反相畴的基础知识和一篇论文

校历第十三周计划（11.18-11.24）：反相畴的基础知识和一篇论文

上周由于需要尽快和学长交流，因此提前先看了两篇关于反相畴的论文。由于基础知识的匮乏，这周打算补充一些基础知识，主要来源于薄膜生长和大师兄的一篇论文。

《薄膜生长》：

11.18

• 再构表面和吸附表面

1. 表面弛豫：百度百科：表面原子的受力情况和体内不同而造成的表面原子层相对于体内原子层的上下整体移动以降低体系的能量，而表面原子的近邻数和旋转对称性均不改变的现象。《薄膜生长》：表面也是一种晶体缺陷，表面能最高，为了降低表面能，表面的几层原子之间的距离会发生变化，这就是表面弛豫现象，继而形成所谓的再构表面。表面也会吸附原子有利于表面能的降低，形成所谓的吸附表面。
2. 晶体实际的再构表面结构可以表示为E(hkl) - (p x q)，E为元素符号，（hkl）是晶体按几何面切开的晶面，例如Si(111)-（7X7），它表示经过表面原子的重新排列，形成的元胞比理想表面元胞扩大了7X7倍。另外Si(111)-(根号3乘以根号3)-30°-Ag，表示Si（111）-Ag表面的基矢增大了根号3倍并转动了30°。

11.19

• Si(001)

1. 表面上同时存在对称的二聚体链（为主）和扭曲的二聚体链，前者晶胞为（2x1）、后者可以是（2x2）和（4x2）。下图为对称的二聚体模型。俯视图中最大圆圈为顶层原子，次大的为第二层原子，第三层原子由黑点表示。可以看出，每一个顶层原子拥有两个悬键，为减少能量两两靠近形成（2x1）再构表面中的二聚体链，形成五原子环。同时表面晶胞扩大一倍成为（2X1）晶胞。

   

2.  将样品温度降至120k后用STM观察，可以看到扭曲的二聚体链的范围比室温时扩大。模型如下图，图中一个原子（大圆圈）上升，使第二层两个原子靠近（箭头方向），相邻的原子（中圆圈）下降使第二层的两个原子离远一些。相映的扭曲二聚体链在STM像上显示为锯齿形。相邻的扭曲二聚体链可以形成（2X2）或（4X2）晶胞（后者多一些）。继而引起LEED的1/4和1/2分数的衍射斑点。

   

3. 二聚体引起的电子结构变化如下图：a未形成二聚体；b已经形成对称二聚体；c中相邻悬键形成pi键和反pi态。；d中扭曲二聚体形成，悬键能级距离增大，电子云分布不再对称。

   

4. 下图为STM对Si（001）台阶结构的观察，台阶交替地由垂直或平行台阶的二聚体链组成，此邻晶面在【110】方向上倾角为，台阶的平均距离（台面宽度）为0.136nm/tan,例如为1°时，台面宽为7.80nm。台阶分为两种，A型台阶较为平坦，B型台阶相对曲折。说明A型台阶的上一层台面上的增原子很容易沿台阶方向运动，掉下来使台阶平直。相反B型台阶上一层台面上随机的增原子很容易沿垂直台阶方向运动并掉下来。形成粗糙的台阶。

   

11.20

• 表面相变和双层台阶的形成

1. 结构一定的再构表面存在一定的温度范围内，超过这个范围，再构表面将转化为另外一种再构表面或无再构的表面，即为表面相变。
2. Si（001）邻面上有两种方向相互垂直的（2x1）结构和（1x2）结构，对应的台阶有A型台阶和B型台阶，如下图所示：图中a表示沉积刚开始，b表示沉积0.5ML后全部变成B型台阶，c表示B型台阶的形成过程，A型台阶上的增原子只平行台阶运动不会离开，而B型台阶上增原子垂直台阶运动，或掉下A型台面或跳上A型台面。

   

11.21-11.22 一篇论文

• 硅基III-V族半导体激光器材料生长及器件制备研究（主要介绍关于反相畴的基础知识和相关研究历程附论文名称）

Si基GaAs材料的外延生长，二者在晶格常数、晶体结构和热膨胀系数方面存在很大的差异，这些差异会严重影响GaAs/Si外延层的晶体质量。晶格失配：产生失配位错，需要降低GaAs/Si外延层中的位错密度。晶体结构（前者为严格对称金刚石结构，后者属于非对称极性）：材料晶体质量出现问题。热膨胀系数：二者收缩比例不同，产生热失配。减小外延层厚度或外延层中残余应力。

针对反相畴问题

当GaAs材料沉积到Si衬底表面的原子台阶时，在垂直方向上，GaAs晶胞只能与Si原子台阶上下的二者之一保持一致，GaAs晶胞的取向受到Si表面原子排列和外延生长条件影响。当Si衬底出现单原子台阶时，GaAs中Ga原子和As原子的排列形式会随之改变，使得台阶上下的GaAs材料在边界处形成一个扩散边界面，与常规情况下边界层里的GaAs阴阳离子键不同，此处是由阳-阳离子键和阴-阴离子键组成的二维平面，称为反相畴位错。在这个缺陷扩散边界平面会形成一个捕获区域，使得器件中的少数载流子寿命减小，同时，其还会使得多数载流子的散射增加，进而影响器件的性能。

研究历程

1，在无偏角的Si衬底表面形成双原子台阶或用其他方法抑制反相畴。

1974年，首次发现对Si衬底进行高温退火，会使得无偏角的Si衬底表面出现单原子台阶向双原子台阶转变的趋势。

Henzler, M., Clabes, J. Proc. 2nd Intern. Conf. on Solid Surfaces [J]. Japanese Journal of Applied Physics supplement, 1974, 2: 389.

