第八课JZ2440裸板开发之SDRAM

一、SDRAM介绍

JZ2440上使用的SDRAM如下：
JZ2440开发板上使用的是EtronTech公司的EM63A165TSSDRAM芯片，该芯片是一个16M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)的芯片，就是说共有16M存储单元，每个存储单元的数据宽度是16bit，即整个芯片大小是32MB。
我们的开发板由两个16位的SDRAM组成一个32位的SDRAN，大小为64M，我们也可以计算出来，使用到的地址线是0-14 一共15根，所以每个SDRAM的大小就是2^15=32768 = 32M，两个加起来就是64M，由原理图还可以看出来，SDRAM是在内存控制器的bake6区域，因为使用的是CS6片选。根据上节课我们知道，CS6基地址是0x30000000

这里的SDRAM总共有4个块(Banks)，可以认为每个块就是一个表格，里面的每个格子表示的是16bit数据。
CPU怎么访问SDRAM中的地址：
①CPU发出的片选信号nGCS6有效，它选中SDRAM芯片。
②SDRAM中有4个L-Bank，需要两根地址信号来选中其中之一，根据原理图，可知使用ADDR24，ADDR25作为L-Bank的选择信号。
③对被选中的芯片进行统一的行/列（存储单元）寻址。

这里就会有疑问，back用哪一个？行列地址怎么计算得来的？
答： 根据SDRAM芯片的列地址线数目设置CPU的相关寄存器后，CPU就会从32位的地址中自动分出L_Bank片选信号，行地址信号，列地址信号，然后先后发出行地址信号，列地址信号。L_Bank选择信号在发出行地址信号的同时发出，并维持到列地址信号结束。

由原理图可知，这里行列地址共用地址总线，所以需要使用nSRAS、nSCAS两个信号来区分它们。SDRAM芯片K4s5m632的行地址数为13，列地址数为9，所以当nSRAS信号有时，ADDR2—ADDR14上发出是行地址信号，当nSCAS信号有效时，ADDR2—ADDR10上发出的是列地址信号.

二、查看芯片手册

由于需要设置内存控制器，所以需要了解内存控制器的寄存器，这里分别介绍一下：

①总线位宽与等待寄存器BUS WIDTH & WAIT CONTROL REGISTER (BWSCON)
这个寄存器的32位，对应着八个BANK，每个BANK的信息用其中的四位表示，我们的SDRAM是接在BANK的，所以对应【24:27】这四位，如下：
（1）ST6[27]: 启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚，对于SDRAM，此位为0：对于SRAM此位为1。
（2）WS6[26]：是否使用存储器的WAIT信号，通常设为0。
（3）DW6[25:24]：使用两位来设置相应BANK的位宽，0b00对应8位，0b01对应16位，0b10对应32位(开发板用的就是32位的)，0b11表示保留。
这里我们初始化SDRAM，【27】位设置为0，【26】设置为0，【25:24】设置为10，所以我么该寄存器的配置如下：
BWSCON = 0x22000000；

②BANK控制寄存器BANKCON6（BANKCONTROLREGISTER）
（1）下面是BANK0-BANK5的控制寄存器

（2）下面是BANK6与BANK7的，由下图可知，当【16:15】配置为00的时候，BACKCON6与BANKCON7跟上面的BANKCON0-5是一样的配置，只有在【16;15】配置成11的时候，代表外接的是SDRAM。然后只需要配置【3:2】【1:0】。
我们查看SDRAM的芯片手册知道，列地址数为9，所以【1:0】配置为01；Trcd[3:2]：行地址和列地址间隔多长时间，看芯片手册时间间隔是20ns，本来开发板的HCLK是100MHZ,clocks为10ns,所以设置为推荐值0b00(2clocks)，所以该寄存器我们配置如下（这里我们6 7一起配置）：
BANKCON6 = 0x18001;
BANKCON7 = 0x18001;

③刷新控制寄存器（REFRESH CONTROL REGISTER）
下面是刷新控制寄存器，我们这里分析，
（a）首先打开刷新使能 【23】置1；
（b）配置为自动刷新 【22】置0；
（c）trp【21:20】根据芯片手册设置为00即可；
（d）Tsrc【19:18】:根据芯片手册设为默认值0b01即可；
（e）RefreshCounter[10:0]：即R_CNT
R_CNT可如下汁算（SDRAM时钟频率就是HCLK)：
R_CNT=2^11+1-SDRAM时钟频率(MZ)*SDRAM刷新周期(us)
SDRAM的刷新周期在SDRAM的数据手册上有标明，在本开发板使用的SDRAM:K4S561632的数据手册上，可看见这么一行“64msrefreshpenod(8KCycle)所以，刷新周期=64ms/8192=7.8125us。
Refreshcount=2^11+1-100x7.8=1269=0x4F5。
因此，本开发板中REFRESH配置如下：
REFRESH = 0x8404f5;


