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RSS订阅原创 电容滤波对单相不控整流的影响
单相不控整流电路下图是一个简单的单相桥式不控整流电路，VS为50Hz，Vpeak=100V的正弦电压源。1）若电容C=0此时我们可以很简单的得到输出电压波形为频率为100Hz的正弦半波2）电容不为0此时我们先进行定性分析①VS从0上升至100：整流桥导通，输出电压VD=VS，电阻电流iR=VD/R逐渐上升，电容电流iC=CdVD/dt>0，但是是逐渐减小的。②VS从100下降：此时整流桥仍然导通，输出电压VD=VS，电阻电流iR=VD/R逐渐下降，电容电流iC=CdVD/dt<
2022-05-19 09:21:52
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原创 电感感量公式推导
电感相关公式推导已知磁感应强度①B=uH其中u为介质磁导率，真空下磁导率u0=4π*10-7根据电感两端电压②u=Ldi/dt=Ndφ/dt可知，③ Li=Nφ，所以L=Nφ/i，又因为④NI=Hl，所以有i=Hl/N，其中l为有效磁路长度④代入③可得⑤L=N2φ/Hl，又有⑥φ=BS，代入⑤有⑦L=N2uS/l...
2022-01-08 14:37:28
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原创 MOS管GS两端并联阻容的作用分析
为何MOS管驱动电路gs两端会并接一个电阻（下拉电阻）？图1 MOS管驱动等效电路仿真分析如图所示MOS管驱动电路，定性分析可知，当MOS管关断时，MOS管两端应力为Vds，此时Vds向Cgd和Cgs充电，可能导致Vgs达到Vgs(th)导致MOS管误导通。以英飞凌MOS管IMZA65R048M1H为例，相关寄生参数为设此时应力Vds为600V，Cgs两端电压为此时Vgs已经达到，管子开启电压Vgs(th)如果Cgs两端并接电阻R=10k此时Vgs会慢慢降为0，Vds基本落在Cgd两端
2021-12-06 15:03:57
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转载 寄生电容和分布电容的区别
寄生电容和分布电容的区别【转】原文链接：http://www.360doc.com/content/19/0519/15/44130189_836719671.shtml
2021-08-09 14:34:16
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原创 逆变器直流电压利用率
逆变器直流电压利用率①单相半桥逆变器对于直流输入源为Ud的单相半桥逆变器，桥臂间输出电压uan波形为频率f与驱动频率相同，占空比1/2、幅值1/2UD的方波。傅里叶分解可得uan=2Ud/π(sinωt+sin3ωt/3+sin5ωt/5+sin7ωt/7+……)经滤波后可得基波分量u1=2Udsinωt/π其有效值为0.45Ud，幅值为0.64Ud②单相全桥逆变器对于直流输入源为Ud的单相全桥逆变器，桥臂间输出电压uan波形为频率f与驱动频率相同，占空比1/2、幅值UD的方波。傅里叶分解可
2021-04-12 11:31:34
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原创 电力电子中的宽禁带器件
电力电子中的宽禁带器件1、何为禁带？电子可以处于价带和导带之间，处于价带上的电子称之为价电子，即未脱离原子核束缚的电子；而导带上的电子称为导电子，即自由电子。电子从价带最顶层，到导带最下层的能量，称为禁带。如果禁带越宽，那就意味着电子从价带跃迁到导带的能量越大，也意味着材料越不容易成为导体。2、何为宽禁带材料？对于一般的本征半导体材料，如硅晶体，其本征激发而产生的自由电子和空穴对数量很少，晶体共价键结构相对稳定，禁带较宽。对于SiC而言，因为C原子有2层电子，而硅有3层，因此C原子对于外层电子的
2021-03-31 10:41:49
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原创 开关电源中的电感电容
开关电源中的电感电容和保险丝①电感材质：锰锌铁氧体、铁硅铝、磁粉芯，每种电感材质的磁导率μ是不一样的。作用：主要是滤波和储能，当然还有延迟和振荡等作用电感类型(按形状分)：工字电感：磁芯断面为工字型，一般用于小功率电源，初级输入整流，π型滤波，滤差模干扰，感量一般为1-3mH色环电感：作用与工字电感相同，但是漆包线线径大小为固定大小，线径较细，损耗较大，工字电感可自由绕制棒型电感：主要用于次级部分，感量一般很小1-5μH，线径较大，电流较大环形电感：绿环电感、黑环电感、黄白环电感，主要是内部
