不容错过的电子工程专业面试题

电子工程专业的学生无论是准备面试还是面试，都需要面对一些基本的电子问题。因此，本文为您提供了一些面试和其他竞争性考试的基本电子问题。

一般来说，您需要参考各种书籍才能涵盖电子学主题的海洋。为了方便大家，我收集了一些来自不同主题的基本电子问题，并将它们组织成不同的部分。

最初，我将主要关注多项选择类型的问题，将来我将添加解释和一些简答类型的问题。

基本介绍问题

1. 什么是理想电压源？
答：内阻为零的器件。

2. 什么是理想电流源？
答：内阻无穷大的器件。

3. 什么是实用电压源？
答：内阻小的器件。

4. 什么是实用电流源？
答：内阻较大的器件。

5. 理想电压源输出的电压为
A. 零
B. 恒定
C. 取决于负载电阻
D. 取决于内部电阻
答案： B

6. 理想电流源流出的电流为
A. 零
B. 恒定
C. 取决于负载电阻
D. 取决于内阻
答案： B

7. 两点之间可以传输电流的路径称为
A. 网络
B. 继电器
C. 电路
D. 环路
答案： C

8. 根据欧姆定律，电流的公式为
A. 电压 / 电阻
B. 电阻 * 电压
C. 电压 + 电阻
D. 电阻 / 电压
答案： A

9. 电阻的单位是
A. 伏特
B. 安培
C. 欧姆
D. 库仑
答案： C

10、在恒压直流电路中，当电阻增大时，电流会
A.减小
B.停止
C.增大
D.保持恒定
答案： A

基本半导体理论问题

1. 硅原子的价电子数为
A. 1
B. 4
C. 8
D. 16
答案： B

2、最常用的半导体元素是
A. 硅
B. 锗
C. 镓
D. 碳
答案： A

3. 铜是
A. 绝缘体
B. 导体
C. 半导体
D. 超导体
答案： B

4. 硅原子核中的质子数为
A. 4
B. 14
C. 29
D. 32
答案： B

5. 导体的价电子也称为
A. 束缚电子
B. 自由电子
C. 原子核
D. 质子
答案： B

6. 室温下的本征半导体具有
A. 少量自由电子和空穴
B. 许多空穴
C. 许多自由电子
D. 无空穴
答案： A

7. 在室温下，本征半导体中存在一些空穴，原因是
A. 掺杂
B. 自由电子
C. 热能
D. 价电子
答案： C

8. 本征半导体中的空穴数为
A. 等于自由电子数
B. 大于自由电子数
C. 小于自由电子数
D. 以上都不是
答案： A

9. 空穴充当
A. 原子
B. 晶体
C. 负电荷
D. 正电荷
答案： D

10. 选择一组中的奇数
A. 导体
B. 半导体
C. 四个价电子
D. 晶体结构
答案： A

11、生产P型半导体需要添加
A.三价杂质
B.碳
C.五价杂质
D.硅
答案： A

12. 电子是少数载流子
A. 外在半导体
B. p 型半导体
C. 本征半导体
D. n 型半导体
答案： D

13. p 型半导体包含
A. 空穴和负离子
B. 空穴和正离子
C. 空穴和五价原子
D. 空穴和施主原子
答案： A

14.五价原子有多少个电子？
A.1
B.3
C.4
D.5
答案： D

15. 负离子是
A. 获得质子的原子
B. 失去质子的原子
C. 获得电子的原子
D. 失去电子的原子
答案： C

16.势垒两侧PN结电离的结果是什么？
A. 势垒电压
B. 结
C. 耗尽区
D. 正向电压
答案： C

17. 耗尽区的原因是 __________
A. 扩散
B. 离子
C. 掺杂
D. 正向电压
答案： A

18.以下哪项是半导体？
A. 氩气
B. 碳
C. 云母
D. 陶瓷
答案： B

19. 下列物质中的掺杂材料是
A. n 型半导体
B. 多数载流子
C. 非本征半导体材料
D. 五价材料
答案： D

20. 我们可以使用
A. 正向电压
B. 掺杂
C. 热量
D. 压力
轻松激活少数载流子答案： C

基本半导体二极管问题

1. 耗尽层的原因是
A. 掺杂
B. 复合
C. 势垒电位
D. 离子
答案： B

2. 二极管中的反向电流通常是
A. 很小
B. 很大
C. 零
D. 在击穿区
答案： A

3. 二极管中的雪崩发生在
A. 势垒电位
B. 耗尽层
C. 拐点电压
D. 击穿电压
答案： D

4、硅二极管的势垒为
A.0.3V
B.0.7V
C.1V
D.5V
答案： B

5. 硅二极管的反向饱和电流比锗二极管 _____
A. 相等
B. 较高
C. 较低
D. 取决于温度
答案： C

6. 二极管是
A. 双边器件
B. 非线性器件
C. 线性器件
D. 单极器件
答案： C

7. 二极管电流大的情况
A. 正向偏压
B. 反向偏压
C. 偏压不良
D. 反向偏压
答案： A

8、桥式整流器的输出电压信号为
A.半波
B.全波
C.桥式整流信号
D.正弦波
答案： B

9. 如果桥式整流器中二极管的最大直流额定电流为1A，则最大直流负载电流是多少？
A.1A
B.2A
C.4A
D.8A
答案： B

10. 电压倍增器产生
A. 低电压、小电流
B. 低电压、大电流
C. 高电压、小电流
D. 高电压、大电流
