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FETBasicStudy
关于工艺设计、FET设计的基本知识学习。
Chipei Kung
为了曾经那个轻易许下的梦
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L-Edit: 基本操作
Tanner L-Edit的基本操作,勿忘原创 2022-08-15 20:18:16 · 7297 阅读 · 0 评论 -
Hspice: 安装心得
Hspice 2016 2019 安装心得,最容易出现的几个问题,在这里记录原创 2022-07-26 14:24:10 · 2714 阅读 · 5 评论 -
Spice:基础概念
Hspice(Synopsys), Spectre(Cadence), Eldo(Mentor)原创 2022-07-20 16:40:32 · 4390 阅读 · 0 评论 -
电磁波:频率、波长、反射波
电磁波:频率、波长、反射波原创 2022-04-26 21:12:10 · 924 阅读 · 0 评论 -
IC: S-Edit,T-Spice,W-Edit,L-Edit与LVS各自的关系
集成电路版图编辑器L-Edit(Layout-Editor)在国内已具有很高的知名度。 Tanner EDA Tools 也是在L-Edit的基础上建立起来的。整个设计工具总体上可以归纳为电路设计级和版图设计级两大部分。即以S-Edit为核心的集成电路设计、模拟、验证模块和以L-Edit为核心的集成电路版图编辑与自动布图布线模块。电路设计级包括电路图编辑器S-Edit、电路模拟器T-Spice和高级模型软件、波形编辑器W-Edit、NetTran网表转换器、门电路模拟器GateSim,以及工..转载 2021-10-26 09:34:00 · 3525 阅读 · 0 评论 -
半导体工艺:Bulk Si,SOI,FinFET,GAA等工艺
半导体发展至今,无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进,如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样,半导体器件的规格在不断的缩小,芯片的集成度也在不断提升,工艺制程从90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm、到现在的7nm(对应都是MOS管栅长),目前也有了很多实验室在进行一些更小尺寸的研究。随着MOS管的尺寸不断的变小,沟道的不断变小,出现各种问题,如...原创 2020-03-23 21:15:06 · 20662 阅读 · 0 评论 -
介电常数:介电常数(ε)、相对介电常数εr、真空介电常数(ε0)
前言知识:电介质和导体的区别:电介质是以感应而并非以传导的方式传递电场的作用和影响,在电介质中起到主要作用的束缚电荷,在电场的作用下,它们以正、负电荷重心分离或取向的电极化方式做出响应。在静电场中,电介质内部可以存在电场,这是电介质与导体的基本区别。区别绝缘体和导体之间的划分,绝缘体和导体的划分与电介质和导体划分的标准不是一个范畴,绝缘体和导体区分主要是由导电性来区分的,如电阻率的大小区...原创 2020-03-20 22:27:48 · 18249 阅读 · 0 评论 -
FET细解:FET(IGFET、JFET、MESFET)、IGFET(MOSFET/MISFET、HFET)、HFET(MODFET、HIGFET)
日后整理:先进工艺22nm FDSOI和FinFET简介https://zhuanlan.zhihu.com/p/54292579FET、MOSFET、MESFET、MODFET的区别https://www.dianyuan.com/article/49263-2-1.htmlFET、MOSFET、MESFET、MODFET的区别https://kuaibao.qq.com/s/201...原创 2020-03-21 22:13:26 · 10514 阅读 · 1 评论 -
MOS管:沟道分析
本篇主要是讲解MOS工作原理分析中,常见的沟道分析问题,这里面的内容取于谢孟贤教授的博客,谢教授在这方面给了我莫大的帮助,本次转载主要是为了做好笔记,方便查询,原文请见谢教授的博客,http://blog.sciencenet.cn/blog-550717-464721.htmlMOSFET的核心部分是栅极及其下面的MOS系统。MOSFET的工作就是通过控制MOS的半导体表面势阱——反型层(导...转载 2020-03-21 09:13:16 · 4177 阅读 · 0 评论