dramsim2 DRAM ini文件参数解析

在dramsim2的ini文件夹里有许多现成的DRAM参数文件，包含了DRAM芯片的容量、延时和功耗参数，下面用DDR3_micron_32M_8B_x8_sg15.ini文件来举例，批注写在文件内：

NUM_BANKS=8<span style="white-space:pre">		</span>
NUM_ROWS=32768<span style="white-space:pre">		</span>;行*列=32M，这就是文件名32M的由来
NUM_COLS=1024
DEVICE_WIDTH=8<span style="white-space:pre">		</span>;一块DRAM芯片的数据总线宽度8位，而根据DDR3定义，JEDEC_DATA_BUS_BITS=64，组成的一个rank宽度64，所以一个rank需要8块DRAM芯片并联构成
;根据上面的参数，可以计算得到由这种DRAM芯片构成的一个rank容量为：8banks * 32768rows * 1024cols * 8bit * 8chips = 2GB，而运行dramsim2得到的默认输出文件为：

;2GB.1Ch.1R.scheme2.open_page.32TQ.32CQ.RtB.pRank.vis

;in nanoseconds
;#define REFRESH_PERIOD 7800
REFRESH_PERIOD=7800<span style="white-space:pre">		</span>;refresh指令发送周期，单位ns。JEDEC DDR3默认的刷新指令发送周期即7.8us，并且需要满足要求64ms刷新全部行，因此一次刷新的行数为: 32768 * 7.8us / 64ms =  4行。如果要增加行数但保持REFRESH_PERIOD不变，则必须增加每次刷新花费的时间tRFC（可以粗略估计为等比例增长）
tCK=1.5 ;*<span style="white-space:pre">			</span>;DRAM工作时钟周期，单位ns
;以下是时间参数，单位为cycle。
CL=10 ;*<span style="white-space:pre">			</span>;CAS指令到从buffer读出数据的时间
AL=0 ;*<span style="white-space:pre">				</span>;从DDR2起，RAS指令后可以马上接CAS指令，但比起传统的RAS后等tRCD再发送CAS的方式，数据能够从阵列中读出的延时并不能间断，AL就是用来表征这段额外延时
;AL=3; needs to be tRCD-1 or 0<span style="white-space:pre">	</span>;如果采取RAS指令马上接CAS指令的方式，AL=tRCD-1，如果等tRCD再接CAS指令，则不用计算AL
;RL=(CL+AL)
;WL=(RL-1)
BL=8 ;*<span style="white-space:pre">				</span>;burst length
tRAS=24;* <span style="white-space:pre">			</span>;RAS指令持续时间
tRCD=10 ;*<span style="white-space:pre">			</span>;传统RAS后需要等待tRCD才能发送CAS
tRRD=4 ;*<span style="white-space:pre">			</span>;RAS和RAS最短间隔（不同bank）
tRC=34 ;*<span style="white-space:pre">			</span>;同一bank RAS和RAS最短间隔
tRP=10  ;*<span style="white-space:pre">			</span>;precharge时间
tCCD=4 ;*<span style="white-space:pre">			</span>;CAS和CAS最短间隔
tRTP=5 ;*<span style="white-space:pre">			</span>;read to precharge
tWTR=5 ;*<span style="white-space:pre">			</span>;write to read
tWR=10 ;*<span style="white-space:pre">			</span>;写到阵列时间
tRTRS=1; -- RANK PARAMETER, TODO 
tRFC=107;*<span style="white-space:pre">			</span>;刷新指令执行时间
tFAW=20;*<span style="white-space:pre">			</span>;Four (row) bank Activation Window
tCKE=4 ;*<span style="white-space:pre">			</span>;CKE持续时间
tXP=4 ;*<span style="white-space:pre">			</span>

tCMD=1 ;*

;以下为DRAM单芯片电流参数，单位mA
IDD0=130;<span style="white-space:pre">			</span>;反复RAS precharge的平均电流
IDD1=155;<span style="white-space:pre">			</span>;没用到
IDD2P=10;<span style="white-space:pre">			</span>;CKE无效，全部bank precharge静态电流
IDD2Q=70;<span style="white-space:pre">			</span>;没用到
IDD2N=70;<span style="white-space:pre">			</span>;CKE有效，全部bank precharge静态电流
IDD3Pf=60;<span style="white-space:pre">			</span>;CKE无效，有bank open静态电流
IDD3Ps=60;<span style="white-space:pre">			</span>;跟上面似乎没区别
IDD3N=90;<span style="white-space:pre">			</span>;CKE有效，有bank open静态电流
IDD4W=300;<span style="white-space:pre">			</span>:写时电流
IDD4R=255;<span style="white-space:pre">			</span>;读时电流
IDD5=305;<span style="white-space:pre">			</span>;刷新时电流
IDD6=9;<span style="white-space:pre">				</span>;没用到
IDD6L=12;<span style="white-space:pre">			</span>;没用到
IDD7=460;<span style="white-space:pre">			</span>;没用到

;same bank
;READ_TO_PRE_DELAY=(AL+BL/2+max(tRTP,2)-2)
;WRITE_TO_PRE_DELAY=(WL+BL/2+tWR)
;READ_TO_WRITE_DELAY=(RL+BL/2+tRTRS-WL)
;READ_AUTOPRE_DELAY=(AL+tRTP+tRP)
;WRITE_AUTOPRE_DELAY=(WL+BL/2+tWR+tRP)
;WRITE_TO_READ_DELAY_B=(WL+BL/2+tWTR);interbank
;WRITE_TO_READ_DELAY_R=(WL+BL/2+tRTRS-RL);interrank

Vdd=1.5 ; TODO: double check this

关于详细的DDR3时序参数，可以参考以下表格(出自《Memory: Systems, Cache, DRAM, Disk》)：

关于DDR3电流与功耗计算，可以参考micron的《TN-41-01: Calculating Memory System Power for DDR3》

要了解DRAMSIM2具体延时和功耗的计算方法，可以在MemoryController.cpp中查看源代码