2，降低GaAs/Si外延层中位错密度。

2005年，美国俄亥俄州立大学研究组应用超高真空化学气相沉积（UHVCVD）技术，获得穿透位错密度为10^6 cm-2量级的GaAs/Si外延层.

Andre, C., L., Carlin, J., A., Boeckl, J., J., et al. Investigations of high-performance GaAs solar cells grown on Ge-Si 1-x Ge x-Si substrates [J]. Electron Devices, IEEE Transactions on, 2005, 52(6): 1055-1060.

2007年，美国密歇根大学研究组提出采用多层量子点作为位错阻挡层的方法，应用MBE技术，获得了位错密为10^7 cm-2量级的GaAs/Si外延层。

Yang, J., Bhattacharya, P., Mi, Z. High-performance In0.5Ga0.5As/GaAs quantum-dot lasers on silicon with multiple-layer quantum-dot dislocation filters [J]. Electron Devices, IEEE Transactions on, 2007, 54(11): 2849-2855.

2013年，英国伦敦大学学院研究组应用MBE技术，采用InAlAs/GaAs和AlGaAs/GaAs应变超晶格阻挡位错方法，获得了位错密度为3~5X10^6 cm-2的GaAs/Si外延层。

Wang, Y., Wang, Q., Jia, Z., et al. Three-step growth of metamorphic GaAs on Si (001) by low-pressure metal organic chemical vapor deposition [J]. Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena, 2013, 31(5): 051211.

3，利用图形衬底方法降低位错。

2012年，台湾国立成功大学研究组运用ART机制和SiO2掩膜圆孔图形衬底，应用MOCVD技术，获得了腐蚀坑密度为3.3×10^5 cm-2的GaAs/Si外延层.

Hsu, C., W., Chen, Y., F., Su, Y., K. Nanoepitaxy of GaAs on a Si (001) substrate using a round-hole nanopatterned SiO2 mask [J]. Nanotechnology, 2012, 23(49): 495306.

2015年，北京邮电大学研究组[62]提出了三阶段横向外延生长方法，利用侧向外延机制和SiO2掩膜条形图形衬底，将GaAs/Si外延层中的热应力减少了12.5%

He, Y., Wang, J., Hu, H., et al. Coalescence of GaAs on (001) Si nano-trenches based on three-stage epitaxial lateral overgrowth [J]. Applied Physics Letters, 2015, 106(20): 202105.

2017年，美国加州大学圣塔芭芭拉分校研究组[63]利用V型槽图形衬底结合超晶格位错阻挡层方法，获得了位错密度为10^7 cm-2量级的GaAs/Si外延层。

Norman J, Kennedy M J, Selvidge J, et al. Electrically pumped continuous wave quantum dot lasers epitaxially grown on patterned, on-axis (001) Si [J]. Optics express, 2017, 25(4): 3927-3934.

4，GaP过渡缓冲层方法，减小异变外延过程中的晶格失配。

2008年，马尔堡菲利普大学研究组通过对无偏角的Si衬底进行高温退火，在Si衬底上外延40nmGaP，获得无反相畴的GaP外延层。

Németh, I., Kunert, B., Stolz, W., et al. Heteroepitaxy of GaP on Si: Correlation of morphology, anti-phase-domain structure and MOVPE growth conditions [J]. Journal of Crystal Growth, 2008, 310(7):1595-1601.

2014年美国耶鲁大学研究组在Si衬底上利用GaP过渡缓冲层实现了InGaAs/GaAs量子阱激光器的室温脉冲激射。

Huang, X., Song, Y., Masuda, T., et al. InGaAs/GaAs quantum well lasers grown on exact GaP/Si (001) [J]. Electronics Letters, 2014, 50(17):1226-1227.

2017年美国加州大学圣塔芭芭拉分校研究组运用GaP缓冲层结合InGaAs/GaAs位错阻挡层的方法制备的GaAs外延层的穿透位错密度降低到了10^6 cm-2量级。同年该研究组在GaP/Si上生长GaAs外延层制备出可室温连续激射的InAs量子点激光器。

 Jung, D., Callahan, P., G., Shin, B., et al. Low threading dislocation density GaAs growth on on-axis GaP/Si (001) [J]. Journal of Applied Physics, 2017, 122(22):225703.

2018年，该研究组利用GaP缓冲层结合应变超晶格位错阻挡层的方法，制备的InAs量子点激光器实现室温连续激射的同时工作寿命达到百万小时量级。

Jung, D., Norman, J., Kennedy, M., J., et al. Low threshold current 1.3 µm Fabry-Perot III-V quantum dot lasers on (001) Si with superior reliability [C]// Optical Fiber Communication Conference. 2018:W3F.2.