使用铝、金、铜做电极的CCD摄像机

 使用铝、金、铜做电极的CCD摄像机

下面介绍一种使用氧化铝和金元素做CCD摄像头的照相机。这个照相机的CCD感光芯片是这样制作的。首先用感光胶涂抹多晶硅表面，再用棋盘状条带覆盖多晶硅，棋盘状条带可以是微缩相机的制作的小型棋盘状底片。掩膜板由一层1mm后的透光石英和1层棋盘状铬，硅，氧化铬构成。铬，硅，氧化铬的质量比是1：0.5：10。制作掩膜板时，首先在石英片表面覆盖一层四氯化硅粉末，铬粉末，氧化铬粉末，然后通入氢气，在陶瓷舟中加热到50摄氏度，氢气和四氯化硅反应生成硅单晶，这时铬和氧化铬就进入硅单晶中，就增强了硅单晶的不透光性。然后在这层硅单晶表面上涂上抗蚀剂PMMA胶，聚甲基丙烯酸甲酯，正性，PMIRK胶：聚甲基异丙烯基酮，正性，邻-醌重氮系抗蚀剂，PBS树脂。邻-醌重氮系中，与酚醛清树脂结合的重氮萘醌引起光吸收反应。正性光刻胶的光致可溶性原理。多数正性光刻胶的感光成分都含有碱不溶性重氮萘醌结构的化合物，当受光照射时（波长3-4微米，光子能量3-4电子伏），部分重氮萘醌分解，与水反应，变成碱可溶性的茚基甲酸。PMMA树脂本身产生光化学反应，既当受到光照射时，分子量就不断下降。

然后用氙-汞灯光源透过上面的小型棋盘状底片缩小后照射20分钟，被光照射的部分用氢氧化钠水溶液就可以把抗蚀剂清洗干净，没有被光照射的抗蚀剂就会留在硅单晶表面，然后用HF和磷酸按照质量比1：2.5的比例就会把露出的硅单晶全部腐蚀完，最终露出下面的石英片，被抗蚀剂覆盖的硅单晶就会形成棋盘状掩膜。

把2mm硅单晶片放到电阻炉里加热到1200摄氏度