嵌入式linux启动信息完全注释-转载

摘要

我们在这里讨论的是对嵌入式linux系统的启动过程的输出信息的注释，通过我们的讨论，大家会对嵌入式linux启动过程中出现的、以前感觉熟悉的、但却又似是而非的东西有一个确切的了解，并且能了解到这些输出信息的来龙去脉。

嵌入式linux的启动信息是一个很值得我们去好好研究的东西，它能将一幅缩影图呈现在我们面前，来指导我们更加深入地理解linux内核。

 

关键字：linux，嵌入式，启动，bootloader

正文

作为一名嵌入系统开发者，你一定遇到过下面的情景：

在某论坛上看到一篇帖子，上面贴着嵌入式linux开发板启动时的有关信息，然后大家在帖子里讨论着这个启动过程中出现的问题，随机举例如下：

Linux version 2.4.20-uc0 (root@Local) (gcc version 2.95.3  20010315 (release)(ColdFire patches - 20010318 from http://f  (uClinux XIP and shared lib patches from http://www.snapgear.com/)) #20 三 6月 1  8 00:58:31 CST 2003  Processor: Samsung S3C4510B revision 6  Architecture: SNDS100  _disibledevent="margin: 0cm 0cm 0pt 18pt; text-indent: -18pt">①     第一部分bootloader启动阶段 ②     第二部分linux 内核初始化和启动阶段 第一节：start_kernel 第二节：用户模式( user_mode )开始，start_kernel结束 第三节：加载linux内核完毕，转入cpu_idle进程   第一部分 : bootloader启动 Boot loader v0.12   NOTE: this boot loader is designed to boot kernels made with the 2.4.xx releases bootloader for XV Built at Nov 20 2005 10:12:35   Bootloader头信息，版本，编译时间等，这个因不同的bootloader的设计而有所不同，由此你能看出bootloader的版本信息，有很多使用的是通用的bootloader，如u-boot，redboot等。 Loaded to 0x90060000     将bootloader加载到内存ram中的0x90060000处，即将bootloader加载到内存的高端地址处。 Linux内核将被bootloader加载到0x90090000处。   Found boot configuration     查找到了启动boot的配置信息   Booted from parallel flash     从flash中启动代码，此处的flash为并行闪存。Flash的分类列举如下： 闪存分三类：并行，串行，不可擦除。 ①并行Parallel flash NOR Flash，Intel于1988年发明．随机读取的速度比较快，随机按字节写，每次可以传输8Bit。一般适合应用于数据/程序的存贮应用中．NOR还可以片内执行(execute-in-place)XIP．写入和擦除速度很低。 NAND Flash，1989年，东芝公司发明．是以块和页为单位来读写的，不能随机访问某个指定的点.因而相对来说读取速度较慢，而擦除和写入的速度则比较快,每次可以传输16Bit,一般适用在大容量的多媒体应用中，容量大。如：CF，SM. ②串行Serial Flash 是以字节进行传输的，每次可以传输1-2Bit.如：MMC,SD,MS卡．串行闪存器件体积小，引脚也少，成本相对也更低廉。 ③不可擦除Mask Rom Flash的特点是一次性录入数据，具有不可更改性，经常运用于游戏和需版权保护文件等的录入。其显著特点是成本低。 注意：任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 从上面的信息，我们可以对flash类型特点有个比较明确的了解。   CPU clock rate: 200 MHz     开发板上所使用的CPU的主频为200MHZ．   DRAM size is 128MB (128MB/0MB)     动态内存ram大小为128M。这里我们列举一下内存的类型及工作原理。 根据内存的工作原理可以划分出两种内存：DRAM和SRAM ①DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件是不稳定的。为了将数据保存在存储器中，DRAM器件必须有规律地进行刷新。 ②SRAM是静态的，因此只要供电它就会保持一个值。一般而言，SRAM 比DRAM要快，这是因为SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，而DRAM存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。相比而言，DRAM比SRAM每个存储单元的成本要高。照此推理，可以断定在给定的固定区域内DRAM的密度比SRAM 的密度要大。   SRAM常常用于高速缓冲存储器，因为它有更高的速率；而DRAM常常用于PC中的主存储器，因为其拥有更高的密度。 在嵌入式系统中使用DRAM内存的设计比较广泛。   地址辅助说明： 先说明一下内存地址数字情况，主要是为了方便记忆。   可以访问的内存为4G。 0x40000000是1GB处；0x00040000是256K处，0x00020000是128K处，0x90000000是2GB多的地方。 1M->0x00100000, 2M->0x00200000, 8M->0x00800000 16M->0x01000000, 32M->0x02000000 256M->0x10000000 64K->0x00010000 4K->0x00001000 这个是个快速记忆的方法，你可以根据地址中1的位置和其后0的个数来快速知道换算后的地址是在多少兆的地方。比如，1的后面5个0，代表1M的大小，6个0，代表16M，以此类推。     ROMFS found at 0x46040000, Volume name = rom 43f291aa     romfs,只读文件系统所在的地址为：0x46040000 (flash映射后的第3分区)。 卷名为rom。 romfs和rootfs概念上有所区别。   flash在内存中的的起始地址为0x46000000,而ROMFS在flash分区上的起始位置为0x00040000，所以ROMFS在内存地址中的位置就为0x46040000。这个细节的部分可以参考flash分区时的地方，Creating 3 MTD partitions。   romfs中包括kernel和app应用，不包括bootloader和firmware信息头。romfs只读文件系统里的内容有很多种分类方法，我们可以将kernel和app同时放里面，作为根文件系统下的一个文件，也可以在flash上另外划分区域来分别存放。   VFS虚拟文件系统交换器 在linux系统中，目前已经开发出多种文件系统，那么如何让这些文件系统能共存在一个系统中呢，从linux 2.0开始，引入了虚拟文件系统管理器 VFS的概念。 Linux 下的文件系统主要可分为三大块： ①     一是上层的文件系统的系统调用， ②     二是虚拟文件系统交换器 VFS(Virtual Filesystem Switch)， ③     三是挂载到 VFS 中的各实际文件系统，例如 ext2，jffs 等。 VFS的确切叫法是Virtual Filesystem Switch虚拟文件系统交换器，这里的VFS中的“S”是指的switch，这个需要强调一下的，它很容易被混淆成“system”，如果理解成“system”将是不正确的，请多加注意。 VFS是具体文件系统filesystem的一个管理器。 VFS是Linux内核中的一个软件层，一种软件机制，它也提供了内核中的一个抽象功能，允许不同的文件系统共存，可以称它为 Linux 的文件系统管理者，与它相关的数据结构只存在于物理内存当中。所以在每次系统初始化期间，Linux 都首先要在内存当中构造一棵 VFS 的目录树。VFS 中的各目录其主要用途是用来提供实际文件系统的挂载点。而rootfs将是这个目录树的根结点的