在CD系统采用半导体激光器

在CD系统采用半导体激光器 　　摘要：半导体激光器(LD)作为读取光盘信息的光源，它的CD，DVD播放/ CD系统，如ROM等重要设备，其性能往往决定了系统的整体性能。已经叙述的发展历程和特点的CD使用LD的文章，并介绍了近红外，红光，紫光LD和双波长LD强调的发展现状。 / P\u003e 　　关键词：LD;光盘; DVD; CD系统 　　类号：TN365文献标签：B中的文章编号：1006-6977(2000)11-0003-04一个CD系统采用LD的发展历程 　　近红外的AlGaAs双异质结的室温下出现连续振荡780nm波长的半导体激光读出光盘(DH)起源于1970 LD [1]，之后这种没有克制的颤抖的整体电极装置方面，人们开发，分发，抑制电流和增益噪声温度比从酒吧中和区的交汇点，使稳定的增益与噪声温度比波导型器件的振荡模式[2]但是，有分布折射率折射率波导结构[3]在上七十年代后期再结的平行方向上，这是在光盘系统使用LD现在的基本结构。日本先锋的公司，如近红外LD，夏普公司在1982年提出更换气体激光管，和CD播报安装了它，LD读出光源的光盘来正式从那时起的时代。与CD的高密度，劳工处向短波长的发展了。 1985年，多个小林组为首的研究机构采用磷化铝铟镓材料实现的670纳米红光LD，广山，等室温连续振荡成功。发达630nm的红光LD又在1992年，这种红光LD是用于DVD的礼物光源。而在400nm的紫灯那个村庄，等。发展是越来越尤其是在氮化铟镓LD世界更多的兴趣。这种400nm的紫色光的InGaN激光器将最有可能使用的光源作为下一代高密度光盘。为了简化DVD光头结构，加强整机，在1999年和稳定性，如索尼，东芝等公司引进并集成了双波长LD激光器有两个LD的。这样，飞利浦公司采用两种30cm的交集和直径和丙烯和切片的交点的交点发展成将它在10月和11 1996 1982对记录的交集和CD的交点和模拟信号的雏形该层压板，并成为1972年月亮上市的CD，DVD数码视盘，光源，气体激光器发展到近红外和650nm的短波甚至长半导体激光器或从氦氖633nm波长的相应太红光集成器件为780nm。 　　2激光器是用在CD系统应具备的特征 　　在读取CD信息与劳工​​处，这劳工处应具备以下特点。 　　2.1摇波长 　　如果显示的光点直径的激光束，?结果表明，甩头该波长的数值孔径NA表示与D，那么D直接广播的对象玻璃? / NA，即小?是或NA是更大的，更小的斑点，则CD在存储密度的高。从CD到DVD，波长缩短从为780nm到650nm，NA增加从0.45到0.6，光点直径是从2.1米减至1.3米，内存容量从640MB /横向提高到4.7GB。它使用400nm的紫色光LD，CD的容量，但当时高达15GB /侧。很明显，在较短的波长，该CD是在内存密度高。 　　2.2电 - 光输出 　　的电 - 光输出特性包括光输出，阈值电流，工作电流等，如果用在CD返回，那么光输出应达到2 - 8毫瓦，至少，用于在CD的负载，那么光输出必须是在上述30mW的。但它是更好的阈值电流和工作电流是低。 　　2.3振荡模式 　　振荡模式应该选择基本横向模，也应控制米中的电流的注入区域，以形成相应的光限制结构。 　　2.4噪音 　　降低光盘的反射光返回到catacaustic噪声，该激光器产生，必须使激光振荡模式的多模。 　　2.5可靠性 　　当在普通CD系统中，LD的在60?的操作温度下使用的，但可用于在≤70计算机光盘设备的要求。在60下的条件是什么? ?或70，仍然需要LD的平均寿命达到上述5000 - 10000小时。它们之间的波长主要取决于材料，其它特征往往是通过严格的结构得到控制的，所以晶体激光器的生长通常采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)帮助控制在外延层或分子束外延(MBE)技术来完成。 　　3光盘系统使用的半导体激光 　　3.1砷化铝镓LD和LD的AlGaInP 　　的砷化铝镓近红外LD和磷化铝镓铟红光LD两种器件 　　基本晶体分层结构。附近的其他红色LD结构一般完成外延生长2倍，通过厚度和精确控制各层的载流子浓度，可以得到不同的特点，CD光盘需要。该设备专门用于高输出30mW的研究目前主要以上，以满足CD-R/RW的交集和光盘雕刻和系统的交叉点。提高光输出，必须防止激光从最终的结束和破坏穿透，降低工作电流。防止最终赔偿及一般需要和扩大源层的仅仅限制区域，增加了光束直径，以减少底光密度法。为了以稳定的横模，最初使用的可吸收激光的砷化镓作为电流阻挡层，但由于增加所有损耗，阈值电流和工作电流的激光被吸收后，再使用的AlGaAs比包层的Al组分大的，而不是与使阻挡层电流，产生从势垒层的Al组分不同，因此已经使用包层控制横模差些，但因为势垒层的非吸收光可以使工作电流进一步再降低折射率。