阅读笔记：Inside NAND Flash Memory. Chapter 2.

2 NAND overview: from memory to systems

2.1 Introduction

半导体内存 (Semiconductor memory) 分为两大类：RAM (Random Access Memories)和ROM (Read Only memoris)。当电源关闭时RAM中的数据会丢失，而ROM会永远保存其中的数据。
第三类介于两者之间，NVM（Non-Volatile Memories，非易失性存储器的缩写），其内容可以通过电子方式更改，但在电源关闭时也会保留。这类存储器比原始的ROM更为灵活，ROM的内容在制造过程中就已经确定，消费者无法进行更改。

2.2 NAND memory

内存单元是以矩阵的形式排列的。在NAND string中，内存单元是32个或者64个一组串行连接的，两个选择晶体管放在string的两个边缘，以保证source line(thought $M_{SL}$)和bitline之间的连通。NAND string之间共享bitline，控制门(Control Gate)通过字线(wordline)相连。

逻辑页由同一个字线下的内存单元组成，每个字线下的逻辑页数目取决于内存单元的存储能力。Flash memory可以分为SLC、MLC、TLC、16LC.
如果我们考虑SLC的情况，奇偶单元来自两个不同的页。比如说一个4kB page的SLC设备有一个65536 cells的字线。而在MLC的情况下，由于每个内存单元可以存储两位，Least Significant Bit (LSB) 和 Most Significant Bit (MSB)，因此我们会有4个页：

• MSB and LSB pages on even bitlines
• MSB and LSB pages on odd bitlines

所有共享同一组字线的NAND string是一起擦除的，称作一个闪存块(block)，图2.2所示有两个块，其中一个由$W{L}_0$<63:0>组成，另一个块包含$W{L}_1$<63:0>。

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未完待续…