honeyball的博客

SDM15L60FA是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路主要应用于较低功率的变频驱动，如空调、电冰箱、洗衣机等。其内置了3相全桥高压栅极驱动电路和6个低损耗IGBT管SDM15L60FA内部集成了欠压、短路、温度监控输出等各种保护功能提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。SDM15L60FA采用了高绝缘和易导热设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合要求紧凑安装的场合。家电市场以国产IPM为主，应用于交流转直流变频方案，是小家电产业降本增效的重要一环。空调的变频板：把家里的。

震荡位置损耗类型主要原因可导致问题栅极重复充放电损耗Gate振铃，Cgs/Cgd被反复驱动驱动IC发热、功率浪费漏极开关尖峰损耗VDS反复波动增加MOS开关损耗系统EMI损耗高频噪声耦合干扰滤波器吸收、干扰系统体二极管反向恢复损耗非计划导通+关断异常发热或电压尖峰器件寿命击穿损耗振铃尖峰超出耐压MOS管损坏、热崩溃。

项目建议高频应用起步选 4.7Ω，后期调试高频+多并联每颗并10Ω~22Ω振铃明显尝试增加电阻值低速/EMI敏感场合增大电阻，牺牲速度换稳定性对Rg不确定时。

驱动电流 = Qg / t_sw 或 Qg × f_sw既要足够大保证快速开关，避免损耗；也要不过大避免震荡和EMI，适配驱动芯片输出能力。

通过应用端分析，导致栅极振荡是电源在动态负载切换时，MOSFET存在较大的电流应力且电流变化较快。因此，导线和其他杂散电感（栅极，源极和漏极电路之间以及相关互连中的电感）可能会形成正反馈电路，从而导致寄生振荡。MOSFET作为栅极电压控制器件，栅源极驱动电压的振荡会极大的影响器件和电源转换器的可靠性，实际应用中严重的栅极振荡还可能会引起器件或电路异常失效。关断期间，漏极和源极之间的振铃电压可能返回到栅极，通过栅极-漏极电容Cgd的正反馈环路连接到栅极端，并导致栅极电压振荡。ζ由0约接近1，收敛越快。

【微课堂系列IGBT的开关特性第1讲IGBT的开通过程和开通特性】https://www.bilibili.com/video/BV17w411Q7F3?

这个尾电流在较长的时间内缓慢衰减，导致额外的能量损耗。相比之下，MOSFET关断时不会有这种明显的尾电流效应，因此IGBT的关断损耗较大。IGBT在关断时，由于其内部的少子载流子（特别是PNP结构中的空穴）需要时间复合或扩散，导致存在一定的。IGBT在开通时，尽管电流上升较快，但因为电压已经下降，电流与电压的交叠区域较小，因此损耗相对较低。而在关断时，虽然电流下降，但电压已经上升，导致电压-电流交叠区域较大，产生较大的瞬时功率损耗。开通过程中，电流上升是主要的损耗来源，但由于IGBT的输入电容较大，

如下图，这个栅极驱动信号线在底层走线，但是在临近层内层参考平面不完整，跨越了分割，导致信号线回流路径不顺畅。1.在表层放MOS，之后铺铜+打孔，在每个层里面都放相同的铜皮，这样相当于在每层都进行了分流，显著提高通流能力。为了给每个上管MOS最大面积接到主电源上，在顶层铺铜的时候属性采用VM电源，而不是用GND平面。使用铜排来走大电流是工业上常见的做法，例如变压器，服务器机柜等应用都是用铜排来走大电流。通常铜厚以OZ来表示，1 OZ的铜厚换算过来就是35 um，2 OZ是70 um。

推挽振荡 ZVS（Zero Voltage Switching）电路是一种，广泛用于。它的核心在于利用使 MOSFET 在（或接近零电压）时开关，减少开关损耗，提高效率。推挽电路采用两个 MOSFET 交替工作，每个 MOSFET 关断时，负载电流会流入对方 MOSFET 的体二极管，并逐渐衰减，使得 MOSFET 在导通前漏极电压自然降到零。这与的工作方式类似，通过谐振元件的储能与释放，实现 ZVS。

动态擎住效应主要是在器件高速关断时电流下降太快(di/dt 大)，dv/dt 很大，引起的较大位移电流，流过 Rs,产生足以使 NPN 晶体管导通的正向偏置电压，造成寄生晶闸管的自锁。IGBT 结构中包含 MOSFET 和 PNP 双极晶体管，由于内部的寄生晶体管结构（NPN 和 PNP 形成的寄生闩锁），在特定条件下可能触发一个正反馈回路，使器件处于不可控的导通状态，即“擎住”。在某些条件下，寄生晶闸管可能被触发，进入持续导通状态，即使栅极关断信号已经撤销，器件仍然保持导通状态，形成擎住效应。

优秀资料，打印备份。

有一个问题，DESAT接的消隐电容220pF作用：当 IGBT 或 MOSFET 关断时，电压瞬态可能会导致误触发。IGBT在正常工作的情况下，Vce电压是0.3V左右，当发生退饱和时候，Vce电压升高到5V 或8V或 9V。DESAT是电阻和二极管是检测IGBT导通压降的。其原理是里面的比较器进行比较输出的。网上没有系统的讲解，都是东一下西一下，知识点比较零散，见谅。电阻越大，EMI效果越好。芯片里面集成了信号变压器，将驱动端和功率端进行隔离。CLAMP是在IGBT关断时低电压锁定。