2020-09-24 16:41:02
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原创 开关电源中常用电阻
开关电源中常用电阻开关电源中最常用的有①贴片电阻常用封装：1812；1206；0805；0603，不同封装尺寸大小不同，功率不同，数字代表英制封装尺寸。贴片电阻上都会有数字表示阻值，例：103=10×10^3=10k；472=47 ×10^2=4.7k；151=15×10^1=150Ω前面带有R表示不足1Ω，例R100=0.1ΩR010=0.01Ω精密贴片由两位数字加一位字母表示(使用较少)，例62C=43.2k 62代表432 C代表10^268C=49.9k 68代表
2020-09-23 21:13:43
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原创 开关电源PCB Layout原则
开关电源PCB Layout原则现在以同步整流BUCK电路为例分析开关电源Layout原则首先分析工作原理，下文用SM指代Switch MOSFET，RM指代Recifier MOSFET。SM和RM两管互补导通，SM导通时电源给电感充电，SM电流i1线性上升；当RM导通时，i1变为0，电感给负载放电，RM电流i2线性下降，具体波形如下图所示。接着元器件就是布局规则①SM和RM上通过的电流存在较大的突变，即较高的 di/dt，和输入滤波电容会形成环路，该环路上PCB引线寄生电感(nH级别)会产
2020-09-08 11:07:14
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原创 Boost电路小信号建模分析
Buck电路小信号建模分析a^\widehat{a}a建模概述当Buck变换器控制系统的输入电压、负载都维持恒定，且系统无外界干扰时，输入电压Vg(t)、输出电压Vc(t)和控制量d(t) (注意此d(t)不是占空比，可以理解为调制波)皆为恒定值，可以用Vg、Vc和D表示。但是实际上，Vg(t)常常无法达到理想的直流，其中包含整流后的谐波等交流分量；在负反馈回路的作用下，驱动脉冲的控制信号d(t)也不是一个恒定的值，假设Vg(t)和d(t)中分别包含交流分量Vg^\widehat{Vg}Vg (t
2020-09-06 16:38:43
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原创 CMOS反相器的工作原理和动态传输特性
CMOS反相器的工作原理CMOS反相器由一个PMOS管、一个NMOS管、一个输入源Vi和一个直流电源Vcc组成。具体的真值表如下图所示Vi10Vo01①当Vi为低电平时，对于下管有Vgs<Vgs(th)，NMOS截止；对于上管有|Vg1s1|>|Vgs(th)|，且|Vg1s1|足够大，PMOS管进入可变电阻区，管压降很小，Vo=Vcc。②当Vi为高电平时，对于上管有|Vg1s1|<|Vgs(th)|，PMOS截止；对于下管有Vgs>Vg
2020-09-03 17:26:55
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原创 π型衰减器的参数计算及原理
π型衰减器π型衰减器的作用π型衰减器主要作用是对信号进行衰减处理，同时进行阻抗匹配，阻抗匹配主要是为了调整负载功率和抑制信号反射。①调整负载功率我们都知道最大功率传输定理，在负载电阻R=电压源内阻r时负载能获得最大输出功率Pmax=U·U/(4*r)。②抑制信号反射（仅针对高频信号）当一束光从空气射向水中时会发生反射，这是因为光和水的光导特性不同。同样，当信号传输中如果传输线上发生特性阻抗突变或者传输线的特征阻抗与负载阻抗不匹配也会发生反射，传输线的特征阻抗是由传输线的结构以及材料决定的（与传输
2020-09-01 10:49:09
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原创 HCPL3120手册翻译
HCPL3120手册翻译首先HCPL3120是一个2.5A电流输出的IGBT门极驱动光电耦合器。Description：HCPL3120包含一个磷砷化镓的发光LED，该LED被光电耦合于一个带有功率输出级的集成电路上。这些光耦合器适用于驱动应用在电机控制逆变器功率igbt和mosfet。输出级的高工作电压范围提供开关管所需的驱动电压。这些光耦合器所提供的电压和电流使它们非常适合直接驱动额定高达1200v / 100A的igbt。对于高额定值的IGBT, HCPL-3120系列可用于驱动离散功率级，再用
2020-08-29 10:54:48
