温度系数相反的稳压管串联起来作为补偿。由于相互补偿，温度系数大大减小，可使温度系数达到0.0005%/℃。

问题抛出

上文，加粗位置重点关注

图中红线标注，皆是近视垂直与x轴。为什么我们偏偏选择反向击穿呢？
再看看必须知识，尤其加粗部分。
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解答：反向击穿电压可通过控制掺杂浓度来控制击穿电压大小，即稳定电压。