SRAM cell 详解

最新推荐文章于 2024-12-12 19:29:15 发布

young_change

最新推荐文章于 2024-12-12 19:29:15 发布

阅读量7.1k

点赞数 4

分类专栏：存储器文章标签：储存器操作系统

本文链接：https://blog.csdn.net/young_changge/article/details/118732159

版权

本文介绍了SRAM的基本结构和工作原理，重点解析了6T-SRAM单元，包括standby、读取和写入操作。6T-SRAM由6个晶体管构成，其核心是两个反相器形成的锁存器。读取时，通过位线的charge sharing和分压产生电压差，利用外部放大器读出数据；写入则通过改变位线状态来更新存储内容。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

最近对存储器单元比较好奇，学习一下。

静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）是一种随机存取存储器，只要保持通电，储存的数据就可以保持。而动态随机存取存储器（DRAM）所储存的数据就需要周期性地刷新。
“随机存取”意味着在 SRAM 单元阵列中，每个单元都可以按任何顺序读取或写入，无论最后访问哪个单元。

1.6T-SRAM cell

常见的SRAM的结构为6T-SRAM
其实等价于SR锁存器
在这里插入图片描述

6T，即由6个晶体管所组成，单元的核心由两个 CMOS 反相器（M1、M2、M3、M4）构成，其中每个反相器的输出电位作为输入馈送到另一个反相器。连接到M5、M6的gate信号是word line(缩写成WL)，是用来控制SRAM bit-cell的开关信号，M5、M6一起打开或关闭。M5、M6的Drain端是读出或写入的bit line(缩写成BL)。

如图所示，由M1、M2组成一个inverter，由M3、M4组成另一个inverter，这两个inverter的output分别接到另一个inverter的input，构成一个latch，从而可以将数据锁住。从这里可以看出与SR锁存器实际是等价的。

SRAM的基本单元有3种状态:standby (电路处于空闲),reading(读)与writing(修改内容). SRAM的读或写模式必须分别具有"read