honeyball的博客

一直有一个疑问，MCU通过SPI协议与一个以太网芯片通信，这个芯片直接将其转化为了以太网所需的电平和协议标准，这其中发生了什么，开发者有需要关注哪些方面呢？

单片机的 I/O 口可以设置为高电平（1）、低电平（0）或高阻（Z）。通过将某些 I/O 口设为高电平、某些设为低电平、其余设为高阻，可以控制不同的 LED 亮灭。每颗 LED 由两个 I/O 口控制，一个为阳极（高电平），一个为阴极（低电平）。通过动态扫描不同的 I/O 口对，可以点亮特定的 LED。主要为了解决解决一些管脚很少单片机在多路显示的情况下，控制更多的。指不外在增加辅助芯片的情况下完成少量IO控制多与IO口数量的。在MCU的IO资源受限的情况下，控制多个LED有妙用！，而不是传统的 3 颗。

下图中的If是发光二极管端支持的最大输入电流，但是一般MCU的IO引脚电流在10--20mA,因此一般都选择用MCU的IO引脚的电流来计算限流电阻而不是50mA:这里展示了Vf发光二极管的管压降是1.2V：下面这个图表示了电流传输比CTR:可以看到，在10mA的情况下，CTR值达到最大：输入电阻的计算，需要减去LED的管压降：下面展示了光耦输出端三极管Uce两端电压和流过其电流Ic的关系：不能利用简单的CTR计算隔离端的电流，这个CTR曲线建立在三极管Vce = 5V的情况下：此时应该关注的是三极管集电极电

晶体管输出光耦（非线性）和逻辑输出光耦（线性）的区别：逻辑输出光耦的电流传输特性曲线是非线性的，适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量；光电晶体管输出光耦的电流传输特性是线性的，适合传输模拟量，在选取外围电路参数适当的情况下也可以传递开关信号。

1. Vrwm的选取一定要大于你输入的电压和后续的工作电压，例如你输入进来的5V，而你的Vrwm是4V，那么他一直就是工作的！这肯定会对输入的信号产生干扰！2.对于钳位电压的选取，一定要低于后继保护电路的工作电压，如果高于那就一切推倒重来！举个例子，后续工作电压为 3V~12v, 但是你钳位在了15V那么后续的电路肯定就妖魔化了！3.对于高速的信号输入端一定要注意结电容的大小，速度越高对于结电容的大小要求越严格！要越小！

零漂是陀螺仪在静止状态下输出的偏移，随时间变化而变化，可能由传感器本身的缺陷、环境影响、器件老化等原因引起。温漂是指陀螺仪的输出随环境温度变化而发生的变化，通常与温度变化对传感器和电子元件的影响有关。这两个问题都需要在设计和使用陀螺仪时进行特别的考虑。通过硬件和软件的综合手段（如温度补偿、校准、滤波等）可以有效减小它们的影响，提高陀螺仪的精度和稳定性。

增强型MOS和耗尽型MOS的区别：N沟道IU曲线上升，理解起来很简单，栅极电压越大开启越厉害；

画出小信号模型之后进行动态电路分析，这个过程主要求解电压放大倍数，输入电阻和输出电阻三个重要参数：画小信号等效模型的时候，需要将电容短路，所以三极管发射极下面的Re电阻自然被旁边的Ce电容给短路到了：电压放大倍数的求解：共集电极放大电路：

三极管的静态分析就是求解下面的三个量的过程：将直流电源视为接地，接地，接地，得到等效电路图：

注意看，最后一点很有意思，在三极管的放大状态下，基极和集电极电流成正比关系；在饱和状态下，CE之间的电压是恒定的，这一点可以联想到IGBT的饱和状态；三极管状态变化：截止区-----》饱和区-----》放大区。

NPN 晶体管：V_BE > 0.7V，基极电流流入。PNP 晶体管：V_BE < -0.7V，基极电流流出。

相信会有很多人没有注意到Vgs(th)的这一特性，这也是正常的，因为高压MOSFET的datasheet中压根就没有这个图，这一点可能是因为高压MOSFET的Vgs(th)值一般都是2.5V以上，高温时也就到2V左右。但对于低压MOSFET就有点不一样了，很多低压MOSFET的Vgs(th)在常温时就很低，比如BSC010NE2LS的Vgs(th)是1.2V~2V，高温时最低都要接近0.8V了，这样只要在Gate有一个很小的尖峰就可能误触发MOSFET开启从而引起整个电源系统异常。

