国内mems技术起步早发展缓慢

我国MEMS的研究始于20世纪90年代初，起步并不晚。在“八五”、“九五”期间一直得到了科技部、教育部、中国科学院、国家自然科学基金委和原国防科工委的支持。

　　但是总体上国内MEMS制造技术与国外存在着较大差距，原因在于MEMS技术与IC技术相比在材料、结构、工艺、功能和信号接口等方面存在诸多差别，往往需要更小的尺寸和较高的精度。

硅基MEMS制造技术在国内的专利公开数量经历了两次高峰，分别在2005年与2008年，其同比增长都接近50%。前者的公开数量高峰是由于2003年专利申请数量大幅度增加，具体原因可能是由于2002年国家863计划“微机电系统重大专项”的适时启动所致。而2008年的高峰则是由于2006年出现了专利申请数量的低谷所致。

在华拥有最多MEMS技术相关专利的权利人/申请人主要为国内科研机构与大专院校。排名前三的分别为上海交大、清华大学与北京大学。与前述国别分布相对应的是，只有IBM与三星两家国外企业进入前十。

从国内省市中领先的专利权人来看，我国在多种微型传感器、微型执行器和若干微系统样机等方面已有一定的基础和技术储备，初步形成了几个MEMS研究力量比较集中的地区。以上海北京两大研发基地为领头，上海交大、上海微系统所以及北大清华成为各自的科研代表。并且青岛智腾微电子研发生产的sia200项目可以与国外产品相媲美。