flash必须先erase再写吗？

最新推荐文章于 2023-11-07 09:00:00 发布
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今天试了一下MICRON的N25Q128A（SPI接口的NOR flash），发现是这样，flash的比特写的话只能从1变成0，erase可以从0变成1。所以要实现正确的写的话，最好就是要先erase再写。

jasonxty
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专栏目录
为什么写flash时，要先擦除。
qq_31885403的博客
05-21 3787
总结：Flash需要先擦除后才能写入新的数据,这是由Flash存储单元的物理结构和写入机制决定的。Flash的每一个存储单元只能由1变0,无法由0变1。所以,需要先将目标存储段全部设为1(擦除),然后选择性地由1变0(写入),才能实现数据的修改或更新。那么之后,无论写入什么数据,都能由1变0,实现数据的写入。如果不先擦除,当需要由0变1的 bit 出现时,就无法完成写入操作,从而导致写入失败。这是因为，Flash存储器的存储单元是浮动栅极晶体管,每一个存储单元只能由1变0,无法由0变1。
arm端擦除nandflash的工具flash_erase
08-16
arm端擦除nandflash的工具flash_erase，用于写nand之前的擦除。
Linux 指令心法（十四）`flash_erase` 擦除Flash存储器
weixin_43564241的博客
11-06 1924
使用flash_erase命令，指定待擦除的分区和擦除的范围，例如flash_erase /dev/mtd2 0x20000 5表示擦除/dev/mtd2分区的从第2块开始的5块数据。使用flash_erase命令，指定待擦除的分区和擦除的范围，例如flash_erase /dev/mtd0 0x0 1表示擦除/dev/mtd0分区的第1块数据。当需要将flash中的数据重置为初始状态或清除flash中的数据时，可以使用flash_erase命令来擦除指定的flash区域，使其变为全1。
ARM 板卡 Flash 擦除
一个软件工程师的技术笔记
02-25 1259
概述 包括SPI（QSPI）Flash和NandFlash的擦除。 环境准备 各板卡对应的启动卡，不能从Flash启动系统。 使用电脑连接板卡调试串口。 擦除操作步骤 系统启动后执行如下命令，将擦除所有识别到的Flash分区，包括SPI（QSPI）Flash与NandFlash的分区。 LIST=$(cat/proc/mtd|awk-F':''{print$1}'|grepmtd);formtdin${LIST};doflash_er...
flash的读写和擦除
lin364812726的专栏
01-27 7843
这两天在做norflash，sd的读写操作，记录一下。 flash的特性是，写数据只能将1写为0，0不能写为1.擦除数据是将所有数据都写为1.因此如果想在已经数据的flash上写入新的数据，则必须先擦除。sdcard则没有这个特性，就直接可以写入新的数据。 例： 只列出每个文件的前4个字节，file A是flash的原始数据，接着不擦除数据，直接写入file B, result是写完后n
flash_eraseall和flashcp
mayue_web的博客
04-11 1万+
文章目录查看各分区对应的mtd设备号flash_erase 命令flash_eraseall 命令flashcp 命令参考资料 查看各分区对应的mtd设备号 cat /proc/mtd mtd块设备的大小可以通过查看分区信息来得到 cat /proc/partitions flash_erase 命令 作用：出指定范围内flash的内容，如果不指定，默认擦出起始位置的第一块，使相应flas...
STM32 读写内部flash
07-21
在休眠模式下，可能需要唤醒后再执行Flash操作。 6. **固件升级**：STM32的内部Flash还支持在线固件升级（OTA）。通过预留一部分未使用的扇区，可以实现程序的热更新，无需外部存储设备。 在实际应用中，开发人员...
LPC1700 读写SPI flash MX25L例程_LPC1700SPIFLASH_
09-29
在写入数据时，需要先执行写使能指令，再发送写入指令和数据，最后可能需要等待一段时间（等待写入完成，即WIP位清零）。 LPC1700的SPI接口可以实现高速数据传输，这使得它能够高效地读取或写入MX25L的大容量数据。...
STM32F103 FLASH读取例程
01-17
在编程过程中，我们需遵循特定的擦写顺序，不能对已编程的数据进行覆盖，必须先擦除再写入。 USR_FLASH.c和USR_FLASH.h是本例程的核心文件。USR_FLASH.c包含实际的Flash读取和写入函数实现，而USR_FLASH.h则定义了...
读写内部FLASH 按字，按半字，按字节.zip
10-04
STM32通常需要先擦除指定的页或块，然后再写入新的数据。以下是基本步骤： 1. **检查目标地址所在的页**：确定要写入的数据位置，计算其所在的Flash页。 2. **擦除操作**：使用特定的函数或API擦除目标页。STM32...
EraseFlash
10-15
自动擦除和覆盖已有的磁盘数据，自己将磁盘写满然后自动退出编程，对于离职前有些公司不然个人重装系统，将文件删除后，填充数据，是防止个人资料泄露的办法之一。
Bsp_nandflash.rar
08-21
写操作涉及到编程操作，需要先擦除相应Block，再进行Page编程；擦除操作则涉及发送擦除命令并等待操作完成。 3. 错误处理：在进行数据传输时，驱动需要检查硬件状态和返回码，以确定操作是否成功。遇到错误时，可能...
flash_erase擦除NAND flash坏块失败
热门推荐
yuanlulu的博客
03-10 2万+
板子使用busybox文件系统，带了mtd-utils的工具，包括flash_erase。首先查看帮助信息： [root@M3250 ~]# flash_erase --h Usage: flash_erase [options] MTD_DEVICE Erase blocks of the specified MTD device. Specify a count of 0 to e
为什么写flash之前需要先擦除
可可西里
09-19 662
flash是一种掉电不丢失的存储介质，由于它的硬件特性（晶体管）只能从1写为0，所以在写之前，需要将当前页擦除，全部写为1，然后再写入。如果不擦除，直接写入是会失败的。
为什么flash需要先擦除再写入
swd22的博客
12-09 1043
.....
Eeprom和Flash的区别
weixin_34375251的博客
06-27 441