参数饱和电流温升电流额定电流定义磁芯进入饱和状态时的最大电流不导致过热的最大电流在设计工作条件下，能够持续承受的最大电流影响电感值大幅下降，电路不稳定导致过热或损坏保证电感器正常工作的电流限制用途保护电感器不进入饱和状态保护电感器不因过热损坏电感器正常工作范围典型值较大（通常远大于额定电流）较小（依赖于散热条件）一般在饱和电流和温升电流之间重点关注主要影响电感器的电感值变化主要影响电感器的温升主要影响电感器的长期稳定性。

霍尔电流传感器

基本原理：根据I1xN1 = I2xN2可知，二次侧电流I2衰减N1/N2倍。互感器二次侧必须接地！！！三个感叹号足以表达我心中的懊恼。二次侧为什么要接地？二次侧不是测量端吗？？听我慢慢道来。因为二次侧负载阻抗非常小，在工作时候，二次侧几乎处于短路状态，磁动势很小，绕组感应电动势也很小，处于低压状态；一旦二次侧发生开路/断路，一次侧电流全部励磁，二次侧直接产生高压电，直接烧掉一切串联仪器仪表设备。（ps：这也许可能大概是当时我们烧毁单片机的原因hhh）；

铝电解电容的寿命如何计算

磁珠的阻抗频率曲线：

在电感的自谐振频率处，电感的Q值最小，而不是最大：我们在开关电源中选择电感的时候，主要考虑电感的DCR参数，而不是Q值：LCR电桥测量频率改为10Khz，尽可能大，测量绕组的品质因数来测量变压器好坏：测量电容的损耗角正切值D值，D值零点几代表电容正常，D值大于1且很大代表电容损坏：

体二极管的电流路径明显比SD两极之间的路径宽得多：所以下面这个电流方向显然不太对：【【硬件工程师炼成之路】器件篇（更新中。。。）】https://www.bilibili.com/video/BV1vz4y197kP?p=32&vd_source=3cc3c07b09206097d0d8b0aefdf07958

这说明二极管的反向恢复时间和结电容之间没有关系：

BUCK电源输出电压纹波和输出滤波电容的ESR直接相关：

【上拉电阻有什么用？上拉电阻的起源【洋桃电子大百科P021】】https://www.bilibili.com/video/BV1Er42147GA?三极管放大最朴素的理解：基极输入，在发射极输出。

上P下N的两个串联电阻不能去掉：上N下P型，其输出信号与输入信号的相位是相同的。即输入为高电平，输出也是高电平。但是根据N管的工作特点，其输出电压幅值会比输入信号的幅值低0.7V。所以上N下P型的输出幅值会受到输入信号的限制。对于上P下N的模型，从原理图可以知道，该模型的输出与输出是反相的。即当输入为高时，输出则为低。该电路相对于“上N下P”来说，该电路多了两个电阻，从成本上，上P下N型不具有优势。那这两个电阻能不能去掉呢？答案肯定是不能去掉基极电阻会导致串通现象。

截止状态：MOSFET关闭，几乎没有电流流过源极和漏极。线性状态：MOSFET作为调节器或放大器，源漏电流与栅极和漏极电压呈线性关系。饱和状态：MOSFET完全导通，源极和漏极之间的电流达到最大值，与漏极电压无关。这三种状态的不同特性使MOSFET在模拟电路（如放大器）和数字电路（如开关）中有着广泛应用。

而运算放大器虽然也可以用于高频信号的放大，但由于其内部结构和工作原理的限制，其带宽和响应速度相对较低，因此在高频信号的放大中不如三极管放大电路常用。在三极管中，输入信号加在基极和发射极之间，控制基极电流的大小，从而改变集电极电流的大小，实现信号的放大。通过控制基极电流的大小，可以控制集电极电流的大小，实现电流的放大。稳定性好：PNP型三极管的稳定性要比NPN型三极管的稳定性好，因为PNP型三极管的电流是由空穴的运动产生的，而空穴的运动受温度的影响较大，所以PNP型三极管的电流会随着温度的升高而减小。

为了防止器件损坏，通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲电路(图中C916，R926)等保护措施，实测加上稳压管（D901）的效果要比加上RC电路的效果要好，推荐先用稳压管测试，但是此处绝对不能加tvs，加tvs会导致源极电压抬高，gs损坏。当电流过大或者发生短路时，功率MOS管漏极与源极之间的电流会迅速增加并超过额定值，必须在过流极限值所规定的时间内关断功率MOS管,否则器件将被烧坏，因此在主回路增加电流采样保护电路，当电流到达一定值，通过保护电路关闭驱动电路来保护MOS管。

