内存性能指标研究

引言：

存储器是计算机系统的重要组成部分，用来存放程序和数据。微机的存储系 统通常由高速缓冲存储器(Cache)、 主存储器(内存)和辅助存储器(外存)组成。 Cache 由高速存储器件 SRAM 制成，容量较小，设置于 CPU 与主存之间，用于存 放 CPU 当前执行的程序和数据(这些信息是主存的副本)。接下来将介绍主要的内存性能指标。

一、存储容量：

存储容量是指存储器所能容纳的二进制信息总量。一位二进制数为最小单位 (bit), 8 位二进制数为一个字节(Byte), 单位用 B 表示。由于微机中都是按字 节编址的，因此 B 是存储器容量的基本单位。存储器容量常用的单位还有 KB、 MB、GB 和 TB。它们的定义如下:

1KB=2l0B=1024B;

1MB=20B=1048576B;

1GB=230B=1073741824B;

1TB=240B=1099511627776B。

对于按字节编址的计算机，通常以字节数来表示容量，如 KB、MB、GB、TB。例 如，某微机系统的存储容量为 64 KB,表明它所能容纳的二进制信息位为 64 x1024x8。

二、存取速度：

存取速度通常由存取时间来衡量。存取时间又称为访问时间或读/写时间。 它是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。例如，读出时间是指 从 CPU 向存储器发出有效地址和读命令开始，直到将被选单元的内容读出为止所 用的时间;写人时间是指从 CPU 向存储器发出有效地址和写命令开始，直到信息 写人被选中单元为止所用的时间。显然，存取时间越短，存取速度越快。 内存的存取时间通常用 ns (纳秒)表示。通常，超高速存储器的存取时间一 般约 20 ns,高速存储器的存取时间一般为几十纳秒，中速存储器的存取时间一 般为 100 ns~ 250 ns,而低速存储器的存取时间一般为 300 ns 左右。例如，SRAM 的存取时间约 60 ns, DRAM 的存取时间为 120 ns~ 250 ns。

（1）CAS(Column Address Strobe) Latency：列地址选通脉冲延迟时间，即DDR－RAM内存接收到一条数据读取指令后要延迟多少个时钟周期才执行该指令。这个参数越小，内存的反应速度越快，可以设置为2.0、2.5、3.0。

（2）Row－active delay（tRAS）：内存行地址选通延迟时间，供选择的数值有1～15，数值越大越慢。

（3）RAS－to－CAS delay（tRCD）：从内存行地址转到列地址的延迟时间。即从DDR－RAM行地址选通脉冲(RAS，Row Address Strobe)信号转到列地址选通脉冲信号之间的延迟周期，也是从1～15可调节，越大越慢。

（4）Row－precharge delay（tRP）：内存行地址选通脉冲信号预充电时间。调节在刷新DDR－RAM之前，行地址选通脉冲信号预充电所需要的时钟周期，从1～7可调，越大越慢。

（5）CL(CAS Latency)： CL(CAS Iatency)为CAS(Column Address Strobe，列地址控制器)的延迟时间， 这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量不同规范内存的重要标志之一。比如现在大多数的SDRAM(在外频为100MHz时)都能在CL=2或CL=3的模式下运行，就是说，它们读取数据的延迟时间可以是2个时钟周期也可以是3个时钟周期。在SDRAM的制造过程中，可以将这个特性写入SDRAM的EEPROM(就是SPB)中，在开机时主板的BIOS就会检查此项内容，并以CL=2这一默认的模式运行。对于PC一100内存来说，要求当CL的值为3时，tCK的数值要小于10ns、tAC：要小于6ns。至于为什么要强调是CL=3的时候呢?这是因为对于同一个内存条，当把它设置成为不同cL数值时，tCK的值就可能不相同，其性能与稳定性都不同。总延迟时间一般用公式来计算：总延迟时间=系统时钟周期×cL+存取时间(tAC)，比如某PC—100内存的存取时间为6ns，我们设定比模式数为2(即CL=2)，则总延迟时间=10ns×2+6ns=26ns。

（6）tAC：tAC也就是最大CAS延迟时的最大输入时钟值，PC一100规范要求在CL=3时，tAC不大于6ns，而某些内存编号的尾数则表示的是这个值。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。

三、可靠性：

可靠性是指在规定的时间内，存储器无故障读/写的概率。通常用平均无故 障时间 MTBF ( Mean Time Between Failures)来衡量可靠性。MTBF 可以理解为 两次故障之间的平均时间间隔，越长说明存储器的性能越好。ECC是新型PC-100内存中普遍提到的一种技术名词，它是内存校验的一种。ECC与传统的奇偶校验(Parity)类似，然而奇偶校验只能检测到错误所在，并不能进行纠正，ECC却可以纠正绝大多数错误。ECC在简单奇偶错误检测的基础上前进了很多。’ECC不仅能够检测一位错误，而且能够纠正一位错误，这意味着系统能在不中断和不破坏数据的情况下继续运行

四、功耗：

功耗反映了存储器件耗电的多少，同时也反映了其发热的程度。功耗越小， 存储器件的工作稳定性越好。大多数半导体存储器的维持功耗小于工作功耗。内存的功耗是非常小的。不同的类型、频率的内存，耗电方面有细小的差别，但总体都不高。现在的主流内存是DDR3，目前用的最多的，一条DDR31600的内存的功耗，大约是1瓦。