答案： C

11. 什么是快船？
答案：去除波形的一部分（正或负）以使其不超过特定电压电平的电路。

12. 什么是夹具？
答案：向波形添加直流电压（正电压或负电压）的电路。

13. 齐纳二极管可描述为
A. 整流二极管。
B. 恒压装置。
C、恒流装置。
D. 工作在前向区域的设备。
答案： B

14. 如果稳压二极管极性接错，负载两端电压为
A. 0.7 V
B. 10 V
C. 14 V
D. 18 V
答案： A

15. 由于二极管只允许电流在一个方向流动，因此它们可用于
A. 限流
B. 反极性保护
C. 存储电荷
D. 电压调节
答案： B

16. 用万用表测试好的二极管时，显示
A. 正向偏压或反向偏压时电阻低
B. 正向偏压或反向偏压时电阻高
C. 正向偏压时电阻高，反向偏压时电阻
低 D. 低正向偏压时电阻大，反向偏压时电阻高
答案： D

17. PN结什么时候有电流流动？
A. 当 p 型和 n 型元件处于相同电位时
B. 当 p 型或 n 型元件均无电位时
C. 当 p 型元件的电位高于 n 型元件时
D. . 当n型元件的电位比n型元件的正电位高时
答案： C

18. 钳位电路一般用于
A. 电视发射机和接收机
B. FM 发射机
C. 信号发生器（方形、梯形等）
D. 以上全部
答案： D

19. 二极管正向偏压和反向电流的测量单位为
A. µA 和 µA
B. mA 和 µA
C. µA 和 mA
D. mA 和 mA
答案： B

20. 二极管特性建模采用什么图形方法
A. 指数法
B. 小信号近似法
C. 迭代法
D. 恒压降法
答案： A

基本晶体管问题

1. 晶体管中 PN 结的数量
A. 1 个
B. 2 个
C. 3 个
D. 4 个
答案： B

2. NPN 晶体管基极的掺杂浓度为
A. 轻掺杂
B. 中掺杂
C. 重掺杂
D. 不掺杂
答案： A

3. NPN 晶体管中的基极 - 发射极二极管（基极 - 发射极结）是
A. 不导通
B. 正向偏置
C. 反向偏置
D. 在击穿区域工作
答案： B

4. 基极、发射极和集电极的尺寸比较是
A. 基极 > 集电极 > 发射极
B. 发射极 > 集电极 > 基极
C. 集电极 > 发射极 > 基极
D. 全部相等
答案： C

5. 基极-集电极二极管（基极集电极结）通常为
A. 反向偏置
B. 正向偏置
C. 击穿区域
D. 不导通
答案： A

6. 晶体管的直流电流增益为
A. 发射极电流与集电极电流之比
B. 基极电流与发射极电流之比
C. 集电极电流与基极电流之比
D. 基极电流与集电极电流之
比 答案： C

7. 如果基极电流为 100μA，电流增益为 100，则集电极电流为
A. 1A
B. 10A
C. 1mA
D. 10mA
答案： D

8. NPN 和 PNP 晶体管中的多数载流子是
A. 空穴和电子
B. 电子和空穴
C. 受主离子和施主离子
D. 无
答案： B

9. 晶体管充当
A. 电压源和电流源
B. 电流源和电阻
C. 二极管和电流源
D. 二极管和电源
答案： C

10. 基极电流 IB、发射极电流 IE 和集电极电流 IC 之间的关系为
A. IE = IB + IC
B. IB = IC + IE
C. IE = IB – IC
D. IC = IB + IE
答案： A

11. 晶体管消耗的总功率是集电极电流和
A. 电源电压
B. 0.7V
C. 集电极 - 发射极电压
D. 基极 - 发射极电压的乘积
答案： C

12. 共发射极配置的输入阻抗为
A. 低
B. 高
C. 零
D. 非常高
答案： A

13. 共射极配置的输出阻抗为
A. 低
B. 极低
C. 高
D. 零
答案： C

14. 双极结型晶体管 (BJT) 有两种类型：
A. nnn 和 ppp
B. npn 和 pnp
C. pnn 和 npp
D. nnp 和 ppn
答案： B

15、BJT的常见故障有哪些？
A. 内部短路
B. 偏置电阻开路
C. 外部开路
D. nnp 和 ppn
答案： B

16. 数字电路中晶体管通常的工作区域是
A. 有源区域
B. 线性区域
C. 击穿区域
D. 截止和饱和区域
答案： D

17. 射极跟随器配置的另一个名称是
A.公共基极放大器
B. 公共发射极放大器
C. 公共集电极放大器
D. 达林顿对
答案： C

18. BJT 是 _________，FET 是 ________
A. 双极和单极
B. 双极和双极
C. 单极和单极
D. 单极和双极
答案： A

19. 共基极配置 (α) 中的电流增益为
A. 基极电流与发射极电流之比 (IB/IE)
B. 集电极电流与发射极电流之比 (IC/IE)
C. 集电极电流与基极电流之比(IC/IB)
D. 无
答案： B

20. α 和 ß 之间的关系为
A. α = ß / (ß​​+ 1)
B. ß = α / (1 – α)
C. α = ß * (ß + 1)
D. α = ß / ( ß​​– 1)
答案： A 和 B