1.零中频IQ架构分析
1.1 I路相位领先Q路90度
I路:
[acos(wct+ϕi)+a0]cosw0t
=0.5acos(wct+w0t+ϕi)+0.5acos(wct-w0t+ϕi)+a0cosw0t
Q路:
[bsin(wct+ϕq)+b0]sinw0t
=-0.5bcos(wct+w0t+ϕq)+0.5bcos(wct-w0t+ϕq)+b0cosw0t
I+Q:
=0.5acos(wct+w0t+ϕi)-0.5bcos(wct+w0t+ϕq) 第1项
0.5acos(wct-w0t+ϕi)+0.5bcos(wct-w0t+ϕq) 第2项
a0cosw0t+b0cosw0t 第3项
若a=b,ϕi=ϕq,第1项消失,此时就剩第2项,下变频。
若a≠b,ϕi≠ϕq,第1项相对于第2项就是镜频干扰,即边带干扰,根据幅度相位可以算出镜频干扰。
第三项就是直流分量引起的载波泄露。
因此,直流分量引起载波泄露,幅相不平衡影响镜频抑制,即边带干扰。
1.2 Q路相位领先I路90度
I路:
[asin(wc
射频电路IQ架构分析
最新推荐文章于 2024-05-06 17:32:03 发布
本文深入探讨了射频电路中的IQ架构,包括零中频和非零中频两种情况。在零中频架构中,分析了I路相位领先Q路90度和Q路相位领先I路90度时的信号处理,揭示了直流分量导致的载波泄露和幅相不平衡对镜频抑制的影响。非零中频架构通过特定条件下的信号处理,如IQ两路为余弦或正弦,实现了无需镜频滤波器即可消除镜像频率和边带干扰的效果。
摘要由CSDN通过智能技术生成