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原创 MOS管的密勒效应开通关断损耗分析
MOS管的密勒效应密勒效应是指在MOS管开通时由于密勒电容Cgd的影响，导致栅源电压无法直接升至外加电压V，而是在保持Va一段时间后接着再上升至外加电压V。一般情况下，讨论MOSFET开关关断的过程，都是基于其有一个感性的负载，可以理解S极下面接了一个有二极管反并联的电流源（可以参考BUCK电路理解），具体的分析过程如下：①t0-t1Vgs<Vgs(th)，此时MOS管工作于截止区，VDS保持不变，电流保持不变。②t1-t2此时Vgs>Vgs(th)，管子开启，此时VDS很大，MOS管
2020-08-21 22:08:28
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原创 传递函数波特图的画法和理解
传递函数波特图的画法和理解传递函数波特图定义如何根据传递函数画波特图相角裕度的理解传递函数波特图的理解传递函数波特图定义首先波特图是描述系统频率和增益或者相角关系的坐标图，横坐标一般是ω(rad/s)或者是频率f(Hz)两者是关系是ω=2π f，本质上是一样的；纵坐标是增益Gain或者是相角Phase。如何根据传递函数画波特图首先在波特图里纵坐标是以增益的对数形式出现，用L(ω)表示，L(ω)=20lg|G(jω)|，横坐标虽然是ω，但是其刻度是按照lgω来均匀分布的。现在我们需要表示出模值和角频率
2020-08-15 17:17:33
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原创 当PN结加正向电压时，空间电荷区为何会变窄
为何当PN结加正向电压时，空间电荷区会变窄？首先模电书上描述如下：PN结外加正向电压，此时外电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，削弱了内电场，破坏了原来的平衡，使扩散运动加剧，漂移运动减弱，由于电源的作用。扩散运动将源源不断地进行，从而形成正向电流，PN结导通。书上的话我是这么理解：外电场和内电场方向相反，理应削弱内电场，破坏原有平衡，此时扩散运动加剧，漂移运动减弱。但是我仔细想想内部原理就有一个疑问：首先内电场是如何形成的？是由P区空穴扩散到N区、N区自由电子扩散到P区，两区接触靠近P区的地
2020-08-12 11:33:46
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原创 MOSFET和IGBT的对比
MOSFET和IGBT的对比MOSFET工作原理MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）全称金属-氧化物半导体场效应晶体管。首先以我们最常用的N沟道增强型MOSFET进行分析电气符号如上图所示总共有三个电极S（source）源极，D（drain）漏极，G（grid）栅极，如图所示，其中P区是一个杂志浓度低的P型硅材料作为衬底，其上有两处高掺杂的N型区域，分别通过金属铝（图中棕黄色）引出作为漏极和源极，通常将衬底和源极接在
2020-08-07 11:19:05
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原创 ADC的基本工作原理
ADC（analog to digital converter）的转换过程ADC的基本转换原理分为四个过程：①抗混叠滤波（Anti-aliasing），可以理解为一个低通滤波器②采样保持电路（Sample and hold）③量化（Quantizer）④编码（Coder）采样保持所谓采样就是将一个时间上连续变化的模拟量转化为时间上离散变化的模拟量。将采样结果储存起来，直到下次采样，这个过程叫作保持。量化和编码模拟信号通过ADC转换成数字信号的这一过程称为量化，由于量化输出的数字信号位数有限
2020-08-03 17:06:47
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原创 变压器的深入讨论
耦合电感和理想变压器的关系变压器和理想变压器在本质上都是一样的，都是绕制在同一铁芯上的多个通电线圈。这也就意味着忽略漏感后原副边绕组内的磁通是相同的但是耦合电感不一样，原副边的磁通并不相同，只是互感磁通相同。首先对于变压器原边绕组有e=-Ndφ/dt，原边绕组的磁通有三个来源：第一个是绕组自己产生并且在铁芯内的磁通φ1；第二个是其他绕组以互感的形式在该绕组内产生磁通φ2；第三个是绕组自己产生但是不在铁芯内的磁通φ3。因此φ=φ1+φ2+φ3，所以对于原边绕组，有u1=N1d(φ1+φ2+φ
2020-07-24 15:43:56