五、位宽和带宽：

内存的位宽是指内存在一个时钟周期内所能传送数据的位数，以bit为单位，位数越大则瞬间所能传输的数据量越大，这是内存的重要参数之一。内存的带宽是指内存在单位时间内的数据传输速率。内存带宽计算公式：带宽=内存核心频率×倍增系数×(内存总线位数/8)

六、内存频率：

是指在默认情况下，内存正常工作时的额定运行频率，以MHz（兆赫兹）为单位。显存频率与显存时钟周期是相关的，二者成倒数关系，也就是显存频率＝1/显存时钟周期。因为DDR－RAM在时钟上升期和下降期都进行数据传输，其一个周期传输两次数据，相当于SDRAM频率的二倍，所以习惯上称呼的DDR频率是其等效频率，在其实际工作频率上乘以2，就得到了等效频率。因此所谓的PC3200内存，是指工作频率为200MHz，等效频率为400MHz的DDR内存，也就是常说的DDR400。tCK代表SDRAM所能运行的最大频率，数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC-100的SDRAM内存条来说，其芯片上的标识10代表了它的运行时钟周期为10ns，即可在100MHz的外频下正常工作。大多数内存标号的尾数表示的就是tCK周期，像PC-133标准要求tCK的数值不大于7.5ns。

七、内存封装：

是指内存颗粒所采用的封装技术类型，封装就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。显存封装形式主要有TSOP、TSOP-II、MBGA、FBGA等。

八、SPD（Serial Presence Detect，串行存在检测）：

SPD是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦写可编程只读存储器）芯片。它一般位于内存条正面的右侧，采用SOIC封装形式，容量为256字节（Byte）。SPD芯片内记录了该内存的许多重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数。SPD信息一般都是在出厂前，由内存模组制造商根据内存芯片的实际性能写入到ROM芯片中

九、物理Bank：

内存与CPU之间的数据交换通过主板上的北桥芯片进行，内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，简称P-Bank）的位宽。以目前主流的DDR系统为例，CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条物理Bank。

十、逻辑Bank：

在芯片的内部，内存的数据是以位（bit）为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为CELL，只要指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地定位到某个CELL，这就是内存芯片寻址的基本原理。这个阵列我们就称为内存芯片的BANK，也称之为逻辑BANK（Logical BANK）。由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑BANK，随着芯片容量的不断增加，逻辑BANK数量也在不断增加，目前从32MB到1GB的芯片基本都是4个，只有早期的16Mbit和32Mbit的芯片采用的还是2个逻辑BANK的设计。

十一、工作电压：

由于低电压内存要低于标准电压1.5V保证稳定工作，因此生产低电压内存要求更高的品质，出厂时内存电压越高就代表内存品质越不好，这也是低电压内存的优点之一。因此，内存条高低电压的区别就在于低压内存条比高压内存条耗电量低，更加环保。

十二、总结：

通过本次上网查阅有关于内存的文献资料，我收获颇丰。我深入了解了半内存的性能指标，进一步梳理了知识框架，巩固了所学知识。通过了解内存储器的发展状况与未来的发展趋势，评判一个内存的好坏可以从多个方面来评估，其中最主要的就是容量、存取速度、功耗、位宽带宽等。而且目前正是我国发展存储器的良好机遇期，一是国家对集成电路产业发展给予了前所未有的高度重视，不仅出台发展纲要，还成立了专门的产业发展基金；二是我国手机、物联网、汽车等应用市场或已成为世界最大或处于急 剧扩张期，都对内存储器提出巨大需求。我国应充分抓住这个机遇获得内存储器产业的快速发展，制定一系列内存性能评判标准。
 
 

十三、对未来发展的个人预测

我预测未来内存的发展趋势是存取速度更快，容量更大。而且可能会有新的存储架构出现，这样才能解决现今的瓶颈问题。尤其是随着人工智能、机器学习、物联网等应用场景的出现，越来越需要用更快的速度处理更多的数据。不过，现有的存储系统乏力，存储领域急需一场技术革命。存储级内存是革命的基础，存储级内存就是将速度快性能好的类似DRAM内存和容量大价格低的类似SSD存储器的优点结合起来，缩小存储和内存之间的差距，改变数据的存储与处理方式。与DRAM不同的是，SCM是非易失性内存，这就意味着在断电时，前者无法保留数据与程序代码，后者却可以。

十四、参考文献：

[1]https://tech.hqew.com/sudi_2061773

[2]https://wenku.baidu.com/view/30de1738a36925c52cc58bd63186bceb19e8edf6.html

[3]https://www.sohu.com/a/232573338_100166344

[4] http://www.elecfans.com/rengongzhineng/1207667.html
[5] https://www.sohu.com/na/421883326_652096
[6] http://news.moore.ren/industry/222986.htm
[7] https://www.dianyuan.com/article/50283.html
[8] https://www.anzhuo.cn/news/p_41219
[9] 李俊,张广宁，方武.计算机与自动化专业通识教程 硬件基础:航空工业出版社, 2016.06 
[10] 陈辉定,曾晖主编.计算机组装与维修教程[M]苏州:苏州大学出版社，2015.06