Base knowledge of semiconductor3

好久不写了，今天应当写写了。

首先来点前情回顾，虽然本征半导体参杂了，微观上的瞬间经历了，平衡——不平衡——平衡状态。宏观上处于平衡状态。既然处于平衡的状态，那么我们就把掺杂了的半导体，通过工艺处理手段结合在一起，就像蛋糕店礼买的的蛋糕，带夹层的，恩这种比喻是最恰当的。一定要注意，得到电子后，呈现负电性，叫做负离子，不能移动的！！！失去电子后，呈现正电性，叫做正离子，不能移动！！！

好前情回顾结束。

两种掺杂半导体结合到一块后，P区（负离子）的空穴，和N区（正离子）自由电子是对冤家，但是造成移动的并不是他们，空穴和自由电子只是移动执行者，原因是浓度差。P区的空穴的浓度差大于N区空穴的浓度差，同理N区。所以，所以，结合后，伟大的盲流运动开始了，呵呵玩笑，结合后运动就开始了。由于空穴，和自由电子的运动宏观上是很大的，我们描述的只能是，具有单个代表性的，空穴、自由电子，以及运动过程中，宏观的表现，及运动后宏观上的具体体现。P区的空穴和来自N区的自由电子结合，结合了，结合了，最机动人心的时刻，到了。结合后显示电中性（什么结合？那就是，原子显示电中性）。由于空穴和自由电子是有限的，所以，显示电中性的，只是双方（两个掺杂绊倒）交界处。写的太爽了， 哈哈！！！~半导体一统江湖，半导体千秋万代！！！

浓度差是决定运动的条件,所以当P区的空穴的浓度和N区空穴的浓度相等，N区自由电子的浓度和P区自由电子的浓度相当的时候，伟大的运动就结束了。但是，但是，谁也不能保证P区的空穴和N区的子哟电子全部用于运动、结合。（本淫查阅了一些书，没有查阅英文文档，基本都是回避这个问题，狗日的中国模拟电子技术）。这样掺杂半导体的交界处出现了有，负离子和正离子组成的区域，这个区域内不存在空穴和电子对，所以这个区域叫做空间电荷区。

空间电荷区是阻碍运动滴（由于浓度差造成P区的空穴向N区方向运动，N区的自由电子向P区方向运动）。有图为证

 

CSDN上传图片失败，难道是我人品不好？？？

 

以上是两个半导体（掺杂的）主要矛盾，次要矛盾也有一定影响因素。

令人迷糊的漂移运动。漂移运动本身是未掺杂时本征半导体内部的运动，这种运动是瞬时的，宏观上是平衡的。当掺杂后，也存在着一定的漂移运动，但是这种漂移运动受到内电场的影响，准确的说是受到干扰。P区的少子自由电子向N区漂移，从而补充了N区的交界面附近因扩散而失去的自由电子，使正离子减少；而N区的少子空穴向P区漂移，从而补充了P区交界面附近因扩散而失去的空穴，使负离子减少。因此，漂移运动的结果使空间电荷变窄，其作用正好与扩散运动相反。

P区的空穴的增多，和N区自由电子的增多，又造成了浓度差，所以又开始运动——平衡状态。虽然有扩散运动，漂移运动，但是这些运动是动态的，最终达到一种平衡状态。

累~