瑞萨产品：RMLV0816BGBG - 4S2

8M先进的LPSRAM

描述

RMLV0816BGBG是由Renesas公司制造的一组524、288字×16位的8M静态RAM，采用高性能先进LPSRAM技术。RMLV0816BGBG实现了更高的密度，更高性能和更低功耗。RMLV0816BGBG实现更低的待机功耗，因此，它适用于电池备份系统。可提供了48球细球网格阵列封装。

产品特点

• 供电电源:2.4V至3.6V，电压不可超过4.6V
• 响应时间:
  电源电压2.7V ~ 3.6V: 45ns(最大值)
  电源电压2.4V ~ 2.7V: 55ns(最大值)
• 最大工作功耗 0.7W
• 待机功耗 0.45µa (典型值)
• 三态输出
• 所有输入和输出兼容TTL
• 电池备份操作
• 工作温度范围 -40 ~ +85°C

功耗

• 工作电流：根据工作状态不同1.5~20mA

响应时间

• read cycle time 读取 45~55ns
• chip select access time 片选 chip 45ns
• output enable to output valid 使能 22ns
• write cycle time 写循环 45~55ns