射频电路IQ架构分析

1.零中频IQ架构分析
在这里插入图片描述
1.1 I路相位领先Q路90度
I路:
[acos(wct+ϕi)+a0]cosw0t
=0.5a
cos(wct+w0t+ϕi)+0.5a
cos(wct-w0t+ϕi)+a0cosw0t
Q路:
[b
sin(wct+ϕq)+b0]sinw0t
=-0.5b
cos(wct+w0t+ϕq)+0.5bcos(wct-w0t+ϕq)+b0cosw0t
I+Q:
=0.5acos(wct+w0t+ϕi)-0.5bcos(wct+w0t+ϕq) 第1项
0.5acos(wct-w0t+ϕi)+0.5bcos(wct-w0t+ϕq) 第2项
a0cosw0t+b0cosw0t 第3项
若a=b,ϕi=ϕq,第1项消失,此时就剩第2项,下变频。
若a≠b,ϕi≠ϕq,第1项相对于第2项就是镜频干扰,即边带干扰,根据幅度相位可以算出镜频干扰。
第三项就是直流分量引起的载波泄露。
因此,直流分量引起载波泄露,幅相不平衡影响镜频抑制,即边带干扰。
1.2 Q路相位领先I路90度
I路:
[asin(wct+ϕi)&#

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