本文详细介绍了PN结在正向偏置和反向偏置下的行为变化，以及这些变化如何影响多数载流子和少数载流子的运动。此外，还探讨了发射区、基区和集电区中载流子的运动方式，特别是发射结正向偏置和集电结反向偏置对晶体管工作的影响。
PN结 正向偏置 PN 结变摘 有利于多数载流子 扩散运动
不利于少数载流子 飘移运动
PN结 反向偏置 PN 结变宽 不利于多数载流子 扩散运动
有利于少数载流子 漂移运动
发射区 ：参杂浓度很高 多数载流子 是电子
基区 ： 多数载流子 是 空穴
集电区： 多数载流子是 电子 少数载流子是 空穴
发射结 正向偏置：（有利于多数载流子的扩散运动）
发射区 电子（多数载流子） 向基区P 扩散
基区 空穴向 发射区扩散 多数 载流子相互扩散
-》》》形成 电子电流 空穴电流
集电结：反向偏置 有利于 少数载流子的漂移运动
基区： 多数载流子（空穴） 扩散不到 集电区
集电区： 多数载流子（电子） 扩散不到 基区，允许少数载流子漂移运动
-》》》》基区 P 区 少数载流子（电子） 跑到 集电区
集电区 少数载流子（空穴） 飞快 跑到 基区
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