开发笔记-NAND Flash Addressing Mode

很早时候写的，拿来先凑个数。

NAND Flash的寻址方式和NAND Flash的memory组织方式紧密相关。NAND Flash的数据是以
bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个
或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的
位宽。
这些Line会再组成Page，通常是528Byte/page或者264Word/page。然后，每32个page形成
一个Block，Sizeof(block)=16kByte
Block是NAND Flash中最大的操作单元，擦除就是按照block为单位完成的，而
编程/读取是按照page为单位完成的。
所以，按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：
-Block Address
-Page Address
-Column Address
首先，必须清楚一点，对于NAND Flash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度
可以是8位或者16位，但是，对于x16的NAND Device，I/O[15:8]只用于传递数据。清楚了这
一点，我们就可以开始分析NAND Flash的寻址方式了。
->以528Byte/page 总容量512Mbit+512kbyte的NAND器件为例：
 因为1 block=16kbyte，512Mbit=64Mbyte，Numberof(block)=1024
 1block=32page, 1page=528byte=512byte(Main Area)