台积电：2nm芯片研发的重大突破，1nm也没问题

台积电：2nm芯片研发的重大突破，1nm也没问题。

台积电：第一代官宣2nm制程，领先于研发进度。

据台湾经济日报报道，台积电在2nm工艺上有重大突破，研发进度领先，业界预计2023年下半年将实现90%的风险试产良率。

与3nm和5nm采用鳍式场效晶体管(FinFET)结构不同的是，台积电2nm采用了全新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)结构，据台媒称，这一研发进展领先。

据悉，台积电去年成立了一个2纳米项目研发团队，寻求一条可行的发展道路。

台积电：2nm芯片研发的重大突破，1nm也没问题。

从成本、设备兼容性、技术成熟度和性能表现等方面考虑，2nm采用MBCFET结构，以环绕闸极(GAA)制程为基础，解决了FinFET由于制程缩小所造成的漏电电流控制问题。

超级紫外微显影(EUV)技术的推广应用，使台积电多年来研究开发的纳米片堆叠关键技术日趋成熟，提高良率的工作也比预期进展顺利。

台积电此前透露，研发生产2nm晶圆的计划在新竹宝山，计划建设4个P1至P4晶圆厂，占地面积逾90公顷。

现在台积电5nm已经量产，3nm有望在2022年量产，2nm的研发突破了！

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