④KANKSIZE寄存器

(1)BURST_EN[7]：0=ARM核禁上突发传输，1=ARM核支持突发传输(推荐)；
(2)SCKEEN[5]：0=不使用SCKE信号令SDRAM进入省电模式，1=使用SCKE信号令SDRAM进入省电模式(推荐)；
(3)SCLK-EN[4]：0=时刻发出SCLK信号，1=仅在访问SDRAM期间发出SCLK信号（推荐）；
(4)BK76MAP[2:0]：设置BANK6的大小。本开发板BANK6外接64MB的SDRAM，令[2:0]=b001（64M/64M），表示BANK6/7的容量都是64MB，虽然BANK7没有使用。
因此，本开发板中BANKSIZE配置如下：
BANKSIZE = 0xb1;

⑤SMRAM模式设置寄存器

能修改的只有位CL[6:4],这是SDRAM时序的一个时间参数，表示发出行、列地址后，等多久才返回收到数据，
CL可以取值为0b0l0（2 clocks）或0b011（3 clocks）。
本开发板取最保守的值0b010,所以MRSRB6的配置如下：
MRSRB6 = 0x20;
MRSRB7 = 0x20;

三、代码部分

（1）我们这里在第五节时钟体系的的代码上做修改，start.S文件不做改动，增加两个文件init.c 跟init.h 如下：
init.c：

#include "s3c2440_soc.h"
void sdram_init(void)
{
	BWSCON = 0x22000000;
	BANKCON6 = 0x18001;
	BANKCON7 = 0x18001;
	REFRESH  = 0x8404f5;
	BANKSIZE = 0xb1;
	MRSRB6   = 0x20;
	MRSRB7   = 0x20;
}

int sdram_test(void)
{
	volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)0x30000000;
	int i;
	// write sdram
	for (i = 0; i < 1000; i++)
		p[i] = 0x55;
	// read sdram
	for (i = 0; i < 1000; i++)
		if (p[i] != 0x55)
			return -1;
	return 0;
}

init.h：

#ifndef _INIT_H
#define _INIT_H

void sdram_init(void);
int sdram_test(void);

#endif

（2）增加led.c及led.h文件，文件内容为原来main.c实现的循环点灯的功能：

#include "s3c2440_soc.h"

void delay(volatile int d)
{
	while (d--);
}

int led_test(void)
{
	int val = 0;  /* val: 0b000, 0b111 */
	int tmp;

	/* 设置GPFCON让GPF4/5/6配置为输出引脚 */
	GPFCON &= ~((3<<8) | (3<<10) | (3<<12));
	GPFCON |=  ((1<<8) | (1<<10) | (1<<12));

	/* 循环点亮 */
	while (1)
	{
		tmp = ~val;
		tmp &= 7;
		GPFDAT &= ~(7<<4);
		GPFDAT |= (tmp<<4);
		delay(100000);
		val++;
		if (val == 8)
			val =0;
	}
	return 0;
}

#ifndef _LED_H
#define _LED_H

int led_test(void);

#endif

（3）然后修改main.c函数，我们给初始化之后的SDRAM中写入数据再读出来，判断读出来的数据跟写入数据是否相等，相等则执行循环点灯的程序。
main.c

#include "s3c2440_soc.h"
#include "init.h"
#include "led.h"

int main(void)
{
	uart0_init();

	sdram_init();

	if (sdram_test() == 0)
		led_test();
	
	return 0;
}

（4）Makefile

all:
	arm-linux-gcc -c -o led.o led.c
	arm-linux-gcc -c -o init.o init.c
	arm-linux-gcc -c -o main.o main.c
	arm-linux-gcc -c -o start.o start.S
	arm-linux-ld -Ttext 0 start.o led.o  init.o main.o -o sdram.elf
	arm-linux-objcopy -O binary -S sdram.elf sdram.bin
	arm-linux-objdump -D sdram.elf > sdram.dis
clean:
	rm *.bin *.o *.elf *.dis

四、程序编译与烧写

编写并烧写到NAND flash，启动开发板，发现灯亮，说明SDRAM可以使用。