RAM(Random Access Memory) 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储信息的不同,随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。
ROM(Read-Only Memory)只读存储器,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中,资料并且不会因为电源关闭而消失。
SRAM(Static RAM)不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
DRAM(Dynamic RAM)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失。
因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
SRAM的速率高、性能好,它主要有如下应用:
1)CPU与主存之间的高速缓存。
2)CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步静态随机存取存储器。同步是指Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写。
对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。这一点与异步SRAM不同,异步SRAM的访问独立于时钟,数据输入和输出都由地址的变化控制。
SDRAM(Synchronous DRAM)即同步动态随机存取存储器。同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写。
FLASH 即闪存。它是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位(注意 : NOR Flash 为字节写存储。),区块大小一般为256KB到20MB。
{
NandFlash和NorFlash都是Flash的一种,都是散存,都是磁盘存储介子,但是NandFlash一般比较大,而NorFlash都比较小,并且NorFlash比较贵,并且
NorFlash写的速度比较慢,但读的速度比较快 ,而NandFlash读的速度比较慢,写的速度比较
}
EEPROM 即电子可擦除只读存储器。EEPROM与闪存不同的是,它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据,闪存通常被用来保存设置信息,如在电脑的BIOS(基本输入输出程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。
- 串行EEPROM(I2C http://blog.csdn.net/kala111/article/details/50965051/ SPI)
- 并行EEPROM
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flash按接口分有总线flash,SPI flash。
总线flash需要你的MCU上有外部总线接口,SPI flash就是通过SPI口对flash进行读写。
速度上,总线flash比SPI的快,但是SPI的便宜。
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常见的设备的存储体系结构 http://blog.csdn.net/ultraman_hs/article/details/53484032
一般的PC机:很小容量的BIOS(NorFlash)+ 很大容量的硬盘(类似于NandFlash)+ 大容量的DRAM。
一般的单片机:很小容量的NorFlash + 很小容量的SRAM。
一般的嵌入式系统:外接大容量Nand + 外接大容量DRAM + SoC内置SRAM。(因为NorFlash很贵,现在很多嵌入式系统倾向于不用NorFlash)