HPMicro：FEMC应用指南

先楫FEMC的基本概念介绍

FEMC (Flexible External Memory Controller)全称为多功能外部存储器控制器。作为并行接口控制器，FEMC具有访问存储数据速度快的特点。

 HPM的FEMC只有一路，由于FEMC是并口，所以占用的管脚较多。而且HPM的FEMC信号引脚都是唯一的，没有重复管脚。如果用户使用FEMC接口，建议在硬件上先进行FEMC的设计。以下是HMP6700系列引脚配置。

引脚	名称	数量
FEMC_A_00~FEMC_A_12	地址信号	13
FEMC_BA0~FEMC_BA1	Bank选择信号	2
FEMC_CAS	列地址选通	1
FEMC_CKE	时钟使能信号	1
FEMC_CLK	时钟信号	1
FEMC_CS_0~FEMC_CS_1	片选信号	2
FEMC_DM_0~FEMC_DM_3	数据掩码	4
FEMC_DQS	数据选通信号	1
FEMC_DQ_00~FEMC_DQ_31	数据输入和输出信号	32
FEMC_RAS	行地址选通	1
FEMC_WE	写使能	1

HPM的FEMC在系统内存有两块区域。其中0xF3050000~0xF3053FFF为FEMC控制器区域，对应FEMC控制器的寄存器空间。0x40000000~0x4FFFFFFF为FEMC外部存储器的空间范围，该区域最大为256MB。因此，外扩的存储器范围最大为256MB。

FEMC使用的功能时钟为CLK_TOP_DRAM，最大支持166MHz工作频率。

HPM全系列FEMC配置情况

HPM的MCU只有部分型号支持FEMC。配置FEMC的MCU，其接口信号的引脚数量稍有不同。

HPMicro	FEMC	FEMC_DQ	FEMC_DM
HPM6700/6400	Y	32	4
HPM5300	N
HPM6200	N
HPM6300	Y	16	2
HPM6800	N
HPM6E00	Y	32	4

FEMC的典型应用

HPM的FEMC作为高性能存储器接口，适用于下面的典型应用。

• 1. SDRAM
• 2. SRAM
• 3. LCD屏
• 4. FPGA

下面是FEMC的主要特性：

● DRAM控制器，支持连接外部SDRAM
– 支持8/16/32 位数据模式
– 可以使用高16 位数据线访问16 位 SDRAM(当低16 位数据线的IO 被其他功能占用时)
– 最大支持166MHz 工作频率
– 支持通过APB 总线往SDRAM 发命令(READ, WRITE, MODE_SET, AUTO_REFRESH 等)
– 32位AXI 总线，内部读写数据buffer，最大outstanding支持8 级读和8 级写
– auto-refresh时间, bank 数, CAS 延迟, column 地址位数, burst 长度可配

● SRAM控制器，支持连接外部SRAM 或者兼容 SRAM 访问接口的器件
– 支持异步访问
– 支持数据地址复用模式(ADMUX) 或者非复用模式(Non-ADMUX)
– 支持8 位或16 位数据端口

HPM的FEMC支持DRAM控制器和SRAM控制器，如下表所示是HPM6700系列FEMC的信号映射表。FEMC_CS_1 信号或者用作 DRAM 的 CS_1，或者用作 SRAM 控制器的 SRAM_NCE。即 FEMC 外部可以同时连接 2 个 SDRAM 或者 1 个 SDRAM 和 1 个 SRAM。

FEMC 引脚名称	DRAM 信号	SRAM 信号(Non-ADMUX)	SRAM 信号(ADMUX)
FEMC_A_00~FEMC_A_07	A_00~A_07	A0~A7	A16~A23
FEMC_A_08~FEMC_A_10	A_08~A_10
FEMC_A_11	A_11	NWE	NEW（写使能信号 ）
FEMC_A_12	A_12	NOE	NOE（读使能信号）
FEMC_BA0	BA0
FEMC_BA1	BA1		NADV（地址/数据有效信号）
FEMC_CAS	CAS（列地址选通）
FEMC_CKE	CKE
FEMC_CLK	CLK
FEMC_CS_0	CS_0
FEMC_CS_1	CS_1	NCE	NCE（片选信号）
FEMC_DM_0	DM_0 （数据掩码）	NLB	NLB（低字节控制）
FEMC_DM_1	DM_1	NUB	NUB（高字节控制）
FEMC_DM_2	DM_2
FEMC_DM_3	DM_3
FEMC_DQS	DQS
FEMC_DQ_00~FEMC_DQ_15	DQ_00~DQ_15	D0~D15	AD0~AD15（地址/数据共享信号）
FEMC_DQ_16~FEMC_DQ_31	DQ_16~DQ_31	A8~A23
FEMC_RAS	RAS（行地址选通）
FEMC_WE	WE