Inside NAND Flash Memories.中文版. Chatper 2 [2.1-2.2.1]

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分类专栏： NAND Flash Memories
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本文链接：https://blog.csdn.net/xuqikang/article/details/99711613
版权

2.1 Introduction 

 半导体存储器分类：

RAM：Random Access Memories--掉电丢失

ROM：Read Only Memories--只读，出厂时写好；掉电不丢失；不可更改。

NVM：Non-Volatile Memories--电可擦除/写入，并且掉电不丢失。第一类产品为EPROM memory (Erasable Programmable Read Only Memory)，由命名可知，这类产品在起初还是归为ROM，因为起初擦除很慢。而如今NVM擦除写入均很快。

 flash工作原理简介:

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nand flash基础——读写擦操作
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1.2 Flash memory architectures（flash架构） Flash存储器主要有两种结构：NOR Flash和NAND flash。 NOR -- NAND flash对比： ①从上图片中可以看出：NAND Flash只在两头有两个接触金属接出，因此面积较小，随机存储却慢；NOR反之。 ②下图所示。NAND可以持续同时写入4~8kB，故其页写入速度很快。 ...
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2.2.4 引脚分配2.3.1 读操作Read function的作用是。为了实现此目标，。在执行读算法所需时间后，NAND device输出data sequence。基于，NAND）能够理解host何时发出命令/地址，或何时应该执行数据输出。--命令周期：CLE为高--Fig.2.11显示了，如果CLE为高，则CI识别为Cmd cycle，此时，DQs上的8-bit value代表命令代码。--地址周期：ALE为高--Fig.2.12显示了。
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2 NAND overview: from memory to systems 2.2 NAND memory 内存单元是以矩阵的形式排列的。在NAND string中，内存单元是32个或者64个一组串行连接的，两个选择晶体管放在string的两个边缘，以保证source line(thought MSLM_{SL}MSL​)和bitline之间的连通。NAND string之间共享bitline...
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