因此，通过单纯的限制区域，电流阻挡层和谐振腔长，末端反射率的提高，成功开发的光输出在1995年的设备高达70mW的最后，并实现了并迅速商业化。 　　的红光LD应该说是致使近红外LD的技术积累，从晶体生长，结构控制到成品，在红光LD继续使用近红外LD的一些制造技术。用近红外LD相比，红光LD改变通过的AlGaInP四元材料具有更大的带隙并在源层，并采用能够精确地控制横模的crestiform结构的方式来缩短波长，所以结构更复杂。如果是的，因为导致与电子小的异质势垒，只有简单的双异质结构，因此温度越高，它就越容易碰到从源层的包层中的电子和溢出，这将使工作高温条件下的电流增加。在八十年代后期，近红外LD光源层引入了多量子阱超晶格(MQW)结构'反复交叉填充形成层状结构)由几百厚厚的不同组成部分的液晶层，从而降低光吸收源层，有效地降低阈值电流。然后人们会导致超晶格成红光LD来的InGaAsP，调整超晶格的，以使基片的源极层的晶格常数和晶格常数的微妙变化进一步发生，形成在源层中的压缩应变的超晶格成分这边走。实验证明：如果产生的压缩应变为0.5%，阈值电流可以通过减少25%，并与阈值电流的降低，阈值电流和温度的关系特性已经得到了改善大幅度。此外，对于改善噪声特性，必须成为原始文档的交集和幺模红光和LD多的交集。包括饱和吸收层的AlGaAs近红外线从脉冲激光'见图。图1(a))来到了这个技术发展的基础上，并注意到毫不逊色与它极低的噪音。利用饱和度的交集和化妆和休息时间，光吸收和吸收层机制的交集交集使其渗透光波是间歇性无法获得脉冲激光，从而变成很多车型，即使它不会影响激光的产生，要么，把光盘的反射光返回到LD，从而使噪声降低。人带领过饱和吸收层到到磷化铝的交集和红色单纯LD太，开发，来自脉冲后来就动模红光LD。这将是该光盘使用LD在未来与脉冲激光以其良好的噪声特性的发展方向。目前，近红外LD和红光LD已经开发圆通，并达到和商业化。 　　3.2氮化铟镓紫光LD 　　日本节的亚化学工业公司已在光的氮化镓蓝紫色发射装置的巨大贡献，在将它为1995年春天，氮化镓蓝绿光LED成功后，村，等。着手中的劣质太阳研究氮化铟镓紫光LD正式挂牌，并实现了紫激光连续振荡首次在同年的十二月份。成功地实现了室温的最后300小时1996年连续振荡，随后，他们又利用NEC的脱壳大米谁好了，等公司脚踏式倾斜锤。报告长出氮化镓(ELOG)，而被过度而被水平基板技术带来的紫色光LD室温寿命可达10000小时。 SiO2掩模ELOG基板技术不画谁州立大学Zheleva，等。由北Carol在美国于1998年发明的，是那些已经降低蓝宝石衬底和GaN之间有错位的密度，降低了阈值电流，通过有效地大幅提到的设备寿命，从而真正拉开的序幕商业化的装置。 　　有SiO 2的交叉点和ELOG的交点和掩模的衬底，它的2氮化镓 - 4米生长在蓝宝石基板上在第一，然后形成在其上的带材SiO2掩模，干式蚀刻到蓝宝石基板后，除去二氧化硅，然后氮化镓生长在形成带状的GaN一次。增长速度比因为带的GaN上面一侧的增长速度快，所以，一定时间后，氮化镓在其一侧越来越大，一方面将链接一个有机的整体，从而形成如镜面的光滑的GaN膜。直到人老晶格常数事业的一贯放错地方，上面延伸带的GaN唯一没有水平的氮化镓蓝宝石衬底，在一致的GaN的一侧生长误置很少之间延伸。通过区域短OFED放错地方，形成激光器结构陆续在这里，阈值电流密度只有2 - 4K A/cm2的，但在一致的错位许多领域做出阈值和电流密度的交集取2时间大概高。 1999年1月，日本的劣质公司刚刚率先实现的氮化铟镓紫光LD商品化对这种基板。 　　劣质公司带头，顶部的万小时紫色的光，寿命LD的交集之后会是1998年的一天，富士通，松下和CREE，惠普，SDL，施乐，西北大学和美国的波斯顿大学日本等加入研磨并发出这种装置的行，这使得紫光LD市场竞争日趋激烈。 　　3.3集成双波长LD 　　采用2光束LD的 　　DVD / CD / CD-R光头出现在1997年，因为这样的原因，如技术难度是很大的设备投资和DVD的需求无需成为新的被限制了，但在那个时候，大多只能维持和发展能力。不过，公司已经发布，并在使用索尼的电脑在1999年6月8日“Playstation 2游戏机(游戏机)”双波长半导体激光器的newses结合去年轰动，日本生产商，如东芝，夏普，松下，三洋，三菱，洛钼等。都为了加快双波长LD此起彼伏的发展做出了计划的日期。 　　双波长LD带单片集成或混合集成方法近红外LD和红光LD为一体的激光器组件集成。该单片集成式利用MOCVD技术来选择2种的Al x Ga-XAS和AlxGayIn1-X-Y​​P之间不同的源层的生长formatively在GaAs衬底，封装在4针的情况下，标准的5.6毫米直径终于。综合优势一块的是，发光点间隔证实，它是精确到由光刻工艺的地位，正是在这里，误差范围控制