非易失性存储设备写数据掉电恢复策略

本文允许转载。
转载请注明出处：http://blog.csdn.net/z2007b

作者：无为和尚

 

非易失性存储设备写数据时掉电恢复是一个比较头痛的问题，如果写入数据写入到一半的时候掉电，数据的完整性就没法得到保证，本文提出的方法是在不增加新硬件的情况下，完成掉电恢复的一个策略，但是本文介绍的方法没法保证数据逻辑上的完整性。比如你要写入的数据需要在A处写1，在B处写2，才能保证功能的正确性，如果这两步操作是分开的，并且你在写A的时候掉电了，那么可以恢复A，但是没法恢复B。就保证不是AB这个大集合的完整性。只能保证写A的完整性。

 

原理：

我们先要准备一块非易失性的存储区域。这个可以硬盘，也可以是一块专门的高速存储芯片。

这个备份所需的空间用于存储临时的文件。

假设我们要写的文件的全路径是/FILPATH。我们在写此文件时，先将所需写入内容的详细信息和入备份文件/BACK/FILEPATH，然后将数据本身写入/BACK/FILEPATH,在写入数据完成之后再写入结束信息。然后才将数据写入文件FILEPATH。

上电启动的时候遍历备份文件区内的文件，并依照相关信息，清除掉之前写FILEPATH写到一半时掉电的数据，再将备份区内的完整信息再写入，再清除掉备份文件本身。

下面给出流程图：