H桥电机驱动

0、小叙闲言

最开始学习三极管的时候,很注重它的工作原理,后来到了实际应用,就直接把三极管或MOSFET直接当作一个开关器件使用。直到前这几天,接触到MOSFET组成的H桥驱动电路时,发现把它纯当作一个开关器件来看,会出现许多问题。在这里总一下问题和对出现问题的一些原因做一些分析。个人知识有限,很多地方思虑难免有所不足,希望能够与网上各位一起学习交流。

目前我们一般将H桥驱动当作电机或步进电机的驱动,如下图1所示,要做好驱动电路,必须得了解清楚MOSFET的一些原理,才不会出错。

 图1 H桥全桥驱动电机

1、单个MOSFET作驱动

先来看一下MOSFET和三极管,它们俩功能上差不多,但是原理和应用范围还是有较大的区别的。这里主要讨论一些MOSFET的应用,说得比较浅显。MOSFET的门极(G极,gate),顾名思义就是将MOSFET导通的电压,起到一个开关MOSFET的作用,三极管的基极(b),差不多也是这个作用。当Vgs的电压在某一范围时(典型地是2~5v),Vds≈0,也就是MOSFET导通了。因此,我们只需要通过控制Vgs的电压,就可以开关MOSFET,这样就起到了电子开关的作用。

图2 MOSFET和三极管

MOSFET的驱动负载应该接在漏极(D),如下图3所示。在图中的左方电路中,G极电势为4v,而S极接地,即电势为0v,因此Vgs=4v,所以MOSFET导通,从图中也可以看到Vd=0.075v,近似为0。而图中右方接负载的电路是无法带动负载的(也就是无法导通MOSFET)。它的原因如下:如果下面右图中的MOSFET导通,那么Vs≈Vd=24v,此时Vgs=Vg-Vs=-20v,这是不会导通这个MOSFET的。而当MOSFET截止,那么Ids≈0,这时又Vs=0,MOSFET又导通了,一导通后又像上面所说的过程,会截止。

图3 MOSFET负载连接方式

2、H桥全桥驱动

有了上面单个MOSFET驱动电路的分析,理解H桥驱动也就很容易了。如下图4所示(绿表示MOSFET导能,红表示截止),如果想电机正转,只需导通Q1和Q4,如果要反转,需导通Q2和Q3。各情况下的电流方向在图中已经表示得很清楚了。

图4 H桥驱动电机电路

在导通各个MOSFET的时候,一定要注意:MOSFET的导通条件是Vgs>3v(一般来讲是这个值),而不是Vg>3v,即不能简单地认为只要Vg>3v,就可导通MOSFET,从而驱动电路。通常情况下,Vg远不止要大于3v。以上图4中电机正转的电路为例,当Q1导通时,此时24v=Vd≈Vs,而这时,要保证Vgs>3v,就有Vg>(3+24=27)v,如何做到Vg有27v,甚至更高的电压,这个时候就要有驱动电路来驱动MOSFET了,也就是要使用MOSFET驱动芯片。

心得总结

这也是项目中的一个小小问题,以前不是很明白MOSFET的工作原理,这里犯下错误,让我记忆深刻。日后在学习的过程中,要掌握好理论知识,也要多实践,这样才能更加深刻地理解。虽常听长辈要学以致用,但是真正做到的,少之又少。一是我们一般没有条件去使用我们的知识,二是我们本身对知识的理解就浅显,认为很难或者是太容易,让我们无法使用或者没必要去过多留心它。

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