4G模组【PSM + 超低功耗】快速入门与提升学习教程

今天跟同大家认识一款支持三种功耗模式的模组--4G-Cat.1模组,同大家深入了解4G模组【PSM + 超低功耗】。

4G-Cat.1模组支持三种功耗模式:

  • 常规模式

  • 低功耗模式

  • PSM+模式

用户可以根据不同的应用场景,按需选择不同的4G-Cat.1模组功耗模式,以及三种功耗模式之间的相互转换。

4G-Cat.1模组优异的低功耗表现,既有来自硬件设计的加持,也有软件协议算法的帮助。除实验室数据外,其更关注实网环境下的功耗表现,呈现给用户的效果更多以实网在线表现为准。

很多客户的实际应用场景,是不需要和服务器保持长连接的,一天甚至一周上传一两次数据,就能满足实际的项目需求了。

如果用第二种低功耗模式,有些大材小用,针对这种情况——可以使用PSM+模式。

本次,先带大家过过PSM+模式下——LuatOS开发代码;下一次,再给大家介绍长连接低功耗模式的代码。

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一.主要硬件准备


这里大致说下需要准备的硬件条件:

  • Air780E全IO开发板一块:
    测试前需要将开发板上端USB下方的C2处ESD吹掉,要不会有大约20微安的漏电流。

  • 支持数据传输的USB线一根;

  • 一个可调电源:
    可调电源最好是能精确的捕捉到μA电流的电源,本次笔者使用的是Air9000P手持可调电源。

二.PSM+超低功耗示例源码下载


因为笔者手上用的是Air780E,本文示例中用到的代码,可以在这里下载:

https://gitee.com/openLuat/LuatOS-Air780E/tree/master/demo/pm

需要用的代码在“780E_Lowpower”文件夹目录下:

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如果您手上是其他模组,如Air780EP或者Air780EPS,则可以查看Air780EP/Air780EPS对应仓库下的pm文件夹

注意:Air780EP/Air780EPS和Air780E的AGPIO(即休眠后可保持之前状态的GPIO)不一样。

AGPIO在休眠的时候,为了维持之前的状态,也是需要耗电的。所以如果您的应用中部分AGPIO不需要例如LED灯等,可以直接关闭,来进一步省电。

三.PSM+超低功耗示例源码讲解


对LuatOS不太了解的朋友,可以先看看相关介绍:
https://docs.openluat.com/LuatOS/

接下来,我们开始进行PSM+超低功耗示例源码的大致讲解。

3.1  main.lua

LuatOS中,代码的起始位置是从main.lua第一行开始的,本文使用的是PSM+模式,所以打开第12行的注释,屏蔽第11行的代码。

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3.2  psm_plus.lua

1)设置服务器

进入psm_plus.lua可以看到:

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在这里,改成用户自己使用的服务器的IP/域名以及端口号;

测试服务器相关资料详见:
https://netlab.luatos.com/ 

进入后选择打开TCP/UDP,根据用户服务器类型自行选择。

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打开后,如下图红框所示位置即是IP和端口号:

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local period = 3*60*60*1000 --3小时唤醒一次

这一句是唤醒时间的设置,时间设置唤醒的时间单位为ms。所以如果你有更长时间的唤醒需求,如一天唤醒一次,可以改动最前面的3为24。

特别提醒:
这个TCP服务器仅能当作测试来用,刷新一下网页或者你电脑网络有波动断网一下,就会断开,重新打开TCP端口就会变。

2)获取唤醒原因

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上面两句是获取了一下当前唤醒的原因,是正常开机,还是设置的定时器启动,或是串口/AGPIO唤醒。

3)testTask函数

直接拉到psm_plus.lua最后一行;其实上面所有的函数都是基于最后一行的task跑的:

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本句的意思是启动一个task,在task里运行第14行的testTask函数,并传入了d1Name这个变量,传入了netCB这个回调函数,以及给testTask传入了server_ip和server_port这两个参数。


接下来,我们看看testTask这个函数的前一小段:

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先判断了一下当前唤醒是什么原因唤醒的,并将对应原因赋值给了一个叫做txData的变量,并且判断了下是上电开机还是休眠唤醒。

如果是休眠唤醒,则主动退出飞行模式(因为模组在休眠的时候会进入飞行模式,减小因为可能的网络波动引起的功耗增大等异常)。


下面这一段就是与TCP服务器链接的全过程,如果链接失败会重连3次:

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接下来这段配置了uart1的波特率为9600,方便外部串口设备从串口唤醒模组(注:9600状态下唤醒模组比较方便,如果是115200或其他波特率,可能需要发送多次数据才能走串口唤醒模组)。

如果不影响产品功能,需要将所有AGPIO在休眠状态下的高电平输出关闭,可以进一步节省耗电,比如本示例中对GPIO32的操作就是这一原因。

关于AGPIO和GPIO对应编号,如下图所示:

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最后这段代码,启动了深度休眠也就是PSM+模式的定时器:

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后面的period参数,就是脚本最上面我们设置的定时休眠唤醒时间;后面进入飞行模式,是避免因为基站网络波动导致的异常功耗;然后,才真正进入了PSM+模式。如果进入不成功,15秒后会重启模组。

  • 如果是串口唤醒,那么服务器会收到”uart1 wakeup“的数据;

  • 如果是GPIO唤醒,那么服务器会收到"pad wakeup";

  • 如果是定时器唤醒,那么服务器会收到"timer wakeup";

  • 如果当前是上电开机去链接服务器,那么服务器会收到"normal wakeup"。

在没有数据发送的时候,模组实测待机功耗为下图的3μA:

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今天就分享到这里了...

