本文详细介绍了自举电路在n-MOSFET高边驱动中的作用，阐述了其工作原理。自举电容在低边管导通时被充电，当高边管导通时，电容电压加在高边管的栅源极之间，使得栅源极电压保持不变。由于二极管的存在，可以防止高边管电压反灌回VCC。选择二极管时要考虑反向耐压、反向恢复时间和开关频率。直接使用VCC不可行，因为其负极已接地。文章还提供了一个链接以深入理解自举电路的工作机制。
2110自举电路总结
1、用于n-mosfet高管驱动，需要在低管导通时给VCC自举电容充电。
2、导通时电容电压加在高管GS之间，低管先截止，高管再导通后，S极电压由悬浮升到与D极一致。因自举电容的存在，GS间电压差不变。G极也随之升高。
3、所以自举电容与VCC间需要二极管，防止G极电压升高，倒灌到VCC。所以依此和开关频率（大概可以选择反向恢复时间的三倍小于周期的二极管）选择二极管的反向耐压和反向恢复时间。然后选通态损耗小的，正向管压降小的。
4、为什么直接用这个VCC不行呢？因为它的负极已经钳制为地。
5、附上便于理解的链接:
https://blog.csdn.net/a793478282/article/details/81218200?utm_source=app&app_version=4.11.0&code=app_1562916241&uLinkId=usr1mkqgl919blen
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