zangqihu的博客

从事电子产品开发的朋友应该都知道，电子产品样机完成之后，会进入产品性能测试阶段，而其中的EMC（电磁兼容）测试则是至关重要的一项。EMC（电磁兼容）又被分为两大类：EMI（电磁干扰）和EMS（电磁抗干扰）。EMI（电磁干扰）：其简单定义就是我们所设计的电子产品在正常运行时，不能干扰到其他的电子产品正常使用；我们日常测试主要包括RE(辐射发射干扰度) 、CE(传导发射干扰度) 、和Harmonics(谐波电流干扰度)等项目。

LCD（Liquid Crystal Display）液晶屏，作为电子产品的重要组成部分，是终端用户与电子产品交互的重要载体。现在市场上的LCD，按照尺寸、功能、接口、用途等分为很多种，本文主要介绍如下两种LCD物理接口：1） MCU接口（8080接口）2） SPI接口当然还有其他接口，比如LVDS接口、DSI接口、EDP接口、RGB接口、MIPI接口等，其中很多接口并不常用，有些安排下篇文章分享，所以在这里就不在详述。

如没有现成电路测量，可以假设信号上升时间为信号周期的7%，此时信号有效频率Fknee约为周期频率Fclk的7倍，如周期频率为100MHz的时钟信号，可以估计其有效频率为700MHz。在电路设计中，对高速信号和低速信号是进行区别对待，相对于低速信号，高速信号电路设计需要设计者考虑的因素更多。在C是常数的前提下，λ与F成反比，即信号频率F越高，其波长越短，则低速与高速的分水岭是信号线的长度，反之亦然。，显然，根据上文，此处讨论的信号频率要采用信号的有效频率Fknee，不是信号周期频率Fclk。

LDO:全称是(Low Dropout Regulator)低压差线性稳压器。其中核心部件是工作在线性区域的调整管。如下图中的VT（MOS管），LDO由VT、放大器、反馈电阻等部分组成。如上图所示，通过R1和R2电阻对Vout输出电压进行分压采样，然后和LDO内部的参考电压Vref进行比较，差值经过放大器，放大后控制驱动VT。当Vout减小时，电阻分压采样值和Vref的差值变大，放大器的输出电压变大，使VT压降变小。

一、功能介绍1、当前很多SOC 都支持OTG功能，所以mini/micro USB的接口上通常会拓展一个USB_ID引脚。如下图2、USB_ID pin 为低电平时，则设备为host模式。比如PC和支持OTG设备做主设备时。USB_ID pin 为悬空（高电平）时，则设备为device模式。比如U盘和支持OTG设备做从设备时。3、SOC如果需要支持OTG功能，USB_ID pin需要上拉成高电平。4、5V_USB网络为双向网络，当设备为host的时候，为电源输出功能，给device供电。当设备为

前言：MOS管通常被用作电源开关使用，通常使用PMOS做为上管，将NMOS做为下管使用。当然也有反过来使用的场景，但使用较少。此贴为科普贴，就不做累述了。MOS原理介绍：1、NMOS管介绍电流方向从D→S(漏极流向源极)，导通条件为VGS有一定的压降（具体压降为多少，请参考手册）。通常为VG>VS 即栅极电压高于源极。2、PMOS管介绍电流方向从S→D（源极流向漏极），导通条件为VGS有一定的压降（具体压降多少，请参考手册）。通常为VS>VG 即源极电压高于栅极。为什么通常使用P