具体来说，压摆率是指运算放大器在单位时间内能够达到的最大输出电压变化量与对应的输入电压变化量的比值。在电容上面电压不能突变，但是有了ESR，电阻自身会产生一个压降，这就导致了电容器两端的电压会产生突变，从而降低电容的滤波效果。一般来说在低频段，器件的管脚引线以及PCB布线都可以等效为无阻抗的，但是高频段，这些东西开始呈现出电感的特性，频率越高，阻抗也开始增大，所以抽象为等效串连电感。使用运放的时候注意运放的供电电压，并且双电源供电的运放正负电源应尽量同时加入，否则容易损坏运放，且不要带电接线，拔线等。

三极管的两大作用：做开关使用和放大电流一句话总结：三极管选型主要考虑集电极最大允许电流，集电极-发射极反向击穿电压，集电极最大允许耗散功率，特征频率，封装形式，工作电压和电流集电极最大允许电流，三极管工作时，当它的集电极电流超过一定数值时，他的电流放大系数β将下降。为此规定三级电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为Icm。所以在使用中当集电极电流Ic超过Icm时不至于损坏三级管，但会使β值减小，影响电路的工作性能；三级管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。

重点关注续流二极管方向和电流流向：

而对于上管Q1而言，源极S本来就有一定的输出，如果要想直接驱动栅极G，满足Vgs>Vgs(th)的条件，则需要在栅极G和地之间加一个很高的电压，这个难以实现控制。在H桥电路中，当上管导通时，漏极D和源极S之间的电压Vds是很小的，如果要想直接驱动栅极G，满足Vgs>Vgs(th)的条件，则需要在栅极G和地之间加一个很高的电压，这个难以实现控制。同时，自举升压电路还可以通过不断的正反馈闭环，将电压从低电压逐步提升到高电压，从而实现对电机的高压驱动。换驱动电流更大的驱动芯片，或者减小栅极电阻。

其实在自举电路中，也可以加入电阻，一般叫。

下面是汇川技术对于IGBT的认知要求：熟练掌握IGBT，MOS，运放，光耦，MCU，复位等硬件知识；熟练掌握IGBT器件的工作原理、开关特性、损耗分析等知识，掌握IGBT的驱动技术，掌握开关电源技术，了解电子元器件常见失效模式；

本质是一个电子开关，相比于MOS和三极管来说其最大的特点是耐压很高，可达6000V以上；600V以下大多数不选择IGBT,因为其导通时候CE压降在1到2V左右因而导致功率的损耗较大，600V以上这点压降可以忽略不计。另外MOS的开关频率可以做的比IGBT高，一般的家用逆变器的整理桥还是用MOS较多。常用于百V百A级使用，外观上看相比于MOS最大的区别是比较大，mos主要用于中小功率器件中。最大的作用是把高压直流电转化为交流电，也就是逆变器的作用，还有就是变频。永磁同步电机PMSM:无刷电机。

比较正规的方法用的是频谱分析仪，用示波器也可以。

一句话总结：二极管选型时主要考虑二极管的最大反向电压，反向电流，最高工作频率（由结电容决定）,反向恢复时间二极管的主要作用是防反接，续流二极管结电容:在高频电路中，由于反向偏置极性的快速变化，结电容成为了一个重要的影响因素。二极管存在结电容，这导致二极管存在反向恢复时间。当工作频率较低时，结电容的影响可以忽略不计，但当开关频率较高时，结电容的影响就不能被忽视。如果实际工作频率高于二极管的最高频率，那么二极管可能来不及关断，此时的等效电路将变为一个电容，大小为二极管的势垒电容与扩散电容之和。

电感电流增加到一定程度时，电感的感抗（Inductance）显著下降，甚至接近于零。这会导致电感无法正常发挥储能和滤波的作用，从而影响整个电路的性能。当输入电压较高或负载电流较大时，电感电流会增加。如果电流超过电感的额定电流，就可能导致磁芯饱和。在Buck（降压）电路中，电感的饱和现象是指。

电感会通过产生感应电动势的方式来阻碍电流的变化，电流变化率越大，产生的感应电动势越大阻碍电流效果越明显。

指的是电容的容量随着两端的电塔增大而减小：直流偏压特性主要存在于高介电常数的陶瓷电容中：截止频率是输出信号是输入信号的0.7倍时候的频率：电容的容值实际是减小的。