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原创 基于Altium Designer10的PCB设计入门过程
基于Altium Designer10的PCB设计入门过程原理图绘制原理图绘制①新建Project（工程）打开AD10，左上角依次点击File->New->Project->PCB Project，然后点击左上角 File->Save as…将工程文件命名并保存在你想要保存的文件夹。②新建Schematic(原理图)左上角依次点击File->New->Schematic，然后点击左上角 File->Save as…将原理图文件命名并保存在工程文件夹内，此时
2020-07-20 20:59:37
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原创 LC振荡电路以及考虑寄生参数时MOS管开通关断分析
LC震荡电路如图是最简单的LC震荡电路，根据拉普拉斯变换易得，Uo/Ui=1/（LCs2+1），将Ui=1/s代入有Uo(s)是
2020-07-16 17:23:04
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原创 放大电路不同频段耦合电容、旁路电容、极间电容和分布电容的分析方法
放大电路中的耦合电容、极间电容和旁路电路耦合电容：下图是一个最简单的阻容耦合型的共射放大电路，C1和C2就是耦合电容，我们都知道电容的作用是通交隔直，因为我们放大的交流信号，所以直流信号不会随着放大电路传递下去，稳定了多级放大电路的静态工作点极间电容...
2020-07-08 16:42:35
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原创 集成运放四种反馈组态的通俗理解
集成运放四种负反馈组态区分的通俗理解集成运放共有四种负反馈组态，①电压串联负反馈②电流串联负反馈③电压并联负反馈④电流并联负反馈首先我们来区分串联还是并联以及如何理解。集成运放有正负两个输入端子，如果反馈通路和输入通路不在一个极性的端子上，那么就是串联反馈，那么大家该怎么理解这个串联了，我个人的理解如下：(有错误可以指正）可以把集成运放内部N和P两个端子想象成由一个极大的电阻相连，因此反馈信号和输入信号通过一个大电阻串联，也就是串联反馈；同理如果反馈通路和输入通路在一个极性的端子上，那么就
2020-07-01 22:08:05
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原创 Boost电路连续、断续、空载状态分析与计算
Boost电路连续、断续、空载状态分析与计算电路参数设置电路参数如图所示，L=1uH，开关频率f=500kHz，输入电压Ui=4V，①若输出电压为8V，负载电流Io=2A，求占空比D？②若输出电压为8V，负载电流Io=0.25A，求占空比D？③电路空载分析？电路分析与计算首先计算临界连续电流...
2020-07-01 10:50:45
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原创 通俗理解电磁干扰及共模电感的原理
通俗理解电磁干扰及共模电感的原理电磁干扰抑制电磁干扰共模电感电磁干扰电磁干扰(EMI，Electro-Magnetic Interference)，主要分为两种，一种是传导干扰，一种是辐射干扰。这里用较为通俗的语言描述，传导干扰是指电信号干扰通过电路传导；辐射干扰是指电信号干扰产生磁场，磁场通过空间介质传导给其他电路。一个是电路内部传导，一个是电生磁从空间传导。抑制电磁干扰传导干扰可以通过从电路内部增加共模电感的方法抑制，辐射干扰可以安装金属机箱或者电笼等减少辐射干扰。共模电感共模信号是指大小相
2020-06-29 17:32:46
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原创 输入输出电阻的个人理解
输入输出电阻的个人理解输入电阻输出电阻输入电阻输入电阻是从输入端看进去的电阻，将电路中的独立源置0，受控源保留，外加输入电压U，计算可得输入电流I，输入电阻R此时就等于U/I。由于电压源内阻Rs的原因，若输入电阻越大则Rs分压越小，后级电路从信号源索取的电压就越接近于电源电压。输出电阻同理，输出电阻是从输出端看进去的电阻，将电路中的独立源置0，受控源保留，输出端口外加输入电压U，计算可得输入电流I，输出电阻R此时就等于U/I。输出电阻体现的是电路的带负载能力（例如共射放大电路），输出电阻越小，负
2020-06-29 11:39:05
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