1 电容器
除了预期的电容外, 所有电容器还包含寄生电阻、 寄生电容和寄生电感。
C 是电容器设计的电容, Cp 是寄生电容,L是寄生电感,R是电容器的有效串联电阻
Xc = 1/2Πfc, Xcp = 1/2ΠfCp,
电容的电抗随着频率的增加而降低。 Cp 是通常非常低的寄生电容。 因此,该元件的电抗在低频下非常高。由于该元件与主电容并联,因此在低频下, Cp 没有影响。
XL = 2ΠfL
寄生电感的电抗随频率增加。通常 L 在电容器中是非常小的值; 所以,在低频率下, XL可以忽略不计
R 是电容器的有效串联电阻, 它通常是一个非常低的值。
2 电容器的品质因数
3 电容器推荐
▪ 对于匹配网络的组件,只能使用 C0G / NP0 电容器。这可确保匹配网络在整个温度范围内不发生变化。
C0G / NP0属于I 类瓷介电容,特点是容量稳定性好,基本不随之温度、电压、时间的变化而变化,但是容量一般较小;温度特性 (温度范围:-55度~125度、温度系数:0±30ppm/℃以内。
▪ 对于晶体负载,只能使用 C0G / NP0 电容。这确保了时钟定时和 RF 频率在整个温度范围内不会改变。
▪ 对于匹配网络,选择在远低于 SRF 时工作正常的电容器。
▪ 射频电路只能使用高 Q 电容。
▪ 对于去耦电容,可能不需要 C0G 电容的精度。通常使用 X5R 或 X7R 电容器 (取决于温度范围)。使用低 ESR(等效串联电阻)电容器进行有效的去耦
▪ 对于去耦电容,选择在噪声频率下具有 SRF 的元件值。
▪ 建议使用较小的元件 (0402 或 0201),因为它们的寄生电抗较小。
▪ 将直流模块添加到已匹配的射频走线时,最好使用 SRF 接近工作频率且 ESR 较低的电容,因为 SRF 的电容有效电抗变为零。所以它不会改变阻抗匹配。