　　存储器分为两大类：ram（内存：随机存储器）和rom（外存：程序存储器），分别存数据和程序。 　　ram就不讲了，今天主要讨论rom。 　　（1）rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。 　　（2）后来出现了prom，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。 　　（3）人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一...
flash_erase and flash_eraseall
yangruibao的专栏
05-08 6604
http://www.wuxinxinggg.com/flash_erase-and-flash_eraseall     使用命令前用cat /proc/mtd 查看一下mtdchar字符设备；或者用ls -l /dev/mtd* #cat /proc/mtd dev:    size   erasesize  name mtd0: 00c00000 00020000 “ROOTFS
NOR Flash的三种基本操作擦（erase），写（write），更新（update）实现方式
bkyy123的博客
05-02 1万+
//分享一下芯片底层Flash操作，因为工作相关，主要接触三星的芯片居多。很多芯片应用都是由芯片厂商提供API来辅助开发，API是个黑盒，知道输入条件和结果。降低了客户开发的难度，但是API需要导入LIB才能使用，占用空间啊。其实根据芯片的usermanual完全可以自己实现。一.擦（erase）    Flash 的编程原理都是只能将 1 写为 0，而不能将 0 写为 1。所以在 Flash 编...
Linux 指令心法（十五）`flash_eraseall` 擦除整个Flash存储器
最新发布
weixin_43564241的博客
11-07 1496
当需要销毁或清除闪存设备中的敏感数据时，可以使用flash_eraseall命令来擦除整个分区的数据，并进行坏块检测，以确保数据不被恢复。使用flash_eraseall命令，指定待擦除的分区设备，例如/dev/mtd0，即可擦除整个分区的数据，并进行坏块检测。使用flash_eraseall命令，指定待擦除的分区设备，例如/dev/mtd0，即可擦除该分区的所有数据。在开发或调试过程中，可能需要清除闪存设备中的特定分区数据，以便重新写入新的数据或固件。
STM32G4 读2K Flash 写2K Flash
04-28
STM32G4系列的Flash存储器可以通过代码来进行读写操作。读取Flash存储器的步骤如下： 1. 选择Flash存储器的地址和数据宽度。 2. 设置Flash存储器的读取模式。 3. 通过指针读取Flash存储器中的数据。 以下是一个读取2K Flash的示例代码： ```c #include "stm32g4xx_hal.h" #define FLASH_START_ADDRESS 0x08000000 #define FLASH_DATA_WIDTH FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE uint8_t flash_data[2048]; void read_flash(void) { uint32_t flash_address = FLASH_START_ADDRESS; uint32_t flash_data_size = sizeof(flash_data); // 选择Flash存储器的地址和数据宽度 FLASH_EraseInitTypeDef erase_init; erase_init.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; erase_init.PageAddress = FLASH_START_ADDRESS; erase_init.NbPages = 1; // 设置Flash存储器的读取模式 HAL_FLASH_Unlock(); HAL_FLASHEx_Erase(&erase_init, NULL); // 通过指针读取Flash存储器中的数据 for (uint32_t i = 0; i < flash_data_size; i++) { flash_data[i] = *(uint8_t *)(flash_address + i); } HAL_FLASH_Lock(); } ``` 写入Flash存储器的步骤如下： 1. 解锁Flash存储器。 2. 选择Flash存储器的地址和数据宽度。 3. 设置Flash存储器的写入模式。 4. 写入数据到Flash存储器中。 5. 锁定Flash存储器。 以下是一个写入2K Flash的示例代码： ```c #include "stm32g4xx_hal.h" #define FLASH_START_ADDRESS 0x08000000 #define FLASH_DATA_WIDTH FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE uint8_t flash_data[2048]; void write_flash(void) { uint32_t flash_address = FLASH_START_ADDRESS; uint32_t flash_data_size = sizeof(flash_data); // 解锁Flash存储器 HAL_FLASH_Unlock(); // 选择Flash存储器的地址和数据宽度 FLASH_EraseInitTypeDef erase_init; erase_init.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; erase_init.PageAddress = FLASH_START_ADDRESS; erase_init.NbPages = 1; // 设置Flash存储器的写入模式 uint32_t flash_error = 0; HAL_FLASHEx_Erase(&erase_init, &flash_error); // 写入数据到Flash存储器中 for (uint32_t i = 0; i < flash_data_size; i++) { HAL_FLASH_Program(FLASH_DATA_WIDTH, flash_address + i, flash_data[i]); } // 锁定Flash存储器 HAL_FLASH_Lock(); } ``` 需要注意的是，写入Flash存储器时需要先将Flash存储器擦除，再进行写入操作。同时，Flash存储器只能被擦除和写入一次，因此在进行写入操作时需要谨慎处理。

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