防止过压损坏 MOSFET。这意味着即使 VCC 电压更高，输出的驱动电压也会被限制在 15.6V 以下。，防止同时导通导致短路。1.2μs 说明该芯片在高低侧切换时会自动插入。应用在电磁炉或者其他家电，电源场景中能降低很多成本。，而 40ns 传播延迟则影响信号的同步性。，比如 50kHz - 200kHz，是由。，以避免直通损耗，提高效率和可靠性。80ns 上升时间意味着它可以支持。，用于保护 MOSFET。

先把数据线走通，对于同一组信号内的走线，layout要做等长处理，最好控制在10~20mil以内（数据走线），对于地址信号走线要求就没那么高，一般50mil以内就可以了。PCB走线阻抗必须要严格控制，否则会出现数据通信异常，或导致电路性能下降，这个阻抗跟PCB线宽，线距，线层，板材还有其它相关因素有关。1、DDR在布局的时候一定要尽可能的靠近CPU，阻容元件放置在DDR背面，特别是滤波电容要尽量靠近管脚，走线要尽量短，电源线尽量粗，必须要配置比较大的储能电容。：封装开裂、内部元件暴露，导致性能下降或失效。

I型NPC适用于简单的高电压、大功率场合，设计和控制相对简单，但中性点电压平衡可能较差。ANPC通过主动控制中性点电压，解决了I型NPC的问题，适合高效的电源转换和电机驱动系统。T型NPC进一步优化了中性点控制，适合高效、高功率应用，尤其是在高功率逆变器领域，能够提供更好的性能和效率。

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的米勒效应是指在高电压变化时，栅极-集电极间的电容会影响栅极的电压，进而影响IGBT的开关性能。为了减少米勒效应带来的问题，通常会使用米勒钳位电路。

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的软关断（Soft Turn-off）是一种控制方法，用于使IGBT的关闭过程更加平滑，从而减少开关过程中的电压和电流冲击，降低开关损耗，提高系统的效率和可靠性。

在 IGBT 关断时，集电极电流迅速下降，同时由于电感效应（电流突变导致电压尖峰），容易产生高电压过冲（V_ce spike），甚至可能超过 IGBT 的耐压极限，导致器件损坏。同时，dv/dt 过高可能引起寄生电流，影响电路稳定性。的方式，减少电压过冲和 dv/dt 影响，提高系统可靠性，特别适用于大功率、高压应用。的问题，特别是在大功率应用中（如变频器、逆变器和高压直流输电等）。❌ 可能会增加 IGBT 关断损耗（软关断阶段会有部分功率损耗）是一种优化关断过程的策略，通过。，减少电磁干扰（EMI）

IGBT 退饱和通常由过流、栅极驱动不足、母线电压下降或温度过高引起。使用**退饱和保护电路（Desat Protection）**可以有效检测并防止 IGBT 因过流损坏，同时合理选择驱动电压、加入限流保护和优化散热，也能降低 IGBT 退饱和的风险。

英飞凌功率器件在线仿真平台IPOSIM - 知乎

假设有一个额定电流为20A，开关频率为20kHz的IGBT，导通电压为2V，开通时间和关断时间分别为0.5µs和0.4µs，栅极电荷为200nC，栅极驱动电压为15V。计算导通损耗、开关损耗和栅极驱动损耗，并最终确定结温。IGBT的最大电流是在一定温度下的电流。IGBT模块需要特别注重散热，在汽车里面对IGBT模块都有专门的IGBT水冷，另外对于IGBT的学习也要求掌握IGBT的温度特性和损耗。下图是实测的IGBT开通波形，蓝色是Vce波形，红色是Ic波形。两部分，有时还需要考虑。IGBT的损耗可以分为。

这里TVS通过推完电路的下部分PNP部分作为和GND的释放路径。

通过近期的学习，发现IGBT相关的资料大多数来自英飞凌，并且以前国产IGBT没发展起来的时候以前的汽车也绝大多数使用英飞凌的IGBT以及驱动，可见英飞凌在这方面造诣很深，值得学习！为了避免上方和下方IGBT直通，操作员需要确保死区时间足够长。对于该设置，死区时间应大于1.5µs。

饱和状态是IGBT的理想工作状态，退饱和状态CE两端电压急剧增加，损耗加大，所以应该避免IGBT进入退饱和状态。IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的退饱和（De-saturation）是指当IGBT在工作时，由于电流过大或其它因素，导致它从饱和区回到线性区的过程。在饱和状态下，IGBT的集电极和发射极之间的电压非常低（接近于零），这时它充当一个开关，几乎没有电压降。

推完电路给IGBT的寄生电容一个快速释放能量的通路：一款汽车电机控制板：电流检测采用霍尔传感器：

下面是汇川技术对于IGBT的认知要求：熟练掌握IGBT，MOS，运放，光耦，MCU，复位等硬件知识；熟练掌握IGBT器件的工作原理、开关特性、损耗分析等知识，掌握IGBT的驱动技术，掌握开关电源技术，了解电子元器件常见失效模式；

本质是一个电子开关，相比于MOS和三极管来说其最大的特点是耐压很高，可达6000V以上；600V以下大多数不选择IGBT,因为其导通时候CE压降在1到2V左右因而导致功率的损耗较大，600V以上这点压降可以忽略不计。另外MOS的开关频率可以做的比IGBT高，一般的家用逆变器的整理桥还是用MOS较多。常用于百V百A级使用，外观上看相比于MOS最大的区别是比较大，mos主要用于中小功率器件中。最大的作用是把高压直流电转化为交流电，也就是逆变器的作用，还有就是变频。永磁同步电机PMSM:无刷电机。