<think>好的,用户想了解锂电池的自放电特性、原因和分析。我需要先回顾一下自放电的基本概念,然后分点整理特性和原因,再结合分析方法。首先,自放电是指电池在未使用时容量自然减少的现象。这可能和化学副反应、内部短路、电解液分解等有关。 根据用户提供的引用[^1],内阻会影响电池性能,尤其是在高功率和快速充放电时。虽然引用主要提到充放电曲线分析用于评估内阻,但自放电也可能内阻有关联,可能需要进一步确认两者之间的关系。比如,自放电过程中可能伴随内阻的变化,或者内阻较高的电池自放电率是否更高? 接下来,我需要明确锂电池自放电的主要原因。通常包括:电极材料的化学不稳定性导致自反应,电解液的分解,隔膜中的微短路,温度的影响,以及制造缺陷。例如,负极的SEI膜不稳定可能导致持续电解液分解,正极材料电解液反应等。 分析自放电的方法包括长期静置测试,测量电压衰减率,库仑效率测试,电化学阻抗谱(EIS)等。这里可以结合引用中的充放电曲线分析,说明如何通过观察电压变化来判断自放电情况。例如,静置期间电压下降的速度可能反映自放电率,而EIS可以分析内阻变化对自放电的影响。 需要注意的是,用户可能不仅想知道原因,还想了解如何测试和改善自放电。所以,在回答中除了分析原因,还需要提到检测方法和可能的优化措施,比如改进材料稳定性、优化电解液配方、提高制造工艺等。 另外,用户的问题结构需要分特性、原因、分析三个部分,结构要清晰。需要确保使用正确的中文术语,避免专业术语错误,同时保持语言简洁易懂。可能还需要生成相关问题,如自放电对电池寿命的影响,如何减少自放电等。 最后,检查是否有遗漏点,比如温度对自放电的影响是否详细说明,或者是否提到不同锂电池类型(如LiFePO4 vs NMC)自放电特性的差异。需要确保覆盖用户需求的所有方面,并正确引用提供的参考内容。</think>### 锂电池自放电特性、原因及分析 #### 一、自放电特性 1. **容量损失速率** 锂电池在静置状态下容量会逐渐降低,自放电率通常为每月$1\%$至$5\%$,具体速率受温度、荷电状态(SOC)和电池老化程度影响。 2. **电压衰减特性** 自放电过程中,电池开路电压(OCV)会随时间下降。例如,满电状态下锂电池静置30天后,电压可能下降$10-50\,\text{mV}$(具体数值因材料体系而异)。 3. **温度依赖性** 自放电速率随温度升高显著加快,遵循阿伦尼乌斯方程。高温(如$40^\circ\text{C}$)下的自放电速率可能是常温($25^\circ\text{C}$)的$2-3$倍。 #### 二、自放电原因 1. **化学副反应** - **正极侧**:锂离子从正极(如LiCoO₂)脱出后,可能电解液发生氧化反应,例如: $$\text{LiCoO}_2 \rightarrow \text{Li}_{1-x}\text{CoO}_2 + x\text{Li}^+ + x\text{e}^-$$ 释放的电子电解液中溶剂(如EC、DMC)反应,导致活性锂损失。 - **负极侧**:石墨负极表面的固态电解质界面(SEI膜)若不稳定,会持续电解液反应,消耗锂离子。 2. **内部微短路** 电池内部枝晶生长或隔膜缺陷可能导致局部短路,形成微小电流通路,引发自放电。 3. **制造工艺缺陷** 杂质颗粒(如金属粉尘)或极片边缘毛刺可能刺穿隔膜,造成轻微短路。 #### 三、分析方法 1. **长期静置测试** 将电池充电至$100\%$ SOC后静置,定期测量电压和容量,计算自放电率。例如: $$ \text{自放电率} = \frac{\text{初始容量} - \text{静置后容量}}{\text{初始容量} \times \text{时间(月)}} \times 100\% $$ 2. **电化学阻抗谱(EIS)** 通过分析阻抗谱中欧姆内阻($R_\Omega$)和电荷转移阻抗($R_{ct}$)的变化,判断副反应对自放电的影响。 3. **差分电压分析(DVA)** 通过充放电曲线微分处理,识别因自放电导致的电压平台偏移或容量损失特征点。 #### 四、优化方向 1. **材料改进**:使用高稳定性正极材料(如LiFePO₄)或优化SEI膜形成添加剂。 2. **工艺控制**:提升隔膜均匀性,减少金属杂质污染。 3. **使用管理**:避免长期存储于高温或满电状态,推荐存储SOC为$40\%$-$60\%$。
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