ARM9------ 存储控制器

初入领悟：

1、 bank、L-bank的概念

2、 s3c2440内部管理SDRAM寄存器配置

 

Frist part：原理分析

S3c2440为32位微处理器，其可访问空间为4G；但其中提供1G外设访问空间，这1G空间有8个bank组成；及平均每个bank有128M的访问空间；其中8bank的特性为：

1、 bank0~bank5支持外接SRAM、ROM等，bank6、bank7支持外接SRAM、ROM与SDRAM等；

2、 bank0~bank6的起始地址是固定

3、 bank7的起始地址可编程设定

4、 bank6、bank7大小可编程确定

5、 每个bank访问周期均可编程设定

6、 外接SDRAM是支持自刷新与省电模式

 

S3c2440向外引出27根地址线，可实现128M的寻找空间；那他怎么实现1G的空间范围访问呢？这就涉及到了nGCSx片选信号，由控制这几根信号线实现bank的切换，如下图所示：

左边为nor flash下；右边为nand flash；

说到此又想起一概念，就是有关于nor flash与nand flash启动方式；

一、norflash启动

简而言之，既是nor flash启动模式下cpu启动会执行地址0x00000000的指令此指令在使能了nor flash下是就是nor flash的首地址；其中原因为nor flash支持一种名为XIP的执行机制；

二、nandflash启动

nand flash下不支持XIP因此在执行nandflash的程序是，系统将会把nandflash的头4K（最大）启动代码拷贝至系统SRAM中既s3c2440中的steppingstone；

 

我使用的是GT2440开发板从原理图中可知：

Bank6外接2片H57V2562GTR芯片；

在使用SDRAM时要设置到如下13个寄存器的操作：

各个寄存器值的设置参考开发板每一个bank所接的外设进行设置；

此设置参考示例程序：

    .long  0x22011110      @ BWSCON

    .long   0x00000700      @ BANKCON0

    .long   0x00000700      @ BANKCON1

    .long   0x00000700      @ BANKCON2

    .long   0x00000700      @ BANKCON3 

    .long   0x00000700      @ BANKCON4

    .long   0x00000700      @ BANKCON5

    .long   0x00018005      @ BANKCON6

    .long   0x00018005      @ BANKCON7

    .long   0x008C07A3      @ REFRESH

    .long   0x000000B1      @ BANKSIZE

    .long   0x00000030      @ MRSRB6

   .long   0x00000030      @ MRSRB7

（.long 汇编中词法，既long数据型）

 

Second part：程序编写

现在开始编写代码，如我上诉一样启动时CPU将会报前4K程序拷贝至steppingstone中运行；现在编写的代码任务为将steppingstone中的代码拷贝回SDRAM中，并程序从SDRAM中开始执行；

汇编部分：

.equ       MEM_CTL_BASE,       0x48000000