IDT7206简明资料

最新推荐文章于 2022-06-25 18:44:25 发布

漠落

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分类专栏：电子电路参考文章标签： IDT7206 IDT720

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输入：

数据输入端 D0~D8 :九位宽的数据输入。

复位端 RS：

无论什么时候复位引脚置低，复位。在复位期间，读指针和写指针被设置到第一个位置。上电之后和写操作发生之前，需要一个复位操作。写使能（ W）输入和读使能（ R）输入必须保持在高电平一段时间，这段时间到 RS上升沿之前用至少 15ns（tRSS）， RS上升沿以后用至少 10ns（ tRSR）（即： R/W=trss+trsr，在 trss 与 trsr 之间是 RS的上升沿）。

写使能 W:

如果未设置标志（ FF），在此输入下降沿时，启动写周期。数据设置的保持时间必须坚持到写使能（ W）的上升沿。数据储存在 RAM 之中，对于任何的读操作都是独立的。当内存一半的空间被填满，在下一个写操作的下降沿开始后， HF 将被置低，直到写指针和读指针之间的差额小于或等于设备的总内存的一半；然后，由读操作的上升沿复位为了防止数据溢出， FF将在写信号的最后一个下降沿被置低，并且进一步的抑制写操作。完成了一个有效地读操作，在最多 15ns（tRFF）之后， FF将被置高，并且允许一个新的有效地写操作开始。当 FIFO是充满状态时，写指针被锁住， W 不能进行任何的有效操作。

读使能 R：

EF未设置时，在一个读使能（ R）的下降沿下开启读周期。访问一个先进先出的数据时，独立于任何正在进行的写操作。当读使能（ R）置低以后，输出数据 Q0~Q8将呈现高阻状态，直到下一个读操作的进行。当所有的数据已经从 FIFO中读出来时， EF将置低，并且允许最后一次的读周期，但是之后，读操作将被抑制，数据输出端将呈现高阻状态；一旦有效的写操作被完成，在最多 15ns（tWEF）之后， EF将被置高，这时，一个有效地读操作可以进行。当 FIFO是空状态时，读指针被锁住， R不能进行任何有效的操作。

第一次加载 / 重发端 FL/RT:

这是一个双重目的的输入端口。在深度扩展模式，这个引脚接地，以表示它是第一个加载的设备（详情见操作模式）。 XI 接地，单一设备模式启动。该系列芯片能重传数据，只要重传使能控制端（ RT）输入低脉冲。每一个重传操作都将使内部读指针指向第一个位置，然而不会影响到写指针。该标志状态的改变，取决于读写指针的相对位置。在重传期间，读使能和写使能必须在高电平状态。这个功能非常有用，当少于 16384 时，写在复位之间被完成。重传功能不能与深度模式共同使用。

扩展 XI：

这是一个双重目的的输入端口。XI 接地表示在一个单一设备模式下。在深度扩展模式或菊花链模式下， XI 可以与前级设备的 XO连接。

输出：

满标志 FF：

当设备已经满了时， FF将变低，抑制进一步的写操作。如果在复位之后读指针不移动，且写入 16384 数据， FF将变低。

空标志 EF：

当读指针等于写指针， EF将变低，抑制进一步的读操作，此时表明设备是空的。

扩大输出 /半满标志 XO/HF:

这是一个双重目的的输出端。在单一设备模式下， XI 接地，此输出作为内存半满的标志。当内存一半的空间被充满且在下一个写操作的低电平之后， HF 将被置低，，直到写指针和读指针之间的差额小于或等于设备的总内存的一半；然后， HF 由读操作的上升沿复位。在深度模式下， XI 可以与前级设备的 XO连接。当前级设备达到内存的最后一个位置时，此输出端通过菊花链输出一个单位脉冲给下一级设备。当写指针到达储存器的最后一位时，有一个 XO脉冲；当写指针到达储存器的最后一位时，又有额外的一个 XO脉冲。