- 博客(2)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 2110驱动电路总结
2110自举电路总结1、用于n-mosfet高管驱动，需要在低管导通时给VCC自举电容充电。2、导通时电容电压加在高管GS之间，低管先截止，高管再导通后，S极电压由悬浮升到与D极一致。因自举电容的存在，GS间电压差不变。G极也随之升高。3、所以自举电容与VCC间需要二极管，防止G极电压升高，倒灌到VCC。所以依此和开关频率（大概可以选择反向恢复时间的三倍小于周期的二极管）选择二极管的反向耐压和反向恢复时间。4、为什么直接用这个VCC不行呢？因为它的负极已经钳制为地。...
2021-07-19 00:01:07
873
原创 二极管总结，杂乱一堆
1.稳压管:稳压管用5到6v最好，有较好的温度系数。因为此时的齐纳击穿（负温度系数，较低电压下，较高掺杂浓度）和血崩击穿（正温度系数，较高电压下，较低掺杂浓度）发生的可能性和程度差不多。正常的齐纳击穿可以恢复（在较小电压，下产生较大电场强度，仅使势垒区共价键断裂，物理本质是场致电离，因为势垒区窄，电流大但是可以恢复），血崩击穿不可恢复（较大电压下，少子能量变大，碰撞使二极管中共价键断裂，电流更大，不可恢复），在物理上烧毁，表现为短路。（少子漂移运动）2.二极管势垒区:掺杂浓度高，势垒区窄，掺杂浓度低，势
2020-12-23 20:02:11
1777
3
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人